process corner工艺角

不同的晶片和不同的批次之间,MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度,需要将器件性能限制在某个范围内,并报废超出这个范围的芯片,来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。[1]

5-corner model:

5-corner model有5个corners:TT,FF,SS,FS,SF。前后两个字符分别对应NMOS和PMOS。其中TT是指typical corner。Typical表示晶体管饱和电流的平均值。单一器件所测的结果是呈正态分布的。均值为TT,最小最大限制为SS和FF。饱和电流(Isat)大的器件,阈值电压小(LVT),运行速度快(F)。饱和电流(Isat)小的器件,阈值电压大(HVT),运行速度慢(S)。

不同的工艺不同的device对应的sigma值不同。如果NMOS和PMOS的性能与Typical的偏差在3sigma时,也能满足设计需求,则此corner芯片为3SS或者3FF corner 芯片。

 

 

[1]https://wenku.baidu.com/view/bcbe0efa941ea76e58fa044c.html

 

 

### TSMC 18nm 工艺仿真实例及教程 #### 使用TSMC 180nm PDK进行工艺仿真设置 对于基于TSMC 180nm技术节点的电路设计,包含完整的PDK(Process Design Kit),这使得在各种极端条件下评估电路行为成为可能。当准备执行工艺仿真时,应确保项目环境中已正确配置了所需的PDK文件[^1]。 #### 创建测试平台(Testbench) 利用提供的Testbench模板,可以根据具体需求调整输入信号和其他参数设定。此Testbench允许用户定义不同的操作场景并监控关键节点的行为变化。它还支持多种类型的波形查看和数据分析工具,有助于深入理解电路响应特性。 #### 配置环境变量与模型库 为了实现精确的过程落分析,在启动任何仿真之前,需指定适当的标准单元库版本以及相应的corners文件。这些资源通常由代工厂提供,并且应当按照官方指导文档中的说明加载到仿真器中去。 #### 执行多物理场联合仿真案例研究 借助于像Hspice这样的高级仿真软件包,不仅可以单独考虑电气效应,还可以同步考察温度等因素的影响。例如,可以通过激活其内置的热建模选项来预测实际应用环境下可能出现的最大温升情况;同时结合电学指标一起考量,则能更全面地掌握整体表现趋势[^2]。 #### 存储器特性的自动化提取流程介绍 如果目标器件涉及到复杂的SRAM结构或其他形式的记忆体阵列部分的话,那么采用专门为此类组件定制的工作流将是十分必要的。OpenRAM所提供的解决方案正好满足这一要求——从自动生成用于驱动SPICE引擎工作的激励源直至最终产出可供后续综合使用的标准延迟格式(.lib)描述文件为止的一整套工序都被集成到了单一框架之下[^3]。 ```bash # 设置环境变量指向正确的PDK路径 export PDK_PATH=/path/to/tsmc180nm/pdk # 加载特定corner条件下的模型库 source $PDK_PATH/models/corner_conditions.tcl # 启动仿真前预处理命令 hspice -i input.sp -o output.log \ +define+CORNERS=SS,TT,FF \ +incdir+$PDK_PATH/libs/verilog \ -l transcript.txt ```
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