ROM RAM FLASH 理解

RAM ：随机存储器

存取速度与位置无关、断电数据丢失

分为：

（1）静态随机存储器  SRAM

（2）动态随机存储器  DRAM

SRAM：不需刷新电路即能保存内部存储数据，数据不丢失；一般做为存储器的缓存，不适合做容量大的内存，速度非常快。

DRAM：需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失

SDRAM：同步动态随机存储器，数据读写需要时钟同步，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间,所以其传输速率比DRAM更快。其容量比SRAM大，但速度不如SRAM。

 

ROM：只读存储器，内容只读不能修改，断电后数据能保存；

PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错就报废了；

EPROM：可擦除可编程只读存储器；

EEPROM：电子式可擦除可编程只读存储器；

 

FLASH：是一种不挥发性内存，结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器。FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的ROM一般都是FLASH。而EEPROM则按字节操作。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

 

NOR Flash：NOR Flash的读取与SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节，但是擦除仍要按块来擦。 

NADN Flash：没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。大容量的用NAND FLASH，NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND FLASH按块来擦除，按页来读，NOR FLASH没有页）。由于NAND FLASH引脚上复用，因此读取速度比NOR FLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是NAND FLASH型的。小容量的2～12M的flash多是NOR FLASH型的。 

 

SPI FLASH：SPI一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash，即，可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI NorFlash。早期Norflash的接口是parallel的形式，即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能硬件上兼容（数据线和地址线的数量不一样），并且封装比较大，占用了较大的PCB板位置，所以后来逐渐被SPI（串行接口）Norflash所取代。同时不同容量的SPI Norflash管脚也兼容封装也更小。，至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

 

单片机中RAM 、ROM 、FLASH作用：

ROM——存储固化程序的（存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动）

RAM——程序运行中数据的随机存取（掉电后数据消失）

FLASH——存储用户程序和需要永久保存的数据。