stm32CubeMX配置通过bootload升级的问题总结

一，背景

        需要实现在APP运行中，收到升级指令时，跳转到bootload中等待服务器下发升级的程序。升级完毕后，跳转到APP运行地址进行运行。

二，问题

编写和下好bootload程序和APP后，上电运行。发现bootload跳转成功，但是APP不运行。

三，处理

3.1，bootload 的跳转程序

__asm void MSR_MSP(uint32_t addr)
{
    MSR MSP, r0
    BX r14;
}
 #define BOOTLOADER_LOG
void iap_load_app(uint32_t  APP_ADDR)
{
	APP_FUNC jump2app;//定义一个函数指针
    
    /* 栈顶地址是否合法(这里sram大小为8k) */
    if(((*(uint32_t *)APP_ADDR)&0x2FFE0000) == 0x20000000)
    {
			 __set_PRIMASK(0);
        /* 设置栈指针 */
        MSR_MSP(APP_ADDR);
        /* 获取复位地址 */
		    jump2app=(APP_FUNC)*(volatile uint32_t *)(APP_ADDR+4);	
		    /* 设置栈指针 */
		    __set_MSP(*(volatile uint32_t *)APP_ADDR);
		
	#ifdef BOOTLOADER_LOG	
		ASSERT_PUTF("boo","Bootloader end load app");
	#endif
 
		/* 跳转之前关闭相应的中断 */
		CLOSE_ALL_INT();
		__set_CONTROL(0);
		/* 跳转至APP */
		jump2app();
    }
	
#ifdef BOOTLOADER_LOG
    else
    {
		ASSERT_PUTF("boo","APP Not Found!\n");
    }
#endif
	
}

当开启升级后，通过Flash 的操作函数，将数据写入Flash中。

FLASH_ProcessTypeDef p_Flash; 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];    //缓存数组
 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能: 读取指定地址的半字(16位数据) 
  * 输入参数: faddr：读地址
  * 返 回 值: 对应数据
  * 说    明： 
  */
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}
 
#if STM32_FLASH_WREN	//如果使能了写   
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:不检查的写入
  * 输入参数: WriteAddr:起始地址、pBuffer:数据指针、NumToWrite:半字(16位)数 
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToWrite;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);
	  WriteAddr+=2;//地址增加2.
	}  
} 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:从指定地址开始写入指定长度的数据
  * 输入参数:WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)、pBuffer:数据指针、NumToWrite：半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	
	HAL_FLASH_Unlock();					    //解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~64 for STM32F103C8T6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)				//需要擦除
		{
			Flash_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	//擦除这个扇区
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            	//等待上次操作完成
			CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);							//清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
																		//但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else 
		{
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	//等待上次操作完成
			STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 
		}
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
}
#endif
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:从指定地址开始读出指定长度的数据
  * 输入参数:ReadAddr:起始地址、pBuffer:数据指针、NumToWrite:半字(16位)数
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
		ReadAddr+=2;//偏移2个字节.	
	}
}
 
 /**********************************************************************************
  * 函数功能:擦除扇区
  * 输入参数:PageAddress:擦除扇区地址
  * 返 回 值: 无
  * 说    明： 
  */
void Flash_PageErase(uint32_t PageAddress)
{
  /* Clean the error context */
  p_Flash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;
 
#if defined(FLASH_BANK2_END)
  if(PageAddress > FLASH_BANK1_END)
  { 
    /* Proceed to erase the page */
    SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR2_PER);
    WRITE_REG(FLASH->AR2, PageAddress);
    SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR2_STRT);
  }
  else
  {
#endif /* FLASH_BANK2_END */
    /* Proceed to erase the page */
    SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);
    WRITE_REG(FLASH->AR, PageAddress);
    SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_STRT);
#if defined(FLASH_BANK2_END)
 
  }
#endif /* FLASH_BANK2_END */
  }

 其中 APP_ADDR就是需要跳转的目标地址。

设置好ROM的大小。

擦除选择，部分擦除。

3.2，APP的设置

在APP的mian函数开始处添加如下代码

SCB->VTOR = FLASH_BASE | RUN_APP_ADDR;//设置地址偏移
__set_PRIMASK(0);  /* 使能全局中断 */

软件设置：

APP的开始地址时0x8004000大小时0x7800,同样使用部分擦除。

    在APP中，当串口收到4G模块传来的 “upgrade” 字符串命令后，修改程序升级标志，重启MCU。重启后自动进入bootload。

if(NULL != strstr((char*)Air4gModet.databuf,"upgrade"))
{//如果升级的话修改升级标志
u16 a=1;
STMFLASH_Write(UPGRADE_MARKER_BIT_ADDR,(u16*)&a,1);//将Flash的标记位置1
 HAL_NVIC_SystemReset();          	/* 重启 */			
} 

3.3 注意（问题的解决）

在MX的设置中，要保证bootload和APP的时钟设置和系统时钟相同。及时钟树配置和Timebase Source 时钟相同(尤其做freertos，一定要注意)。