STM 32 HAL库 内部FLash读写调试的问题

问题1：STM32G0 系列  256KB内部FLash大小，无法读写

分析：从STM32F103C8 移植过来的Flash操作代码，发现无法进行读写，返回 HAL_ERROR 错误，随后，检查在写之前是否擦除成功，检查代码发现，移植过来的擦除Flash函数，默认擦除BANK1

但是G0系列，256KB的Flash是分为两个BANK的，且我的参数区放在最后，也就是会在BANK2中

所以这里没有擦除成功导致，导致无法写入

解决：将代码修改为，通过地址去判断是哪一个，BANK区，以及计算要擦除的页

问题2：解决了第一个问题后，我在参数区最后存的是软件版本号，但是发现，在写入版本号，再写入其他参数时，版本号的最后几位丢失了

分析：首先确认，先写入其他参数，再写入版本号，读取Flash，版本号完整无误，写入版本号后，再写入其他参数，版本呢号最后几位丢失；所以，怀疑是写其他参数的时候有问题。

我的参数写入流程是：先读取Flash中所有参数值到内存，再修改对应位置参数值，再全部写入   

随后，我将写操作屏蔽，仅在确认了版本号无误后，读取，发现，版本号最后几位丢失，检查读取代码，发现读取时的长度不对，没有将版本号最后几位读取到内存中，导致写入的时候，不是Flash中原来的值。

解决：修改读取所有参数时的长度

问题3：将数据由 两位修改为一位时，原来的第二位数据没有改变，导致修改有误

分析：同样，参数的最大长度为12 Byte，当由两位数变为一位数时，这边默认传入修改的长度为1，所以第二位不被修改

解决：每次修改的长度均为固定12Byte