STM32系列(HAL库)——内部FLASH读写实验_简约版

         在此篇文章前，写过另外一篇关于STM32内部FLash读写的文章——点击跳转。之前那篇文章的代码是移植于正点原子的，比较复杂，因为它考虑了写入字节大于1K或2K时需要换页写入的问题。但是在实际使用过程中，我们需要写入的数据常常远小于1K，因此本篇文章的代码适用于写入小量数据使用(即小于1K或2K——取决于单片机最小写入页)。

本次代码是借鉴了CubeMX固件库官方例程的代码，经过和上一篇代码结合整理，比较简约易懂。

1.关于CubeMX的配置

本次实验的选择的是STM32F103C8T6

CubeMX选择配置一下时钟树，开启串口1即可

2.具体代码如下

 (1)Flash.h

        本次例程选择写入的页是第62页到第64页，可自定义修改

#ifndef _FLASH_H_
#define _FLASH_H_
#include "main.h"
#include "stm32f1xx_hal_flash_ex.h" 
#define u8 uint8_t
#define u16 uint16_t
#define u32 uint32_t


#define STM32_FLASH_SIZE 	64 	 	//所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
    #if     STM32_FLASH_SIZE < 256      //设置扇区大小
    #define STM_SECTOR_SIZE     1024    //1K字节
    #else 
    #define STM_SECTOR_SIZE	    2048    //2K字节
#endif

#define STM32_FLASH_BASE            0x08000000 		//STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_USER_START_ADDR   ( STM32_FLASH_BASE + STM_SECTOR_SIZE * 62 ) //写Flash的地址，这里从第62页开始
#define FLASH_USER_END_ADDR     ( STM32_FLASH_BASE + STM_SECTOR_SIZE * 64 ) //写Flash的地址，这里以第64页结束


void Flash_Erase(void); 
void Flash_Write(u32 *pBuffer,u32 NumToWrite);
void Flash_Read(u32 *pBuffer,u32 NumToRead);


#endif

(2)Flash.c 

#include "Flash.h"
#include <stdio.h>

static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
u32 PAGEError = 0;
 /**********************************************************************************
  * 函数功能: 页擦除
  * 输入参数: 无
  * 返 回 值: 无
  * 说    明：无 
  */
void Flash_Erase(void)
{  	
    EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.PageAddress = FLASH_USER_START_ADDR;
    EraseInitStruct.NbPages     = (FLASH_USER_END_ADDR - FLASH_USER_START_ADDR) / STM_SECTOR_SIZE;
    
     if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)  
	 {
		 HAL_FLASH_Lock();  
		 printf(" Error...1\r\n");
         Error_Handler( );
	 }
}
 /**********************************************************************************
  * 函数功能: 数据写入
  * 输入参数: 写入数据缓存数组指针、写入数据数
  * 返 回 值: 无
  * 说    明：无 
  */    
void Flash_Write(u32 *pBuffer,u32  NumToWrite)
{

    u16  i=0;
    u32 Address = FLASH_USER_START_ADDR;
    HAL_FLASH_Unlock();	    //解锁
    Flash_Erase( );         //先擦除
                            //再写入
       printf(" 擦除完成，准备写入......\r\n");
     while ( (Address < FLASH_USER_END_ADDR) && (i<NumToWrite)  )    
    {
        if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, pBuffer[i]) == HAL_OK)
        {
            Address = Address + 4;  //地址后移4个字节
            i++;
        }
        else
		{  
			printf(" Error...2\r\n"); 
            Error_Handler( );            
		}
    }
  
    HAL_FLASH_Lock();   //上锁


}

 /**********************************************************************************
  * 函数功能: 数据读取
  * 输入参数: 读取数据缓存数组指针、读出数据数
  * 返 回 值: 无
  * 说    明：无
  */
void Flash_Read(u32  *pBuffer,u32  NumToRead)
{
    u16  i=0;
    u32 Address = FLASH_USER_START_ADDR;
    
    while ( (Address < FLASH_USER_END_ADDR) && (i<NumToRead)  )
  {
    pBuffer[i++]= *(__IO u32 *)Address;  
    Address = Address + 4;   //地址后移4个字节
  }
  
}

(3)main.c

①添加头文件、变量声明

#include "Flash.h"
#include <stdio.h>

u8 TEXT_Buffer[]={"STM32_HAL_FLASH_TEST_"};//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)	 	//数组长度
u8 datatemp[SIZE];  //Flash读取缓存数组
u8 *p=datatemp;	    //数组指针

②main函数

测试时添加在while循环前即可，此段代码不需要重复运行。实现的操作为运行一次写入函数后，运行一次读取函数。

    printf(" 串口OK!......\r\n");
    HAL_Delay(2000);  

    Flash_Write((u32*)TEXT_Buffer,(SIZE+3)/4);  //强制转换后写入数组长度向上取整(SIZE+3)/4
    printf(" 写入成功，准备读取......\r\n");
    Flash_Read((u32*)datatemp,(SIZE+3)/4);
    printf(" 读取成功......写入内容为：\r\n");
    printf(" %s\r\n",p);

3.实现效果