芯片半导体基础——晶体管的结构与工作原理-CSDN博客

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上篇文章我们聊了PN结的原理，本篇接着聊PN如何做芯片。

根据PN结的原理，我们明白了，PN结正向偏置时，正向电流很大，PN结导通，PN结反向偏置时，反向电流很小，电阻很大，PN结反向截止，这就是PN结的单向导通性。

1.PN结制作晶体管原理介绍

PN结做二极管

半导体二极管是由PN结两端接上电机引线并用管壳封装构成的。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。由于PN结的单向导通性，二极管导通时电流方向是从阳极流向阴极。

二极管广泛用于稳压、整流、制造LED等领域。例如在整流方面，用4个二极管，巧妙的将交流电整流为直流电，原理如下图所示，通过变压器T的正半段电流，由a点经二极管VD1、元器件R、VD3到b点构成正半段回路，变压器T的负半段电流，由b点经二极管VD2、元器件R、VD4到a点构成负半段回路，就实现了将交流电转为直流电，我们手机电脑使用的都是直流电。

PN结做晶体管

晶体管又称半导体三极管，从结构上来看，就是在二极管的基础上，增加了一极，多出的一极可以是P,也可以是N,因此，又把晶体管分为PNP晶体管和NPN晶体管，如下图所示

以NPN晶体管为例，讲述电子开关的原理，向A端施加正向电压，向B端施加负向电压，晶体管经AB端导通，同理，经AC端导通。当然，晶体管还可以用作信号放大器，将微弱的信号放大，对晶体管信号放大原理感兴趣的，请评论区留言。

PN结做MOS管

MOS管由栅极G（金属）、绝缘层（氧化物）、源极S/漏极D（半导体）构成，栅极与沟道之间通过氧化层隔离，通过栅极电压形成导电沟道控制漏极电流。

增强型MOS管具有两个背靠背的PN结，分别位于漏极D和源极S之间。当栅-源电压UGS为0时，即使施加漏-源电压UDS，也总会有一个PN结处于反向偏置状态，从而使得漏-源极间无法形成导电沟道（即无电流通过），因此漏极电流ID为0。

然而，若在栅-源极间施加正向电压，即UGS>0，则会在栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中产生一个由栅极指向P型硅衬底的电场。由于氧化物层具有绝缘性，所施加的电压UGS不会形成电流，但会在氧化物层的两侧形成一个电容。这个电容的充电过程等效于UGS的施加，并产生一个电场。随着UGS的逐渐增加，受到栅极正电压吸引，大量电子在电容的另一侧聚集，从而形成一个从漏极到源极的N型导电沟道。当UGS超过管的开启电压VT（通常约为2V）时，N沟道管开始导通，并产生漏极电流ID。我们称开始形成沟道时的栅-源极电压为开启电压，通常以VT表示。

通过调节栅极电压UGS的大小，可以改变电场的强度，进而控制漏极电流ID的大小。这一特性使得MOS管能够通过电场来调控电流，因此也被称为场效应管。

MOS管相比于晶体管静态功耗更低，晶体管导通时存在较大基极电流损耗；而且MOS管开关速度更快，适合高频应用；晶体管在高频下易受限制，因此MOS管也应用更广泛，常用于数字电路、高频开关、功率电子（如CPU、电源管理、逆变器）等。

2.晶体管用于做数字电路中的基本原理

大家都知道寄存器中的运算器是可以进行算数运算和逻辑运算的，而这些进行运算的部件就是由各种各样的晶体管组成，先来看一下这些运算的电路基本原理。

2.1 与逻辑