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简介
电容是表现电容器容纳电荷本领的物理量,用C表示,单位F。电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值,叫电容器的电容,即C=Q/U。电容器是一种容纳电荷的电子元器件,通常实际使用的电容器被简称为电容。
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电容主要参数
2.1、标称容值
标称容值指电容器在电容器上标注的电容值,常见容值为:0.01uF、0.1uF、0.15uF、0.22uF、0.33uF、0.47uF、1uF、10uF等,标注方式一般分为直标法、色标法、文字符号法和数学计数法。
直标法:就是用数字和单位符号直接标出,如10uF表示10微法的电容。
色标法:多用于直插电容,与色环电阻相似,颜色黑、棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰和白分别代表0、1、2、3、4、5、6、7、8和9,第一、二种颜色代表的数码表示容量的有效数字,第三种颜色代表的数码则表示有效数字后面添加的“0”数,其单位是pF,第4环的误差:黑:±20%,棕:±1%,红:±2%,绿:±0.5%,蓝:±0.25%,紫:±0.1%,白:+50%-20%,金:±5%,银:±10%。
文字符号法:将文字和数字符号有规律地组合起来,在电容器表面上标志出主要特性参数,常用来标志电容器的标称容量及允许偏差。例如p50表示0.5pF、1p2表示1.2pF、1n表示1nF、3n3表示3.3nF、1u表示1uF、3u3表示3.3uF、1m表示1000uF、3m3表示3300uF、1F表示1F等。允许偏差的文字符号与对应偏差值如下表所示:
允许偏差(%) | 文字符号 | 允许偏差(%) | 文字符号 | 允许偏差(%) | 文字符号 |
±0.001 | Y | ±0.25 | C | ±30 | N |
±0.002 | X | ±0.5 | D | +100;-0 | H |
±0.005 | E | ±1 | F | +100;-10 | R |
±0.01 | L | ±2 | G | +80;-20 | Z |
±0.02 | P | ±5 | J | +50;-10 | T |
±0.05 | W | ±10 | K | +50;-20 | S |
±0. 1 | B | ±20 | M | +30;-10 | Q |
数学计数法:一般用三位数字表示容量大小。第三位数字是10多少次方,单位是pF,例如:103表示10*10^3PF=10000PF=10nF=0.01uF、107表示10*10^7PF=100000000pF=100000nF=100uF。
2.2、允许偏差
允许偏差指实际电容值与标称电容值之间的偏差,厂家生产的电容容值与标称电容的误差在允许偏差值内则认为合格,对应允许偏差的代表符号可参考2.1标称容值的文字符号表示法里的表格。
2.3、封装规格
电容的封装可按直插电容和贴片电容进行分类;
无极直插电容的封装形式为RAD-xx,xx为焊盘中心距,如下图所示,单位是英寸,1inch=25.4mm=1000mil。其常见的封装尺寸对应表如下
封装尺寸(inch) | 对应长度(mm) |
RAD-0.1 | 2.54 |
RAD-0.2 | 5.1 |
RAD -0.3 | 7.6 |
RAD -0.4 | 10.2 |
有极直插电容的封装形式为RB.x.x,常见的封装有RB.2/.4、RB.3/.6、RB.4/.8、RB.5/1.0,符号中的前数表示焊盘中心孔的间隔,后数表示周边尺寸(丝网印刷),单位仍为英寸,如下图所示
常见的贴片电容的封装尺寸对应表如下,对应的带极性的贴片电容如钽电容,在焊接时要特别注意其极性。
2.4、耐压值
电容电极之间能够承受的瞬时电压的最大值,注意是瞬时值,电容两极间的电压超过了耐压值,电介质就会因为极间电场过强而发生电离,电容就会击穿,也就是电容本来绝缘的两极间发生了各种电光火石的情形。
电容的耐压值,在弱电领域主要有4V、6.3V、10V、16V、20V、25V、35V、50V这些档位,上百伏的电容主要用在强电上。由于不同厂商和不同规格的电容的耐压值不太一样,在选择时需要仔细选择对应的耐压值,钽电容和电解电容等这些较大封装的器件本身印有对应的耐压值,陶瓷电容这些封装较小的电容需要看对应的包装袋。
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电容种类
电容可根据电容体的材料和电容的原理进行分类
无极性可变电容:优势在于容易生产,技术含量低等特点;缺陷是体积大,容量小;主要用于改变震荡及谐振频率电路。
无极性无感CBB电容:优势在于无感,高频特性好,体积较小等特点;缺陷是不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差;主要用于耦合/震荡,音响,模拟/数字电路,高频电源滤波/退耦等。
无极性CBB电容:优势在于有感,高频特性好,体积较小等特点;缺陷是不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差;主要用于耦合/震荡,模拟/数字电路,电源滤波/退耦等。
无极性瓷片电容:优势在于体积小,耐压高,价格低,频率高等特点;缺陷是易碎,容量低;主要用于高频震荡、谐振、退耦、音响等。
无极性云母电容:优势在于容易生产,技术含量低等特点;缺陷是体积大,容量小用途:震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小,其他同CBB,有感;主要用于模拟/数字电路信号旁路/滤波,音响等。
有极性电解电容:优势在于容量大等特点;缺陷是高频特性不好;主要用于低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响等。
钽电容:优势在于稳定性好,容量大,高频特性好等特点;缺陷是造价高;主要用于高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路等。
聚酯(涤纶)电容:优势在于小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差;主要用于对稳定性和损耗要求不高的低频电路等。
聚苯乙烯电容:优势在于稳定,低损耗,体积较大;主要用于对稳定性和损耗要求较高的电路等。
聚丙烯电容:优势在于性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差;主要用于代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路。
云母电容:优势在于高稳定性,高可靠性,温度系数小;主要用于高频振荡,脉冲等要求较高的电路等。
高频瓷介电容:优势在于高频损耗小,稳定性好;主要用于高频电路等。
低频瓷介电容:优势在于体积小,价廉;但损耗大,稳定性差;主要用于要求不高的低频电路等。
玻璃釉电容:优势在于稳定性较好,损耗小,耐高温;主要用于脉冲、耦合、旁路等电路。
铝电解电容:优势在于体积小,容量大,但损耗大,漏电大;主要用于电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等。
钽电解电容(CA)、铌电解电容(CN):优势在于损耗、漏电小于铝电解电容;主要用于在要求高的电路中代替铝电解电容等。
空气介质可变电容器:优势在于损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等;主要用于电子仪器,广播电视设备等。
薄膜介质可变电容器:优势在于体积小,重量轻;损耗比空气介质的大;主要用于通讯,广播接收机等。
薄膜介质微调电容器:优势在于体积小,但损耗较大;主要用于收录机,电子仪器等电路作电路补偿等。
陶瓷介质微调电容器:优势在于损耗较小,体积较小;主要用于精密调谐的高频振荡回路等。
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电容用途
4.1旁路
一般旁路电容放置在输入信号和地之间用于将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路滤掉。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等。如果有多个旁路电容的话一般先摆放大电容滤除低频,然后再用小电容滤除高频。
4.2去耦
去耦也叫退耦,主要作用是将输出信号和供电电源进行一个滤波处理,去耦电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1uF等, 输入电源的去耦电容是紧紧靠近电路的电源接入点,是用于滤除该部分电路因内部器件频繁开关对外部产生的传导干扰;特别数字电路,几乎所有的器件都处在高频的时序电平切换状态,于是对电源的产生频率很高的忽高忽低的电流需求,这样电流就形成了传导的脉冲干扰,对其他数字器件可能产生误动作,严重影响电路的正常工作。
4.3滤波
电容的滤波功能是由于电容的充放电特性实现的,滤波电容是并联在电源的走线上的容值较大的电容,电容充电时有一个特性,随着充电电荷的增加,电容的电压不断上升直到达到电源电压为止,但是电压上升速度与电容的容量和充电电流密切相关,在充电电流一定的情况下,容量越大,电压上升速度越慢;电容放电时,存储的电荷不断减少,电压逐渐下降,电荷减少的速度与电容的容量和放电电流密切相关,在放电电流在充放电电流一定的情况下,容量越大,电压上下降速度越慢;电容充放电的反复进行,电容的电压就会保持在一定的电压附近,起到平滑电压的作用,也就是滤波作用。
4.4 储能
电容的主要物理特征是储存电荷。由于电荷的储存意味着能的储存,因此也可说电容器是一个储能元件,确切的说是储存电能。两个平行的金属板即构成一个电容器。现如今有些电容的储能水平很高。
4.5电容和电阻组成的RC电路
如下图所示,将一个电阻和一个电容进行串联就组成了一个最简单的RC电路,当电源Vi通过R像C充电时,电容两端的电压值Vc(t)=V(1-e-t/RC),由于一开始电容两端的电压为0,所以电压的电压都在电阻上。这时电流大,充电速度快。随着电容两端电压的上升,电阻两端的电压下降,电流也随之减小,充电速度变小。充电的速度与电阻和电容的大小有关。电阻R越大,充电越慢,电容C越大,充电越慢。衡量充电速度的常数t(tao)=RC。电容C通过电阻R放电,由于电容刚开始放电时电压为E,放电电流I=E/R,该电流很大,所以放电速度很快。
4.6电容和电阻组成的滤波电路
将一个电阻和电容串联可以构成一个无源滤波器,根据结构不同可分为高通和低通两种滤波器,如下图所示。他们都是利用了电容隔直通交的原理,并且频率越大,越容易通过电容,这点可以通过电容的容抗公式看出来,即Xc =1/(wC)公式中的w是信号的角频率,C是电容值;从这个公式中可以看出,电容越大,容抗越小,因此对信号的阻碍越小。不管是高通滤波器还是低通滤波器,说白来就是一个电容和一个电阻构成了一个分压电路,区别在于电容的位置不通,低通滤波器中电阻在前,电容再后,信号的频率越高,容抗越小,相应的电容上分压越小,所以频率越高越不容易传递到后端,这样就构成了低通滤波器。高通滤波器正好相反,电容在前电阻在后,因此信号频率越高电容上的分压越小,那么电阻上的分压就越大,所以频率越高越容易传递到后端,这就构成了高通滤波器。阻容滤波器的设计主要是根据,电容通高频阻低频的特性,低通滤波器设计将电阻放在信号输入端,电容放在之路上!高通滤波器将两者换个位置就可以。
4.7 LC振荡电路
如下图所示,将一个电感和一个电容相联就组成了一个最简单的LC电路,LC电路既用于产生特定频率的信号,也用于从更复杂的信号中分离出特定频率的信号。它们是许多电子设备中的关键部件,特别是无线电设备,用于振荡器、滤波器、调谐器和混频器电路中。振荡电路中发生电磁振荡时,如果没有能量损失,也不受其他外界的影响,这时电磁振荡的周期和频率,叫做振荡电路的固有频率和固有周期。固有周期可以用下式求得T=2πLC.