四、SPI——2、NOR FLASH

目录

一、NOR FLASH介绍

二、NM25Q128 简介

三、NM25Q128存储结构

四、NM25Q128常用指令

五、读/擦除/写 步骤

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一、NOR FLASH介绍

        FLASH是常用的用于储存数据的半导体器件，它具有容量大，可重复擦写、按“扇区/块”擦除、掉电后数据可继续保存的特性。

        FLASH是有一个物理特性：只能写0，不能写1，写1靠擦除。

        FLASH主要有NOR Flash和NAND Flash两种类型，NOR和NAND是两种数字门电路。

二、NM25Q128 简介

        NM25Q128，串行闪存器件，属于NOR FLASH中的一种，容量为128 Mb。擦写周期可达10W次，可以将数据保存达20年之久。

        SPI数据传输时序：支持模式0（CPOL = 0 , CPHA = 0）和模式3（CPOL = 1, CPHA = 1）。

        数据格式：数据长度8位大小，先发高位，再发低位（MSB）。   

        传输速度：支持标准模式104M bit/s。

        原理图（战舰版，F103）：

        

        CS : 片选信号输入。

        SO : 数据输出。

        WP : 写保护功能。

        HOLD : 暂停通讯。

        CLK : 时钟输入。

        SI : 数据输入。

三、NM25Q128存储结构

                                                           图1 NM25Q128存储结构图

        1 page = 1 byte * 256
        1 sector = 1 page * 16
        1 block = 1 sector * 16
        25Q128 = 1 block * 256

        地址范围（0x0 ~ 0xFFFFFF）

        25Q128存储容量为128M bit，即16M Byte（128M bit / 8 = 16M Byte）

四、NM25Q128常用指令

① 常用指令：

指令(HEX)	名称	作用
0X06	写使能	写入数据/擦除之前，必须先发送该指令
0X05	读SR1	判定FLASH是否处于空闲状态，擦除用
0X03	读数据	用于读取NOR FLASH数据
0X02	页写	用于写入NOR FLASH数据，最多写256字节
0X20	扇区擦除	扇区擦除指令，最小擦除单位（4096字节）

② 写使能 Write Enable (06H)

        执行Page Program页写，Sector Erase扇区擦除，Block Erase块擦除，Chip Erase片擦除，
Write Status Register写状态寄存器等指令前，需要写使能。

                                                          图2  写使能时序图

其中，SI 从机输入。SO从机输出，CS片选。

③ 读状态寄存器Read Status Reg1（05H）

05h，SR1，状态寄存器1。

35h，SR2，状态寄存器2。

15h，SR3，状态寄存器3。

④ 读时序 Read Data Bytes（03H）

 发送24位地址，需要分3次发送，因为NM25Q128支持8个字节。

如果一直要读取数据，则需要一直发送脉冲（SCLK）。

⑤ 页写时序 PageProgram (02H)

 

页写命令最多可以向FLASH传输256个字节的数据

⑥ 扇区擦除时序 Sector Erase（20H）

        FLASH存储器的特性决定了它只能把原来为“1”的数据位改写成“0”，而原来为“0”的数据位不能直接改写为“1”。       

 ⑦ 状态寄存器表

BUSY位 指示当前状态     0：空闲状态(硬件自动清除)          1：当前处于忙碌状态

WEL位   执行WriteEnable指令该位为1，可以页写/扇区or块or片擦除/写状态寄存器         
             0：写禁止，不能页编程/扇区or块or片擦除/写状态寄存器

五、读/擦除/写 步骤

① NM25Q128读操作步骤

1、发送读命令（0X03）

2、发送地址（24位），地址范围0~0XFFFFFF，分3次发送

3、读取数据，主机发送空字节（0XFF），给从机脉冲，从机发送数据，主机读取数据，支持连续读

② NM25Q128擦除扇区步骤

1、发送写使能命令（0X06）

2、等待NOR FLASH空闲

3、发送擦除扇区命令（0X20）

4、发送地址（24位），发送要擦除的字节地址，自动擦除该地址所在扇区

5、等待空闲，等待擦除完成

③ NM25Q128写操作步骤（极简）

1、擦除扇区（0X20）

2、发送写使能命令（0X06）

3、发送页写命令（0X02），发送页写命令后，一次最多写入256字节

4、发送要写入的地址（24位）

5、发送要写入的数据，一次最多写入256字节

6、等待写入完成（等待空闲状态）