Read ID Operation(nand flash)----时序图分析------（芯片id的读取）

上面有一个横线的，表示低电平有效，在这个CLE为高电平为有效的时候，此时片选CE和WE的信号为低为有效，所以此时在写也就是发送0x90（Read ID Comand）这个读命令。

这是发送读命令时各地址线上电平的变化，而你只需要写相应的寄存器，然后硬件自己完成对应的跳变。如这个就是NFCCMD=0x90

nand flash 读取数据每一次最多只能读取一页的数据，如果需要多页读取需要反复读取。

这一个讲得比较好：

 

OOB:是为了解决Nand缺点(nand flash 存在坏块，就有位反转的现象，所以就发明了OOB区进行校验,把nand flash

坏块位反转来恢复到正确的数据)而存在,

cpu:只关心数据，不会访问OOB,因为OOB区是nand flash访问后，把正确数据给cpu.所以cpu只能访问page区

https://blog.csdn.net/pengrui18/article/details/32337297

Column address=addr%2048 

ROW Address     =addr/2048

ROW：就是第几个行，就是第几个page

所以在针对这款nand flash ，一个pege是2048type,所以说addr/2048=row,也就是第几个page.

因为在2440中没有%取余这个操作，所以用Column address=addr&(2048-1).

void nand_erase(unsigned int addr,int len)//擦除 ，擦除的最小单位是块（block）

{

int page = addr /2048;

     if(addr&0x1FFFF)//保证addr是128K整数倍，从起始点开始，0x1FFFF就是128k-1,128k是2某个次方，所以可以用这种方式保证是128K整数倍 在2440 一个block是128k

.....省去下面的代码

}