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原创 TXB0104的使用

TXB0104的使用参数介绍A端口可以接受的电压的范围是1.2V - 3.6V,B端口可以接受的电压的范围是1.65V - 5.5V,且需要满足VVCA<=VVCB,即两端口的输入电压在上述范围内即可完成电平转换。该器件能够自动完成电平转换,无转换使能控制接口,所以需要注意A、B两端的驱动能力,电流会自动流向驱动能力弱的一端。输出使能引脚OE如果接地,所有输出为高阻态,它的的输入电路由VCCA 提供。芯片内部结构芯片引脚介绍芯片应用实例电平电压下降问题使用TXB0104芯片有时会

2021-04-25 15:41:31 4722 3

原创 组合逻辑电路的竞争和冒险,以及冒险现象的判断和防止

组合逻辑电路的竞争和冒险,以及冒险现象的判断和防止竞争和冒险竞争:在组合逻辑电路中,某一变量通过两条以上的路径到达输出端,由于每条路径的传输延迟不同,因此同一变量沿不同路径到达输出端的时间有先后,因此产生了竞争。冒险:在组合逻辑电路中,某一具有竞争能力的变量发生变化时,如果输出端状态在短暂时间里偏移,输出端的状态可能会从应该有的状态跳转到别的状态,再跳转回该有的状态,产生冒险。组合逻辑电路存在竞争的情况下,不一定会产生冒险。冒险现象的判断一般来说,只要有互补的变量送入同一个逻辑门就会产生冒险。

2021-04-19 22:28:16 7459

原创 2022届华为海思数字IC实习笔试题(回忆版)

2022届华为海思数字IC实习笔试题(回忆版)前不久参加了华为海思数字IC的笔试,题型全是选择题,30道单选,5道多选,60分钟,现在进行回忆总结,下面是一些我印象比较深的题目1、uvm sequence常用宏问题2、静态时序分析相对于动态时序分析的优点3、时序检查语句4、冯诺依曼结构和哈弗结构5、FPGA的基本逻辑单元CLB或LAB可以实现的电路功能6、半导体带中发现电子的几率为0,判断该半导体属性7、锁存器Latch8、32位数据移位计算9、覆盖率问题10、$write换行问题1

2021-04-17 09:59:24 8545 2

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2021-04-16 22:06:37 2644 1

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**SDRAM,DDR1,DDR2,DDR3,DDR4的区别及其特点**SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):为同步动态随机存取内存,是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据,因为刷新(Refr

2021-04-16 19:29:40 5964

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