问题：Nand作为存储介质，读写出错

已于 2024-04-12 09:15:01 修改
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分类专栏： 设备类驱动层之MSC类 文章标签： fpga开发 USB MSC NAND
于 2024-04-11 20:37:40 首次发布
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本文详细描述了在验证过程中遇到的testchip和FPGA问题，包括NAND存储介质的读写问题、GPIO冲突导致的数据错误，以及U盘数据完整性问题。通过协议分析和层次调用关系的debug，揭示了内存到USB的传输错误。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一、验证testchip的时候遇到的问题

格式化失败，经分析(协议分析仪上总线的数据)，有两个原因：(1)Disk IO Cache层的实现有问题 (2)NAND存储介质的读写有问题。

二、FPGA遇到的问题

1. 问题1：无法格式化

格式化失败，无法格式化！

1.1 协议分析仪

Debug方法：PC端通过USB格式化存储介质的过程大致是：会写特定扇区(连续写1/4/8…个块)，然后又从该读回数据；这是Debug的突破口。可以分析协议分析仪上的数据，也可以在程序中

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[SSD NAND 3.1] 存储介质闪存_闪存的组成结构_NAND_Flash工作原理
串起点滴
11-20 2378
Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，即使断电了，也不会丢失. 对于NAND Flash的写入（编程)，使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示0。 对于NAND Flash的擦除(Erase)，就是对悬浮门放电，低于阀值Vth，就表示1。 挑战主要在 1.需要先擦除才能写入。 2.损耗机制，有耐久度限制。 3.读写时候造成的干扰会造成数据出错。 4.数据的保存期。 5.对初始和运行时候的坏块管理。
freertos nand flash 读取错误_Flash失效小谈
weixin_36178216的博客
12-27 1736
SOC中往往会集成供应商flash芯片，但完成可靠性实验后偶尔会遇到code丢失，bit翻转等问题，接下来，我们聊一聊flash失效机理及一些可靠性实验。 要分析flash的失效机理，需要先清楚其工作机理：读、写、擦除等。 Flash分为NAND flash和NOR flash。均是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数...
nand flash读写出现好多错误
qingfengtsing的专栏
02-24 2809
在u-boot下输入命令： nand read 0x800000 0 0x800 结果出来好多信息 查了一些信息，是没有nand flash标志位 标志位用来表示nand flash是大页还是小页 CFG_NAND_OR_PRELIM 的宏添加 OR_FCM_PGS 即可
基于Nand Flash的UBIFS多任务读写错误
gp_scorpius
11-14 7829
在Nand Flash上创建UBIFS格式的文件系统，用于存储系统的历史数据。 测试发现，在多任务操作Nand Flash的过程中，会有比较大的概率导致nand flash错误。 在Linux Kernel的menuconfig中，配置选项 Device Drivers-> Memory Technology Device (MTD) support -> NAND Device Support->Verify NAND page writes 用来配置在nand flash写入时，是否进行额外的校验.
nand flash 裸数据读写的错误规避方法
chengf223的博客
06-03 2485
在系统升级过程中往往需要对flash进行裸数据的标记读写，对于nand flash 的系统不能像nor flash一样在任意位置上进行裸数据读写，如果Nand flash存在坏块，并且正好处于读写的位置上，数据就比较容易出错了。nand flash 存在坏块特性，往往在底层驱动去对坏块的规避处理，但是对于非文件系统的nand flash往往因为坏块的存在，产生读写地址的偏差导致裸数据读写的错误，因此nand flash 不建议采用离散增量写的方式，避免因为坏块的存在，实际地址发生偏差。对于小于...
nand flash CRC16 错误
H18025856950的博客
08-08 1069
数据一致性问题：如果使用NAND Flash存储关键数据，例如文件系统的元数据或数据库的索引，CRC16错误可能会导致数据不一致，进而影响系统正常运行。2、芯片损坏：NAND Flash芯片可能会因为环境问题、静电击穿、电压异常等原因受损，这可能导致存储在芯片中的数据被破坏，CRC校验错误就可能会发生。当芯片达到寿命极限时，数据可能会发生错误，从而导致CRC16错误。6、数据恢复困难：如果数据已经发生错误，恢复正确的数据可能会很困难，尤其是当错误发生在重要数据或文件上时，可能会导致数据丢失。
SD NAND异常问题案例---文件系统篇
最新发布
mkfounder的博客
06-14 464
时遭遇了读写异常的问题。在尝试创建新的文本文件时，其中两片芯片无法完成操作并出现错误提示，而另一片虽然成功创建了新文件，但在尝试创建第二个文件时也遭遇了失败，与前两片芯片出现了相同的问题。我们的产品线涵盖了各种主流容量和接口的存储解决方案，包括SD NAND、eMMC和存储卡等，广泛应用于工业、汽车电子、医疗、电力、智能穿戴等多个领域。MK米客方德掌握着尖端的NAND Flash管理技术，包括ECC错误校正、坏块管理、磨损均衡算法和掉电保护等，这些技术显著提高了产品的速度和系统的整体性能。
NAND channel
11-18
NAND闪存是现代电子设备中广泛使用的存储介质，常见于固态硬盘（SSD）、USB驱动器、智能手机和平板电脑等。本篇文章将深入探讨NAND通道及其相关的编程实践。 首先，我们需要了解NAND闪存的基本结构。NAND闪存由一...
一种避免对flash分区频繁读写的方法.pdf
08-30
传统的嵌入式Linux系统中常用nandflash作为根文件系统的存储介质，系统在启动和运行过程中经常会涉及到文件系统分区数据的操作，如加载程序、缓存等。而nandflash本身擦除次数是有限的，当某个分区的经常写入会导致...
电子-nandflash.rar
09-05
6. **应用实例**：例如，在嵌入式系统中，NAND Flash可以作为操作系统、文件系统或应用程序的存储介质。使用STM32的HAL库或LL库，可以简化驱动编写，快速实现NAND Flash的读写操作。 总结来说，《电子-nandflash....
关于nand flash的地址 A8寻址
yoveldf的专栏
10-19 1016
在NAND Flash中有8个I/O引脚（IO0—IO7）、5个全能信号（nWE ALE CLE nCE nRE）、一个引脚，1个写保护引脚。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。对于64MB的NAND Flash，需要一个26位的地址。只能8个I/
NANDflash常见问题汇总
09-08 2630
转载：https://blog.csdn.net/MENGHUANBEIKE/article/details/87184421 掉程序（这里专指使用NAND flash的主板掉程序），这是一个让工程师浑身发毛的问题，特别是用着用着程序就没有了，往往这个时候很多工程师都无法下手，问题出现的时候你可能根本不在旁边，无法看到问题现象，而且通过测量信号也很难发现问题的原因，这个时候很多工程师可能会采用更换主板器件的方式，用排除法来定位问题，基本上换一个NAND flash就可以解决问题了。这个时候很多工程师可能.
FLASH写入出错问题记录
丨晋丨
07-28 3971
一、按页写入函数 ，不可跨页，根据地址写入 注意：地址+写入字节数 跨页了会写入出错！！！ /******************************************************************************* *名称：SPI_Flash_Write_Page(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint16_t NumByteToWrite) *输入：pBuffer ：数据存储区 WriteAddr
Nand Flash的特性及烧录问题
嵌入式大师之路
09-05 1739
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?为什么不能像Nor Flash一样接通过烧录器读取母片？…，等等，你是否了解过Nand Flash的特性吗?
全方位了解IC芯片测试流程，IC芯片自动化测试平台分享
namisoft123的博客
03-28 1731
由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，测试要求的条件大大降低。IC测试的设备，由于IC的生产量通常非常巨大，因此像万用表、示波器一类手工测试仪器是一定不能胜任的，目前的测试设备通常都是全自动化、多功能组合测量装置，并由程序控制，你基本上可以认为这些测试设备就是一台测量专用工业机器人。对于芯片面积大、良率高、封装成本低的芯片，通常可以不进行wafertest，而芯片面积小、良率低、封装成本高的芯片，Z好将很多测试放在wafertest环节，及早发现不良品，避免不良品混入封装环节，无谓地增加封装成本。
加速NAND Flash读取：优化技巧与高速策略
H18025856950的博客
01-08 700
通过采用页缓存、预读取、多通道并行读取、数据预处理等多种技术和策略，开发人员可以实现高效、稳定的数据读取。在设计和开发过程中，深入了解NAND Flash的特性和性能，以及合理选择和应用优化策略，可以为系统的读取速度提供持续提升的动力。预读取则是在读取一个页的同时，预先读取相邻页的数据，以利用数据在NAND Flash中的物理布局，提高读取效率。在读取数据之前，进行数据预处理和压缩可以减少需要读取的数据量，从而加快读取速度。通过采用合适的预取策略，可以减少读取操作的等待时间，提高数据的响应速度。
nandflash详述
kehui123的专栏
07-10 3122
转自http://blog.163.com/starjj_embeded/blog/static/20450005120122170425898/ 1. 硬件特性： 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memo
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