半桥驱动芯片
最近做锂电池充放电项目,碰巧了解到IRS2005半桥驱动芯片,在这里做下介绍:
IRS2005是一款高电压、高速功率MOSFET和具有独立高、低侧的IGBT驱动器
参考输出通道。支持逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTL输出,低至3.3V逻辑。输出
驱动器具有设计的高脉冲电流缓冲级以实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高达200V的高压侧配置中。
特征
•每个通道的门驱动电源高达20V
•VCC、VBS的欠电压锁定
•3.3 V、5 V、15 V输入逻辑兼容
•耐受负瞬态电压
•设计用于引导电源
•匹配的传播延迟
•输出与输入同相
•-40°C至125°C的工作范围
•符合RoHS
官方参考应用电路图。
控制上下MOS管的逻辑是先进先出原则,可以有效防止电路中逻辑电平的误触发,可以减少MOS管的损坏。
实际电路中应用电路。
RA1,RA2和在具体使用中,我们是用10Ω的电阻。此类电路一般配合NMOS管做升降压,具体的电路和参数还需要大家自行研究和实践。