stack heap irom iram flash

在看rt_thread官方教程第二节的时候讲到了动态内存分配，因为概念不清晰所以上网查了一下，现在做一个小结。

stack

栈，是编译器自动分配和释放的。
例如：
局部变量
int a;
char str[];
char *p;
这个a和str[]，指针p都是在栈里面管理的

有个小例外
char *p = “12345”
这里的指针p在栈里面，但是它指向的内容12345呢是在常量区的
链接: 什么是代码区、常量区、静态区（全局区）、堆区、栈区？.

heap

堆，是程序员自己分配的。
malloc和free

int main(void)
{
        char *p ;
        p = "1234aa5";
        printf("%p: %s\n",p,p);

        char*a=NULL;//声明一个指向a的char*类型的指针
        a=(char*)malloc(100*sizeof(char));//使用malloc分配内存首地址，然后赋值给a
        if(!a)//如果malloc失败，可以得到一些log
        {
                perror("malloc");
                return-1;
        }
        sprintf(a,"%s","HelloWorld\n");//"HelloWorld\n"写入a指向的地址
        printf("%s\n",a);//输出用户输入的数据
        free(a);//释放掉使用的内存地址
        return 0;
}

动态内存区

就是stack和heap放置的地方了

静态内存区

里面放的是一些全局变量和被static修饰的变量

常量区

就是写代码的时候写死的一些常量，不能改的。

图像里面直观看iROM和iRAM

ROM 和 RAM

IROM : internal ROM
IRAM : internal RAM

ROM : READ ONLY MEMORY ,只读的存储器
RAM：RANDOM ACCESS MEMORY 随机访问的存储器（可读写）

其实IROM和IRAM本质上还是ROM和RAM。

ROM可以理解为写好的程序就丢在这里，掉电不会消失的。
RAM理解为运行内存，开机的时候程序是把自己搬到内存里面去运行的。

SRAM和DRAM

SRAM是static的RAM，DRAM是dynamic的RAM，本质上两个都是RAM，都是掉电失去内容的。
RAM里面的0和1是晶体管跟电容去控制的

1.SRAM的0跟1要很多个晶体管和电容去控制，比较复杂，带来的好处是速度快，不用频繁去刷新电路就可以存取了，而且不用初始化就能用了。

2.DRAM比SRAM简单，0跟1只要一个晶体管或者电容就可以控制了，结构简单，容量大，但是用时候要先初始化。

3.DRAM往上升级就是SDRAM，这个S是synchronize的意思，反正比DRAM更快更强了

4.网上就是DDR SDRAM ，double data rate SDRAM ，还有DDR2 DDR3 DDR4，越来越强的。

Flash

Flash指的是非易失闪存，可以理解向硬盘一样，但是又不能把它当成跟ROM一样，如果一样为什么要起不同的名字呢？

怎么去理解Flash？
链接: ROM, FLASH和RAM的区别.

Flash特性：

1. 可擦除可编程，跟EEPROM一样

2. 断电不会丢失

3. 可以快速读取数据

4. Flash跟EEPROM最大的区别是Flash按扇区操作，相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位

Flash有两种：

1. NOR Flash

a. 用户可以直接运行装载在NOR Flash中的代码（主要是因为有XIP技术，片上执行，不像NAND flash得将代码复制到RAM中才可以执行），这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

b. 地址线和数据线分开，可以实现RAM一样的随机寻址，可以读取任意一个字节

c. 但擦除还是要以块为单位

2. NADN Flash

a. 数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页

总而言之，NOR flash和NAND flash比较，NOR可以支持随机访问，支持XIP，NAND不行；NOR容量小，读的比NAND快；NAND的容量较大，虽然读起来也快；NOR 写擦除都很慢，所以一般放代码段，而NAND写和擦除都很快，所以没有这个应用上的限制。