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微电子电路笔记
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微电子电路第三章作业
CMOS反相器的分析与设计题目一题目二题目三题目四题目五题目六题目一计算图中反相器平均传输延迟tpt_ptp,上升时延trt_rtr,下降时延tft_ftf,其中CL=1pFC_L=1pFCL=1pF解:由左图可以得出,对于PMOS管来说VG=Vin,VD=Vout,VS=VDD=2.5v,(WL)P=51V_G=V_{in},V_D=V_{out},V_S=V_{DD}=2.5v...原创 2019-12-02 10:43:04 · 846 阅读 · 0 评论 -
微电子电路第二章作业
CMOS集成电路中的基本元件题目一题目二参考网址题目三题目四题目五题目一以 N 型半导体为例,它的多数载流子是自由电子,即自由电子浓度 n>空穴浓度 p,那么它是否保持电中性?为什么?答:仍保持电中性;首先明确概念,在本征半导体中,由于本征激发,产生的自由电子数恒等于空穴数。N型半导体是指在硅或锗的晶体中掺入了少量的V族元素作为杂质元素,如磷、锑、砷等,即构成N型半导体(或称之...原创 2019-11-13 20:34:48 · 681 阅读 · 0 评论