题目一
计算图中反相器平均传输延迟
t
p
t_p
tp,上升时延
t
r
t_r
tr,下降时延
t
f
t_f
tf,其中
C
L
=
1
p
F
C_L=1pF
CL=1pF
解:由左图可以得出,对于PMOS管来说 V G = V i n , V D = V o u t , V S = V D D = 2.5 v , ( W L ) P = 5 1 V_G=V_{in},V_D=V_{out},V_S=V_{DD}=2.5v,\left(\frac{W}{L}\right)_P=\frac{5}{1} VG=Vin,VD=Vout,VS=VDD=2.5v,(LW)P=15;对于NMOS管来说 V G = V i n , V D = V o u t , V S = 0 v , ( W L ) N = 2 1 V_G=V_{in},V_D=V_{out},V_S=0v,\left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{2}{1} VG=Vin,VD=Vout,VS=0v,(LW)N=12
由右图可以得到,PMOS管和NMOS管的阈值电压大小相等 V T N = − V T P = V T V_{TN}=-V_{TP}=V_T VTN=−VTP=VT,且 K N ′ = 2.5 K P ′ K'_N=2.5K'_P KN′=2.5KP′,又因为一般情况下PMOS管内空穴的迁移率是NMOS管内电子迁移率的40%,所以 K N = K P = K K_N=K_P=K KN=KP=K。所以该CMOS反相器是采用对称设计。其中 K = ( W L ) N K N ′ = 2 1 × 100 = 200 μ A / V 2 K=\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N=\frac{2}{1}\times100=200\mu A/V^2 K=(LW)NKN′=12×100=200μA/V2
此时上升时间 t r = 3.7 R o n P C L t_r=3.7R_{onP}C_L tr=3.7RonPCL,其中 R o n P = 1 K P ( V H + V T P ) R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)} RonP=KP(VH+VTP)1,所以 t r = 3.7 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 9.74 n s t_r=3.7\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=9.74ns tr=3.7×200×10−6×(2.5−0.6)1×1×10−12=9.74ns;
此时下降时间 t f = 3.7 R o n N C L t_f=3.7R_{onN}C_L tf=3.7RonNCL,其中 R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)} RonN=KN(VH−VTN)1,所以 t f = 3.7 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 9.74 n s t_f=3.7\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=9.74ns tf=3.7×200×10−6×(2.5−0.6)1×1×10−12=9.74ns;
此时上升延迟时间 t p L H = 1.2 R o n P C L t_{pLH}=1.2R_{onP}C_L tpLH=1.2RonPCL,其中 R o n P = 1 K P ( V H + V T P ) R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)} RonP=KP(VH+VTP)1,所以 t p L H = 1.2 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 3.16 n s t_{pLH}=1.2\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=3.16ns tpLH=1.2×200×10−6×(2.5−0.6)1×1×10−12=3.16ns;
此时下降延迟时间 t p H L = 1.2 R o n N C L t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L tpHL=1.2RonNCL,其中 R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)} RonN=KN(VH−VTN)1,所以 t p H L = 1.2 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 3.16 n s t_{pHL}=1.2\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=3.16ns tpHL=1.2×200×10−6×(2.5−0.6)1×1×10−12=3.16ns;
所以平均延迟时间 t p = t p L H + t p H L 2 = 3.16 n s t_p=\frac{t_{pLH}+t_{pHL}}{2}=3.16ns tp=2tpLH+tpHL=3.16ns
题目二
在这道题中,我们设计一个能达到期望延迟值的对称反相器。
设计要求:设计一个对称反相器的
(
W
L
)
N
,
(
W
L
)
P
\left(\frac{W}{L}\right)_N,\left(\frac{W}{L}\right)_P
(LW)N,(LW)P,使其在电源电压为3.3V、驱动负载为0.2pF时,平均传输延迟为250ps。假设CMOS工艺的阈值电压为
V
T
N
=
−
V
T
P
=
V
T
=
0.75
v
V_{TN}=-V_{TP}=V_T=0.75v
VTN=−VTP=VT=0.75v
( 假设
K
N
′
=
100
μ
A
/
V
2
,
K
P
′
=
40
μ
A
/
V
2
K'_N=100\mu A/V^2,K'_P=40\mu A/V^2
KN′=100μA/V2,KP′=40μA/V2)
解:
根据结论可以得知,当CMOS采用对称设计时, K N = K P = K , V T N = − V T P = V T K_N=K_P=K,V_{TN}=-V_{TP}=V_T KN=KP=K,VTN=−VTP=VT,此时平均传输延迟时间=下降延迟时间=上升延迟时间,即 t p = t p H L = t p L H t_p=t_{pHL}=t_{pLH} tp=tpHL=tpLH,其中 t p H L = 1.2 R o n N C L , R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) , K N = ( W L ) N K N ′ t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L,R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)},K_N=\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N tpHL=1.2RonNCL,RonN=KN(VH−VTN)1,KN=(LW)NKN′。
所以
t
p
=
1.2
C
L
(
W
L
)
N
K
N
′
(
V
H
−
V
T
N
)
t_p=\frac{1.2C_L}{\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N\left(V_H-V_{TN}\right)}
tp=(LW)NKN′(VH−VTN)1.2CL;
根据已知条件可以得到
(
W
L
)
N
=
1.2
C
L
t
p
K
N
′
(
V
H
−
V
T
N
)
=
1.2
×
0.2
×
1
0
−
12
250
×
1
0
−
12
×
100
×
1
0
−
6
×
(
3.3
−
0.75
)
≈
3.76
\left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{1.2C_L}{t_pK'_N\left(V_H-V_{TN}\right)}=\frac{1.2\times0.2\times10^{-12}}{250\times10^{-12}\times100\times10^{-6}\times\left(3.3-0.75\right)}\approx3.76
(LW)N=tpKN′(VH−VTN)1.2CL=250×10−12×100×10−6×(3.3−0.75)1.2×0.2×10−12≈3.76,所以
(
W
L
)
P
=
2.5
(
W
L
)
N
≈
9.41
\left(\frac{W}{L}\right)_P=2.5\left(\frac{W}{L}\right)_N\approx9.41
(LW)P=2.5(LW)N≈9.41
题目三
要使得反相器上升和下降时间相等,上拉和下拉的导通电阻需要相等。请验证在第2题中,导通电阻
R
o
n
N
R_{onN}
RonN和
R
o
n
P
R_{onP}
RonP相等。
解:
输入从高电平跃变到低电平时,PMOS导通,NMOS截止,PMOS先在饱和区,然后线性区,对电容
C
L
C_L
CL充电。(一开始电流很大,后面变小)
输入从低电平跃变到高电平时,NMOS导通,PMOS截止,NMOS先在饱和区,然后线性区,对电容
C
L
C_L
CL放电。(一开始电流很大,后面变小)
根据上升时间和下降时间公式
t
r
=
3.7
R
o
n
P
C
L
,
R
o
n
P
=
1
K
P
(
V
H
+
V
T
P
)
,
t
f
=
3.7
R
o
n
N
C
L
,
R
o
n
N
=
1
K
N
(
V
H
−
V
T
N
)
t_r=3.7R_{onP}C_L,R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)},t_f=3.7R_{onN}C_L,R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)}
tr=3.7RonPCL,RonP=KP(VH+VTP)1,tf=3.7RonNCL,RonN=KN(VH−VTN)1,因为上升和下降时间相等,即
t
r
=
t
f
t_r=t_f
tr=tf,所以可以得到
R
o
n
N
=
R
o
n
P
R_{onN}=R_{onP}
RonN=RonP。
题目四
利用第3题得到的结果,进行SPICE仿真,发现大约有280ps的传输延迟。这是因为计算公式,要求输入的是理想阶跃函数。利用仿真结果,求实际达到250ps的平均传输延迟,所需要的
(
W
L
)
N
,
(
W
L
)
P
\left(\frac{W}{L}\right)_N,\left(\frac{W}{L}\right)_P
(LW)N,(LW)P。
(关于延迟
t
p
t_p
tp等相应计算公式,请参见课件,如:
t
p
H
L
=
1.2
R
o
n
N
C
L
t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L
tpHL=1.2RonNCL。 单位转换:
s
/
F
→
Ω
s/F\to\Omega
s/F→Ω)
解:
根据公式
(
W
L
)
′
=
(
W
L
)
×
(
t
p
r
e
f
t
p
′
)
×
(
C
L
′
C
L
r
e
f
)
\left(\frac{W}{L}\right)'=\left(\frac{W}{L}\right)\times\left(\frac{t_{pref}}{t_p'}\right)\times\left(\frac{C_L'}{C_{Lref}}\right)
(LW)′=(LW)×(tp′tpref)×(CLrefCL′),
此时
C
L
′
=
C
L
r
e
f
,
t
p
r
e
f
=
250
p
s
,
t
p
′
=
280
p
s
,
(
W
L
)
N
′
=
3.76
,
(
W
L
)
P
′
=
9.41
C_L'=C_{Lref},t_{pref}=250ps,t_p'=280ps,\left(\frac{W}{L}\right)'_N=3.76,\left(\frac{W}{L}\right)'_P=9.41
CL′=CLref,tpref=250ps,tp′=280ps,(LW)N′=3.76,(LW)P′=9.41,
所以
(
W
L
)
N
=
28
25
×
3.76
=
4.2112
,
(
W
L
)
P
=
28
25
×
9.41
=
10.5392
\left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{28}{25}\times3.76=4.2112,\left(\frac{W}{L}\right)_P=\frac{28}{25}\times9.41=10.5392
(LW)N=2528×3.76=4.2112,(LW)P=2528×9.41=10.5392
题目五
(1) 环形振荡器的用途?
(2) n(n为奇数)个反相器首尾相连构成环形振荡器,其工作频率为f, 每个反相器的平均传输延迟为
t
p
t_p
tp,请问f和n,
t
p
t_p
tp的关系是什么?
(3) 从电路工作频率理解对称反相器的优点是什么?
解:
(1)环形振荡器:可以用于测量电路的工作频率及延迟时间;
(2) f = 1 T = 1 6 t p f=\frac{1}{T}=\frac{1}{6t_p} f=T1=6tp1,普遍规律 t p = 1 2 n f t_p=\frac{1}{2nf} tp=2nf1,其中n是反相器的级数,它应该为奇数
(3)采用对称设计,平均延迟时间=(上升延迟时间+下降延迟时间)/2,频率稳定。
题目六
为了驱动大的负载电容,在反相器级联中,每一级后续的反相器中晶体管的都按增加,而负载电容
C
L
=
β
N
C
0
C_L=\beta^NC_0
CL=βNC0,其中,
C
0
C_0
C0是标准参考反相器的输入电容。假设指定节点的负载电容由下一个反相器的输入电容决定, 即第一个反相器负载电容为
β
C
0
\beta C_0
βC0,以此类推,如图所示。
(1) 列出
β
,
C
0
,
C
L
\beta,C_0,C_L
β,C0,CL的关系式子?
(2) 如果驱动负载电容
C
0
C_0
C0的单位尺寸反相器传输延迟为t,则上图每一级反相器的传输延迟为多少?
(3) N 级反相器的总传输延迟
t
B
t_B
tB为多少?(根据第(1)问,列出
t
B
,
t
,
N
,
C
0
,
C
L
t_B,t,N,C_0,C_L
tB,t,N,C0,CL 的关系式子)
(4) 是否可以在第(3)问基础上,对变量 N 求导并当导数为 0 时,得到
t
B
t_B
tB最优时,对应的 N? (提示:t,
C
0
C_0
C0,
C
L
C_L
CL 为已知项;在求导之前,可对式子两边取对数 ln,简化运算)
解:
(1)由题意得到
C
L
=
β
N
C
0
C_L=\beta^NC_0
CL=βNC0
(2)第一级反相器的传输延迟为 t 1 = β 1 t = β t t_1=\frac{\beta}{1}t=\beta t t1=1βt=βt;第i级反相器的传输延迟为 t i = β i β i − 1 t = β t ( i = 1 , 2 , … , N ) t_i=\frac{\beta^i}{\beta^{i-1}}t=\beta t\left(i=1,2,…,N\right) ti=βi−1βit=βt(i=1,2,…,N)
(3)由 C L = β N C 0 , t B = N β t C_L=\beta^NC_0,t_B=N\beta t CL=βNC0,tB=Nβt,得到 t B = N ( C L C 0 ) 1 N t t_B=N\left(\frac{C_L}{C_0}\right)^{\frac{1}{N}}t tB=N(C0CL)N1t
(4)对等式两边取对数得到 l n t B = l n N + 1 N l n C L C 0 + l n t lnt_B=lnN+\frac{1}{N}ln\frac{C_L}{C_0}+lnt lntB=lnN+N1lnC0CL+lnt;等式两边对N求导得到 d l n t b d N = 1 N − 1 N 2 l n C L C 0 = 0 \frac{dlnt_b}{dN}=\frac{1}{N}-\frac{1}{N^2}ln\frac{C_L}{C_0}=0 dNdlntb=N1−N21lnC0CL=0,解得 N = l n C L C 0 N=ln\frac{C_L}{C_0} N=lnC0CL,即当 N = l n C L C 0 N=ln\frac{C_L}{C_0} N=lnC0CL时, t B t_B tB取得最小值