微电子电路第三章作业

题目一

计算图中反相器平均传输延迟 t p t_p tp,上升时延 t r t_r tr,下降时延 t f t_f tf,其中 C L = 1 p F C_L=1pF CL=1pF
在这里插入图片描述在这里插入图片描述

解:由左图可以得出,对于PMOS管来说 V G = V i n , V D = V o u t , V S = V D D = 2.5 v , ( W L ) P = 5 1 V_G=V_{in},V_D=V_{out},V_S=V_{DD}=2.5v,\left(\frac{W}{L}\right)_P=\frac{5}{1} VG=Vin,VD=Vout,VS=VDD=2.5v,(LW)P=15;对于NMOS管来说 V G = V i n , V D = V o u t , V S = 0 v , ( W L ) N = 2 1 V_G=V_{in},V_D=V_{out},V_S=0v,\left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{2}{1} VG=Vin,VD=Vout,VS=0v,(LW)N=12

由右图可以得到,PMOS管和NMOS管的阈值电压大小相等 V T N = − V T P = V T V_{TN}=-V_{TP}=V_T VTN=VTP=VT,且 K N ′ = 2.5 K P ′ K'_N=2.5K'_P KN=2.5KP,又因为一般情况下PMOS管内空穴的迁移率是NMOS管内电子迁移率的40%,所以 K N = K P = K K_N=K_P=K KN=KP=K。所以该CMOS反相器是采用对称设计。其中 K = ( W L ) N K N ′ = 2 1 × 100 = 200 μ A / V 2 K=\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N=\frac{2}{1}\times100=200\mu A/V^2 K=(LW)NKN=12×100=200μA/V2

此时上升时间 t r = 3.7 R o n P C L t_r=3.7R_{onP}C_L tr=3.7RonPCL,其中 R o n P = 1 K P ( V H + V T P ) R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)} RonP=KP(VH+VTP)1,所以 t r = 3.7 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 9.74 n s t_r=3.7\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=9.74ns tr=3.7×200×106×(2.50.6)1×1×1012=9.74ns

此时下降时间 t f = 3.7 R o n N C L t_f=3.7R_{onN}C_L tf=3.7RonNCL,其中 R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)} RonN=KN(VHVTN)1,所以 t f = 3.7 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 9.74 n s t_f=3.7\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=9.74ns tf=3.7×200×106×(2.50.6)1×1×1012=9.74ns

此时上升延迟时间 t p L H = 1.2 R o n P C L t_{pLH}=1.2R_{onP}C_L tpLH=1.2RonPCL,其中 R o n P = 1 K P ( V H + V T P ) R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)} RonP=KP(VH+VTP)1,所以 t p L H = 1.2 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 3.16 n s t_{pLH}=1.2\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=3.16ns tpLH=1.2×200×106×(2.50.6)1×1×1012=3.16ns

此时下降延迟时间 t p H L = 1.2 R o n N C L t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L tpHL=1.2RonNCL,其中 R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)} RonN=KN(VHVTN)1,所以 t p H L = 1.2 × 1 200 × 1 0 − 6 × ( 2.5 − 0.6 ) × 1 × 1 0 − 12 = 3.16 n s t_{pHL}=1.2\times\frac{1}{200\times10^{-6}\times\left(2.5-0.6\right)}\times1\times10^{-12}=3.16ns tpHL=1.2×200×106×(2.50.6)1×1×1012=3.16ns

所以平均延迟时间 t p = t p L H + t p H L 2 = 3.16 n s t_p=\frac{t_{pLH}+t_{pHL}}{2}=3.16ns tp=2tpLH+tpHL=3.16ns

题目二

在这道题中,我们设计一个能达到期望延迟值的对称反相器。
设计要求:设计一个对称反相器的 ( W L ) N , ( W L ) P \left(\frac{W}{L}\right)_N,\left(\frac{W}{L}\right)_P (LW)N,(LW)P,使其在电源电压为3.3V、驱动负载为0.2pF时,平均传输延迟为250ps。假设CMOS工艺的阈值电压为 V T N = − V T P = V T = 0.75 v V_{TN}=-V_{TP}=V_T=0.75v VTN=VTP=VT=0.75v
( 假设 K N ′ = 100 μ A / V 2 , K P ′ = 40 μ A / V 2 K'_N=100\mu A/V^2,K'_P=40\mu A/V^2 KN=100μA/V2KP=40μA/V2
解:

根据结论可以得知,当CMOS采用对称设计时, K N = K P = K , V T N = − V T P = V T K_N=K_P=K,V_{TN}=-V_{TP}=V_T KN=KP=KVTN=VTP=VT,此时平均传输延迟时间=下降延迟时间=上升延迟时间,即 t p = t p H L = t p L H t_p=t_{pHL}=t_{pLH} tp=tpHL=tpLH,其中 t p H L = 1.2 R o n N C L , R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) , K N = ( W L ) N K N ′ t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L,R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)},K_N=\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N tpHL=1.2RonNCL,RonN=KN(VHVTN)1,KN=(LW)NKN

所以 t p = 1.2 C L ( W L ) N K N ′ ( V H − V T N ) t_p=\frac{1.2C_L}{\left(\frac{W}{L}\right)_NK'_N\left(V_H-V_{TN}\right)} tp=(LW)NKN(VHVTN)1.2CL
根据已知条件可以得到 ( W L ) N = 1.2 C L t p K N ′ ( V H − V T N ) = 1.2 × 0.2 × 1 0 − 12 250 × 1 0 − 12 × 100 × 1 0 − 6 × ( 3.3 − 0.75 ) ≈ 3.76 \left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{1.2C_L}{t_pK'_N\left(V_H-V_{TN}\right)}=\frac{1.2\times0.2\times10^{-12}}{250\times10^{-12}\times100\times10^{-6}\times\left(3.3-0.75\right)}\approx3.76 (LW)N=tpKN(VHVTN)1.2CL=250×1012×100×106×(3.30.75)1.2×0.2×10123.76,所以 ( W L ) P = 2.5 ( W L ) N ≈ 9.41 \left(\frac{W}{L}\right)_P=2.5\left(\frac{W}{L}\right)_N\approx9.41 (LW)P=2.5(LW)N9.41

题目三

要使得反相器上升和下降时间相等,上拉和下拉的导通电阻需要相等。请验证在第2题中,导通电阻 R o n N R_{onN} RonN R o n P R_{onP} RonP相等。
解:
输入从高电平跃变到低电平时,PMOS导通,NMOS截止,PMOS先在饱和区,然后线性区,对电容 C L C_L CL充电。(一开始电流很大,后面变小)
输入从低电平跃变到高电平时,NMOS导通,PMOS截止,NMOS先在饱和区,然后线性区,对电容 C L C_L CL放电。(一开始电流很大,后面变小)
根据上升时间和下降时间公式 t r = 3.7 R o n P C L , R o n P = 1 K P ( V H + V T P ) , t f = 3.7 R o n N C L , R o n N = 1 K N ( V H − V T N ) t_r=3.7R_{onP}C_L,R_{onP}=\frac{1}{K_P\left(V_H+V_{TP}\right)},t_f=3.7R_{onN}C_L,R_{onN}=\frac{1}{K_N\left(V_H-V_{TN}\right)} tr=3.7RonPCL,RonP=KP(VH+VTP)1,tf=3.7RonNCL,RonN=KN(VHVTN)1,因为上升和下降时间相等,即 t r = t f t_r=t_f tr=tf,所以可以得到 R o n N = R o n P R_{onN}=R_{onP} RonN=RonP

题目四

利用第3题得到的结果,进行SPICE仿真,发现大约有280ps的传输延迟。这是因为计算公式,要求输入的是理想阶跃函数。利用仿真结果,求实际达到250ps的平均传输延迟,所需要的 ( W L ) N , ( W L ) P \left(\frac{W}{L}\right)_N,\left(\frac{W}{L}\right)_P (LW)N,(LW)P
(关于延迟 t p t_p tp等相应计算公式,请参见课件,如: t p H L = 1.2 R o n N C L t_{pHL}=1.2R_{onN}C_L tpHL=1.2RonNCL。 单位转换: s / F → Ω s/F\to\Omega s/FΩ
解:
根据公式 ( W L ) ′ = ( W L ) × ( t p r e f t p ′ ) × ( C L ′ C L r e f ) \left(\frac{W}{L}\right)'=\left(\frac{W}{L}\right)\times\left(\frac{t_{pref}}{t_p'}\right)\times\left(\frac{C_L'}{C_{Lref}}\right) (LW)=(LW)×(tptpref)×(CLrefCL)
此时 C L ′ = C L r e f , t p r e f = 250 p s , t p ′ = 280 p s , ( W L ) N ′ = 3.76 , ( W L ) P ′ = 9.41 C_L'=C_{Lref},t_{pref}=250ps,t_p'=280ps,\left(\frac{W}{L}\right)'_N=3.76,\left(\frac{W}{L}\right)'_P=9.41 CL=CLref,tpref=250ps,tp=280ps,(LW)N=3.76,(LW)P=9.41
所以 ( W L ) N = 28 25 × 3.76 = 4.2112 , ( W L ) P = 28 25 × 9.41 = 10.5392 \left(\frac{W}{L}\right)_N=\frac{28}{25}\times3.76=4.2112,\left(\frac{W}{L}\right)_P=\frac{28}{25}\times9.41=10.5392 (LW)N=2528×3.76=4.2112,(LW)P=2528×9.41=10.5392

题目五

(1) 环形振荡器的用途?
(2) n(n为奇数)个反相器首尾相连构成环形振荡器,其工作频率为f, 每个反相器的平均传输延迟为 t p t_p tp,请问f和n, t p t_p tp的关系是什么?
(3) 从电路工作频率理解对称反相器的优点是什么?

解:
(1)环形振荡器:可以用于测量电路的工作频率及延迟时间;

(2) f = 1 T = 1 6 t p f=\frac{1}{T}=\frac{1}{6t_p} f=T1=6tp1,普遍规律 t p = 1 2 n f t_p=\frac{1}{2nf} tp=2nf1,其中n是反相器的级数,它应该为奇数

(3)采用对称设计,平均延迟时间=(上升延迟时间+下降延迟时间)/2,频率稳定。

题目六

为了驱动大的负载电容,在反相器级联中,每一级后续的反相器中晶体管的都按增加,而负载电容 C L = β N C 0 C_L=\beta^NC_0 CL=βNC0,其中, C 0 C_0 C0是标准参考反相器的输入电容。假设指定节点的负载电容由下一个反相器的输入电容决定, 即第一个反相器负载电容为 β C 0 \beta C_0 βC0,以此类推,如图所示。
在这里插入图片描述
(1) 列出 β , C 0 , C L \beta,C_0,C_L β,C0,CL的关系式子?
(2) 如果驱动负载电容 C 0 C_0 C0的单位尺寸反相器传输延迟为t,则上图每一级反相器的传输延迟为多少?
(3) N 级反相器的总传输延迟 t B t_B tB为多少?(根据第(1)问,列出 t B , t , N , C 0 , C L t_B,t,N,C_0,C_L tB,t,N,C0,CL 的关系式子)
(4) 是否可以在第(3)问基础上,对变量 N 求导并当导数为 0 时,得到 t B t_B tB最优时,对应的 N? (提示:t, C 0 C_0 C0, C L C_L CL 为已知项;在求导之前,可对式子两边取对数 ln,简化运算)

解:
(1)由题意得到 C L = β N C 0 C_L=\beta^NC_0 CL=βNC0

(2)第一级反相器的传输延迟为 t 1 = β 1 t = β t t_1=\frac{\beta}{1}t=\beta t t1=1βt=βt;第i级反相器的传输延迟为 t i = β i β i − 1 t = β t ( i = 1 , 2 , … , N ) t_i=\frac{\beta^i}{\beta^{i-1}}t=\beta t\left(i=1,2,…,N\right) ti=βi1βit=βt(i=1,2,,N)

(3)由 C L = β N C 0 , t B = N β t C_L=\beta^NC_0,t_B=N\beta t CL=βNC0,tB=Nβt,得到 t B = N ( C L C 0 ) 1 N t t_B=N\left(\frac{C_L}{C_0}\right)^{\frac{1}{N}}t tB=N(C0CL)N1t

(4)对等式两边取对数得到 l n t B = l n N + 1 N l n C L C 0 + l n t lnt_B=lnN+\frac{1}{N}ln\frac{C_L}{C_0}+lnt lntB=lnN+N1lnC0CL+lnt;等式两边对N求导得到 d l n t b d N = 1 N − 1 N 2 l n C L C 0 = 0 \frac{dlnt_b}{dN}=\frac{1}{N}-\frac{1}{N^2}ln\frac{C_L}{C_0}=0 dNdlntb=N1N21lnC0CL=0,解得 N = l n C L C 0 N=ln\frac{C_L}{C_0} N=lnC0CL,即当 N = l n C L C 0 N=ln\frac{C_L}{C_0} N=lnC0CL时, t B t_B tB取得最小值

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