微电子电路第二章作业

题目一

以 N 型半导体为例，它的多数载流子是自由电子，即自由电子浓度 n>空
穴浓度 p，那么它是否保持电中性？为什么？
答：

• 仍保持电中性；
• 首先明确概念，在本征半导体中，由于本征激发，产生的自由电子数恒等于空穴数。N型半导体是指在硅或锗的晶体中掺入了少量的V族元素作为杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体（或称之为电子型半导体）
• 从宏观上讲，本征半导体是呈电中性的，掺入的杂质原子也是呈电中性的，所以最终得到的N型半导体也是呈电中性的；
• 从微观上讲，N型半导体的自由电子浓度远远高于空穴浓度，所以在N型半导体中，自由电子是多子，空穴是少子；原子核外有5个价电子的原子，其中四个分别与硅形成共价键，多余一个电子只受原子核的束缚，在室温下会发生电离挣脱原子核的束缚，产生自由电子和正离子；自由电子数=正离子数+空穴数；因为自由电子带负电，正离子和空穴都带相同电量的正电，故N型半导体仍保持电中性。

题目二

已知半导体同时掺杂施主杂质（浓度为$N_D$，表示每$c{m}^3$施主原子个数）
和受主杂质（浓度为$N_A$，表示每$c{m}^3$受主原子个数）。为了得到 n、p，
请回答以下问题。
（1） 请问在此半导体中，以下哪些是带正电的？（可多选） AD
A. 电离施主 B. 电离受主 C. 自由电子 D. 空穴
（2） 请问在此半导体中，以下哪些是带负电的？（可多选） BC
A. 电离施主 B. 电离受主 C. 自由电子 D. 空穴
（3） 已知 q 表示一个粒子电量（如空穴看作带+q 的粒子，电子看作带
-q 的粒子），结合（1）、（2），写出此半导体呈电中性的表达式。
答：

• 对于本征半导体而言，自由电子浓度恒等于空穴浓度
• 因为该半导体既掺杂了施主杂质又掺杂了受主杂质，所以需要分情况分析
• 对于施主杂质而言，自由电子数d=空穴数d+施主离子数。
• 对于受主杂质而言，空穴数a=自由电子数a+受主离子数。
• 由上述两个式子作减法可以得到自由电子数d+自由电子数a+受主离子数=空穴数d+空穴数a+施主离子数；即自由电子数+受主离子数=空穴数+施主离子数；如果杂质全部电离可以得到$n+N_A=p+N_D$，此时半导体呈电中性。

（4）已知$np=n_i^2$，$n_i$为已知的本征硅中自由电子浓度。结合（3），解方程组得到 n 的表达式。
答： 将$np=n_i^2$代入可求得$n=\frac{\left(N_D-N_A\right)+\sqrt{{\left(N_D-N_A\right)}^2+4n_i^2}}{2}$

参考网址

受主与施主

题目三

下图的 MOS 晶体管各是什么类型，标明每个 MOS 晶体管的栅、源、漏极，
分析它们的工作状态，设所有晶体管的阀值电压的绝对值都是 1V。

答：
（a）n沟道增强型，$V_G=5v，V_S=0v，V_D=2v；V_{GS}=5v，V_{DS}=2v，V_T=1v，$因为$V_{GS}>V_T$，所以是导通状态；$0<=V_{DS}<V_{GS}-V_T$，所以是线性区；
（b）n沟道增强型，$V_G=5v，V_S=0.4v，V_D=5v；V_{GS}=4.6v，V_{DS}=4.6v，V_T=1v，$因为$V_{GS}>V_T$，所以是导通状态；$V_{DS}>V_{GS}-V_T$，所以是饱和区；
（c）n沟道耗尽型，$V_G=1v，V_S=1v，V_D=5v；V_{GS}=0v，V_{DS}=4v，V_T=-1v，$因为$V_{GS}>V_T$，所以是导通状态；$V_{DS}>V_{GS}-V_T$，所以是饱和区；
（d）p沟道增强型，$V_G=2v，V_S=5v，V_D=4v；V_{GS}=-3v，V_{DS}=-1v，V_T=-1v$，因为$\left|V_{GS}\right|>\left|V_T\right|$，所以是导通状态，$\left|V_{DS}\right|<\left|V_{GS}-V_T\right|$，所以是线性区

题目四

如图所示，$M_1$和$M_2$两管串联，且$V_B<V_G-V_T<V_A$，
请问：
（1） 若都是 NMOS，它们各工作在什么状态？
（2） 若都是 PMOS，它们各工作在什么状态？
（3） 证明两管串联的等效导电因子是$K_{eff}=\frac{K_1{K}_2}{K_1+K_2}$

答：
（1）设中间节点为C。对于该n沟道增强型，$V_T>0$。首先分析电路是否导通或者截止，其次分析是位于线性区还是饱和区；当$V_c$比较小的时候，电荷会聚集到C点，使$V_c$上升。当$V_c$上升到大于$V_A$时，$M_1$管截止，$M_2$管会向下放电，使$V_c$下降。当$V_c<V_G-V_T$时，电路处于稳态，$M_1$管导通，$V_A-V_C>V_G-V_C-V_T$，所以$M_1$处于饱和区；此时对于$M_2$而言，$V_G-V_B>V_T$，$M_2$管导通，$V_C-V_B<V_G-V_B-V_T$，所以$M_2$处于线性区。
（2）对于该p沟道增强型，$V_T<0$；首先分析电路是否导通或者截止，其次分析是位于线性区还是饱和区；当$V_c$比较高的时候，负电荷向C点聚集，$V_c$下降；当$V_c$下降到小于$V_B$时，$M_2$管截止，$M_1$管向下给$V_c$充电；当$V_c>V_G-V_T$时，电路处于稳态，$M_2$导通，$V_B-V_C<V_G-V_T-V_C$，所以$M_2$处于饱和区；此时对于$M_1$而言，$V_G-V_A<V_T$，$M_1$导通，$V_C-V_A>V_G-V_A-V_T$，所以$M_1$处于线性区。
（3）此题以NMOS管为例，两个NMOS管等效为一个NMOS管后，根据$V_B<V_G-V_T<V_A$得，该等效管工作于饱和区。故有以下方程$$I_{D1}=K_1{\left(V_G-V_T-V_C\right)}^2$$
$$I_{D2}=K_2\left[{\left(V_G-V_T-V_B\right)}^2-{\left(V_G-V_T-V_C\right)}^2\right]$$
$$I_{Deff}=K_{eff}{\left(V_G-V_T-V_B\right)}^2$$
则有$\frac{I_{D1}}{K_1}+\frac{I_{D2}}{K_2}=\frac{I_{Deff}}{K_{eff}}$，由$I_{D1}=I_{D2}=I_{Deff}$知 $K_{eff}=\frac{K_1{K}_2}{K_1+K_2}$

题目五

标准 $0.13\mu m$ CMOS 工艺，PMOS 管 $\frac{W}{L}=\frac{0.4\mu m}{0.2\mu m}，t_{ox}＝2.6nm$，空穴迁移率 ${\mu }_p=80c{m}^2/V\cdot s$，阈值电压 $V_T=-0.3V$，利用手算，对于 $V_{GS}=-1.2V,-0.8V,0V$，分别画出 $I_{DS}$ 和 $V_{DS}$ 的关系曲线。
答：

公式$$I_D=\beta \left[\left(V_{GS}-V_T\right)V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2\right]（线性区）$$
$$I_D=\frac{\beta }{2}{\left(V_{GS}-V_T\right)}^2（饱和区）$$
$$\beta =\frac{W}{L}{\mu }_{eff}{C}_{ox},C_{ox}=\frac{{ϵ}_0{ϵ}_{ox}}{t_{ox}}$$
导电因子$\beta ={\mu }_n{C}_{ox}\frac{W}{L}=80\times \frac{3.9\times 8.85\times 10^{-14}}{2.6\times 10^{-7}}\left(\frac{W}{L}\right)=106\left(\frac{W}{L}\right)\left(\mu A\cdot V^{-2}\right)$

对于该PMOS管，阈值电压 $V_T=-0.3V$，利用手算，对于 $V_{GS}=-1.2v$，由于$\left|V_{GS}\right|>\left|V_T\right|$，所以处于导通状态。$V_{DS}$的临界值为$V_{GS}-V_T=-0.9v$，即$V_{DS}\le -0.9v$，则处于饱和区，$-0.9v<V_{DS}\le 0$则处于线性区。处于线性区时，$I_D=\beta \left[\left(V_{GS}-V_T\right)V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2\right]=106\times 2\left(-0.9V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2\right)$；处于饱和区时，$I_D=\frac{\beta }{2}{\left(V_{GS}-V_T\right)}^2=106\times {\left(-0.9\right)}^2=85.86$

对于$V_{GS}=-0.8v$，由于$\left|V_{GS}\right|>\left|VT\right|$，所以处于导通状态。$V_{DS}$的临界值为$V_{GS}-V_T=-0.5v$，即$V_{DS}\le -0.5v$则处于饱和区，$-0.5v<V_{DS}\le 0$则处于线性区。处于线性区时，$I_D=\beta \left[\left(V_{GS}-V_T\right)V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2\right]=106\times 2\left(-0.5V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2\right)$；处于饱和区时，$I_D=\frac{\beta }{2}{\left(V_{GS}-V_T\right)}^2=106\times {\left(-0.5\right)}^2=26.5$

对于$V_{GS}=0v$，由于$\left|V_{GS}\right|<\left|VT\right|$，所以处于截止状态。