STM8S003F3 UFQFPN20 ADC采样电压

• 芯片封装图

下面是摘自官方手册的原理图常见的资源基本都有，性能相对也还可以，只不过FLASH程序烧录只有100次，可能不是特别适合新人使用，不过100次的烧写一把而言是绰绰有余。纵观最近几年很少有芯片烧写超过50次。

• 硬件需注意事项

因为产片应用于小车，大概时5厘米不到的尺寸，所以对传感器的尺寸要求也有点高，刚好又有一个温湿度监控的系统，是厂家要改板控制芯片，给我们一个UFQFPN20的STM8S003的芯片，这个网上用的人比较少，大致看了几天手册，不同于常用的STM32他这个对VCAP有一定的要求。大致把王志杰编写的STM8单片机入门V3.0上的EMC设计注意事项复制到这儿。如有侵权望告知，删除

 VCAP 电容
STM8S 的 VCAP 电容是一个很特别的电容。它是 STM8S 的内核的工作电压。需要在外部加一个外部的电容，以保证内核工作电压的稳定。一般推荐 1uF 的瓷片电容。1uF 的瓷片电容在进行 PCB 布线时，必须要尽可能地靠近 VCAP 引脚，一直靠近到不能再靠近为止。这一点非常非常重要（STM8L 系列上没有此电容）

电源
- VDD 和 VSS 电源引脚上，建议加上退耦电容(10uF 点解电容和 0.1uF 瓷片电容)- 在用电源对 VDDIO_x 和 VSSIO_x 的引脚上，建议加上退耦电容(10uF 点解电容和0.1uF 瓷片电容)。或者至少加上一个 0.1uF 瓷片电容。- 若在电路中，有用到外部的设备（如 FLASH, 24C02 等），建议在其电源上加上退耦电容(10uF 点解电容和 0.1uF 瓷片电容)。或者至少加上一个 1uF 瓷片电容。最好不要使其与 MCU 共地。
 地线
在开始 PCB 布线前，需要全局考虑 GND 的走向。在设计中注意电流回路，特别是MCU 电流回路要与其他大电流的回路分开。过孔在线路中有阻抗，容易造成的 GND 电势不同，尽可能 GND 布在 PCB 的一面上。不建议 GND 走过孔。不建议在 GND 线上加跳线连接。
复位
- 对于 STM8 的应用，NRST 复位脚，因内部有一个弱上拉电阻。在应用时可复位电路可只用一个外部的瓷片电容就(一般在 100nF-0.1uF)就可以。也可按照通常的方式加一个上拉电阻（4.7K-10K）。
5) SWIM 调试接口
 建议在 SWIM 引脚上，接一个上拉电阻，以保持其数据可靠稳定（4.7K-10K）。
6) STM8 时钟
建议采用内部的 RC 时钟作为主时钟。针对一些 STM8S 产品，使用外部时钟, MCU 的抗干扰性能稍弱。又对时钟精度有特别的要求，可用外部的时钟作为一个参考时钟去校验内部的 RC 时钟，仍使用内部 RC 作为主时钟，可避免使用外部时钟抗干扰的问题。
7) I2C 接口
STM8 是真正开路输出的接口。在作为一般 GPIO 时，需加上拉电阻。

上面就是PCB要注意的事项。

• 对于资源注意事项

项目较小所以基本是6个ADC都用了从AIN2-AIN6看论坛上其他人说有一个内部电压的ADC AIN7测试也是可用不过对我可能没有太大的意义。其他资源选用可以看看上面的图，大致都是比较清楚的。

• ADC采用程序

PB_DDR &=~0x04; /* 设置 PB3 为输入 */
 PB_CR1 &=~0x04; /* 悬空输入 */
 PB_CR1 &=~0x04; /* 中断禁止 */
 ADC_CR1 = 0x00; /* 预分频 fADC = fMASTER/2，单次转换模式 */
 ADC_CR2 = 0x00; /* 数据左对齐 */
 ADC_CSR = 0x03; /* 选择 AIN3 作为输入通道 */
 ADC_CR1 |= 0x01; /* 启动 ADC */
 /* 如果是第一次启动 ADC，则需要等待时间>7us，确保 ADC 电源稳定*/
 ADC_CR1 |= 0x01; /* ADON=1,启动 ADC */
 while(!(ADC_CSR & 0x80));/* 等待转换完成(EOC=1) */
/* 读取 ADC 的结果到 AD_Value 变量 */
 AD_Value = ((((unsigned int)ADC_DRH)<<2)+ADC_DRL);

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