MMIC设计概述

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MMIC设计概述

一、MMIC是什么？

单片微波集成电路（monolithic microwave integrated circuit），即在一块半导体上将有源器件和无源器件集成在一个电路的结构形态。

二、MMIC设计流程

MMIC设计需要特定的工艺库，一般可在各大厂商中找到对应的PDK，然后导入到ADS中，就可以直接利用PDK里的有源器件和无源器件模型进行版图设计

工艺线参数：90nm、60nm、0.25um，0.18um，实际物理意义为“半节距”、“物理珊长”、“制程线宽”等

MMIC设计的主要流程：

首先根据设计指标，确定初步的方案设计，包括衬底材料的选择、工艺线选择（90nm、60nm、0.25um，0.18um工艺等），不同的衬底材料具有不同的特性，在设计过程中需要进行权衡。
不同衬底材料的特性：

一般对于毫米波IC而言，通常选择GaAs，GaN衬底材料，采用HEMT和PHEMT电晶体制程。HEMT和PHEMT相对于MESFET，具有更高的电子迁移率，更适用于高频IC设计。
确立设计方案之后，就需要选择不同的芯片制程，即选择不同厂商的加工工艺线。
最后，确定电路的拓扑结构，完成原理图设计和版图设计 ，并进行DRC校验，得到版图文件。这部分的设计一般需要经过多次的迭代，才能实现最终的方案。

三、MMIC中的器件模型

1.薄膜电阻

薄膜电阻的材料确定和厚度固定之后，其阻止由长度和宽度确定，一般用每方欧姆作为计算单位，如1方50欧姆，2方就是100欧姆
以GaAs衬底，多晶硅薄膜电阻为例，其工艺步骤为：

薄膜电阻的两端金属层作为其电气连接焊盘，金属层通过氧化层的过孔与薄膜电阻（多晶硅）连接

2.MIM电容（常用）

MIM电容最大容值可达10pF； 微带交指电容一般小于1pF； 微带断截线电容一般用作匹配电路
MMIC中不同的电容形式：

MIM电容等效电路：

MIM电容大小由其上层金属面积和两层金属间距和中间层介质材料决定，但由于寄生参数的影响，其高频性能容易恶化

3.电感

主要有：高阻抗微带线、螺旋电感
螺旋电感实际上是高阻抗微带线小型化设计，其模型为：

螺旋电感工艺：

在实际应用中，方形螺旋电感多被设计为圆形螺旋电感（Q值更高）

4.晶体管版图

上图的晶体管版图实际上是将多个G\D\S电极连接在了一起，从而达到缩小版图面积的目的。
之所以这样设计，是因为对于同一个晶体管制程，其栅长一般是固定的（漏极源极连接的沟道长度），栅宽是可变的。单一改变栅宽，晶体管的版图面积会很大，因此需要通过电极复用的方法，缩小版图面积。
晶体管版图的变化过程如下：

晶体管版图参数：

四、MMIC设计需要掌握的知识基础