模电知识点总结（一）——半导体：基本概念

1、划分依据：根据物体的导电能力将其划分为导体、半导体和绝缘体三类。

（1）导体：很容易导电的物体，一般金属都是导体；

（2）绝缘体：几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。（说一个人是“感情绝缘体”就是从这里来的hhh）

（3）半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。常用的半导体材料有：1）元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；2）化合物半导体，如砷化镓（GaAs），还有近年来最火的新型半导体代表氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。

2、本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导体晶体，呈单晶体状态。如纯净的硅或锗。本征半导体具有以下的性质：

（1）在本征半导体内，空穴和电子总是成对出现的，即本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度是时刻相等的；

（2）本征半导体的电导率随温度的升高而增加，即温度越高，其导电性越强。从微观角度来解释，是因为温度升高（能量升高）导致本征半导体内部的共价键断裂，从而空穴和自由电子的浓度都升高。载流子（空穴和自由电子）浓度升高将使导电性增强。

3、空穴和自由电子

（1）空穴：当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中相当于空出一个空位，这个空位就叫空穴。（显然，这种空位相当于一个个固定的位子，不能随意移动，而书上说的空穴移动只是邻近的价电子会再外加电场或其他能量的作用下填补到某一个空位上，而这个价电子原来所在的空位就会变成一个新的空穴，给我们的感觉就像是空穴在移动一样。因为丢失一个价电子，所以空穴显正电性，我们可以将空穴理解成“不能移动的正电荷”，它的“移动”需要电子来实现）；

（2）自由电子：这与我们以前学过的化学里面的电子一样，可以自由移动，带一个单位的负电荷；

（3）自由电子的移动速度约为空穴的3倍。在数字电路或高频模拟电路中，电子导电器件优于空穴导电器件。

4、杂质半导体

（1）构成：杂质半导体 = 本征半导体 + 一定浓度的杂质原子

（2）意义：本征半导体中载流子浓度由温度决定，这是电路中不希望看到的，所以杂质半导体应运而生。

（3）分类：空穴（P，Positive）型半导体和电子（N，Negative）型半导体

5、P型半导体和N型半导体

（1）P型半导体：掺入少量三价元素杂质，如硼（B）。学过化学的都知道，硼在元素周期表的IIIA族，最外层电子数为3个，所以它在与硅（最外层有4个价电子）组成共价键（硼出一个电子，硅出一个电子，组成共用电子对）时缺少一个电子，于是晶体中便多出了一个空位，即空穴。硼吸引电子能力比硅更强（这是由于硼的电子轨道只有两层，而硅有三层电子轨道，根据化学知识可以知道，电子层数越少其核内质子对电子的吸引能力越强），所以硼会把硅的一个电子“抢过来”，原来的硅原子就形成了一个空穴。因为硼能接受硅原子的电子，所以也称其为“受主杂质”或“P型杂质”。

因而，掺入硼的浓度就决定了P型半导体中空穴的浓度。在P型半导体中，空穴为多数载流子（简称多子），电子为少数载流子（简称少子），空穴是导电的主体。

（2）N型半导体：掺入少量五价元素杂质，如磷。N型半导体的多子是电子，少子是空穴，掺入1的五价元素杂质被称为施主杂质或N型杂质。

（3）无论是P型半导体还是N型半导体，对外都呈电中性。

（4）杂质半导体的导电性能取决于掺入的杂质元素浓度，即掺入的杂质元素浓度决定了多子浓度，而温度决定了少子的浓度。（本征激发决定了少子的浓度）