ARM 之 STM32F407zgt6 外设篇 ----------- FLASH 存储部分数据

一、关于STM32F407 的FLASH

根据掉电数据是否丢失存储器可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

可以知道SRAM属于RAM,掉电后数据丢失；FLASH和EEPROM属于ROM，掉电后数据不丢失。

FLASH和EEPROM的区别在于：Flash存储器：擦除次数10万次左右，最小擦写单位通常为一个sector。

                                                    EEPROM存储器：擦除次数100万次左右，最小擦写单位为一个字节。

1.芯片自带内存：

①高达1 MB Flash：地址从0x8000000开始，大小为：0x100000即1M

②高达 192+4 KB的SRAM， 包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据 RAM

    I、普通内存