理想忆阻器
已经忆阻器是由电荷q与磁通之间的关系引出的,其定义如下:
f
(
ϕ
,
q
)
=
0
→
d
ϕ
=
M
d
q
f(ϕ,q)=0→dϕ=Mdq
f(ϕ,q)=0→dϕ=Mdq
如果电荷表示为磁通的函数:
ϕ
=
ϕ
1
(
q
)
→
M
(
q
)
=
(
d
ϕ
1
(
q
)
)
/
d
q
ϕ=ϕ^1 (q)→M(q)=(dϕ^1 (q))/dq
ϕ=ϕ1(q)→M(q)=(dϕ1(q))/dq
流过忆阻器的电流为:
v
=
d
ϕ
/
d
t
=
d
ϕ
/
d
q
⋅
d
q
/
d
t
=
i
⋅
M
(
q
)
v=dϕ/dt=dϕ/dq⋅dq/dt=i⋅M(q)
v=dϕ/dt=dϕ/dq⋅dq/dt=i⋅M(q)
它的黑盒是这样的(图画错了,不是黑盒不是W应该是M,如果是W的话是磁通表示为电荷的单值函数)
这就很像一个电阻了,但是忆阻器的特性是什么?
记忆功能、非易失性、非线性!!!
一般电阻的电压电流特性曲线就是一条直线,比值就是R
而忆阻器的电压电流特性曲线是这样的:
它的特性曲线是个斜8字,官方叫磁滞回环曲线,而且它的范围和频率有关。
字,官方点叫磁滞回环曲线,而且它的范围和频率有关。