二极管作为电子电路核心元件,承担交流整流、电路保护、信号处理等关键功能。其单向导电性实现AC/DC转换,防反接和过压保护提升系统安全性,检波电路解调射频信号。齐纳管稳压、TVS管抗浪涌,肖特基管高频高效。从电源到通信,二极管保障电路稳定运行,是现代电子不可或缺的基础器件。
一、二极管的电源防反接电路
利用二极管的单向导电性,防止电源接反,起到保护后级电路的作用,选型时需要关注正向电流(IF)和反向耐压(VR)
1、正向电流(IF)
规则:额定IF > 1.5×系统 最大工作电流
浪涌电流:需评估设备启动时的瞬态电流(如电机启动电流)
举例:若负载持续电流2A,选择IF≥3A的二极管(如1N5408,3A/1000V)有电容充电浪涌时需选IFSM(浪涌电流)参数高的型号
2、反向耐压(VR)
计算公式:VR ≥ 1.2×电源 最高反向电压
安全余量:
12V系统:选VR≥20V(如1N4001,50V)
24V车辆系统:选VR≥60V(考虑抛负载电压)
二、二极管的浪涌保护电路(TVS管)
TVS(Transient Voltage Suppressor,瞬态电压抑制二极管)是一种基于 半导体PN结雪崩击穿效应 的高速保护器件,能够在 纳秒级(1ns~10ns) 内响应瞬态过压,将电压钳位在安全范围。
1、TVS核心工作机制
1.1、常态(未触发)
1)反向截止:当电路电压低于TVS的 击穿电压(VBR) 时,TVS呈现高阻态(漏电流仅μA级),对系统无影响。
2)寄生电容:典型值 10pF~1000pF,高频信号线需选低电容TVS(如PESD5V0S1UT,C=0.5pF)
1.2、瞬态过压触发
1)雪崩击穿:当电压超过VBR时,TVS迅速进入 低阻态(动态电阻可低至 1Ω以下),形成泄放通道。
2)钳位效应:电流经TVS分流至地,将电压限制在 钳位电压(VC) 以下(VC通常为VBR的1.2~1.5倍)。
1.3、恢复阶段
1)浪涌消失后,TVS在 微秒级(μs) 内恢复高阻态,避免持续导通损耗
2、TVS关键参数解析
参数 | 物理意义 | 工程意义 |
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击穿电压(VBR) | TVS开始导通的阈值电压(@1mA测试电流) | 选型时需满足:VBR > 1.2×系统最高工作电压 |
钳位电压(VC) | 峰值电流时的残压(@IPP测试) | 必须低于被保护器件的耐压值(如IC耐压30V,选VC<25V) |
峰值脉冲功率(PPPM) | TVS可承受的最大瞬态能量(10/1000μs波形) | 计算需求:PPPM > (VC × IPP) × 安全系数(1.5~2) |
响应时间(tR) | 从过压出现到进入低阻态的时间 | 需快于被保护器件损坏时间(如ESD保护需tR<1ns) |
3、TVS与其它保护器件对比
器件类型 | 响应时间 | 通流能力 | 钳位精度 | 典型应用场景 |
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TVS | 1ns~10ns | 数十A(单次) | 精确(VC低) | ESD、EFT等快速脉冲 |
压敏电阻(MOV) | 25ns~50ns | 千A级(多次) | 较高残压 | 电源雷击浪涌(8/20μs) |
气体放电管(GDT) | 100ns~1μs | 万A级 | 残压极低 | 初级防雷(10/350μs) |
4、TVS选型设计步骤
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确定系统参数
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工作电压范围:如12V系统,最高波动+15% → 13.8V
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浪涌标准:IEC 61000-4-5(8/20μs波形)、IEC 61000-4-2(ESD)
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计算关键参数
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VBR选择:VBR(min) > 1.2×13.8V=16.56V → 选VBR=18V的TVS
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IPP需求:根据浪涌等级,如Level 4要求IPP=100A(8/20μs)
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PPPM验证:PPPM=VC×IPP=30V×100A=3000W → 选PPPM≥6000W(安全系数2)
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型号示例
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SMBJ18CA:VBR=18V,VC=29.2V,PPPM=600W → 不满足
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SMCJ18CA:PPPM=1500W → 仍不足
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5KP18CA:PPPM=5000W → 符合要求
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5、PCB布局优化要点
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最短路径原则
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TVS尽量靠近 被保护端口(如USB接口),走线长度<10mm
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地线采用 宽铜箔 或网格铺铜,降低寄生电感
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多级保护设计
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初级:GDT(泄放大电流)
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次级:MOV(吸收剩余能量)
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末级:TVS(精确钳位)
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6、失效模式与防护
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过功率损坏
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现象:TVS烧毁短路或开路
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对策:增加PPPM余量,或并联多个TVS分流
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长期漏电
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成因:反复浪涌导致结特性退化
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检测:定期测量反向漏电流(IR>1mA需更换)
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