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原创 二-MOS管直流特性

物理过程:MOS管的物理结构中源漏是对称的,按照定义,载流子从源端流向漏端,对于N管来说,载流子为电子,故通常其漏电压高于源电压。故首先从源端分析其导电过程:(1)VG小于0,p-sub中空穴在衬底表面积累: 提高VG后,栅-衬底相当于一上下极板电容器,栅压为正,故会排斥表面正电荷,而在表面留下固定负电荷。(2)0<VG<VTH,衬底表面正电荷耗尽,留下固定的负电荷: 耗尽层形成后,继续增加栅压,在栅-耗尽层-p-sub相当于两分压电容...

2021-09-25 21:12:27 2342

原创 有源器件3-MOS管

MOS管,全称MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。以下根据https://www.bilibili.com/video/BV16x411S7zc?p=6&spm_id_from=pageDriver的Part 5部分总结:以NMOS为例,结合MOS管工作原理分析其I-V特性。图中为NMOS管的纵剖图,其中P-Sub接低电位,源区和漏区为N型半导体,相当于两个背靠背的PN结,栅区相当于金属-绝缘

2021-08-05 17:58:32 917

空空如也

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