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RSS订阅原创 二-MOS管直流特性
物理过程：MOS管的物理结构中源漏是对称的，按照定义，载流子从源端流向漏端，对于N管来说，载流子为电子，故通常其漏电压高于源电压。故首先从源端分析其导电过程：（1）VG小于0，p-sub中空穴在衬底表面积累： 提高VG后，栅-衬底相当于一上下极板电容器，栅压为正，故会排斥表面正电荷，而在表面留下固定负电荷。（2）0<VG<VTH，衬底表面正电荷耗尽，留下固定的负电荷： 耗尽层形成后，继续增加栅压，在栅-耗尽层-p-sub相当于两分压电容...
2021-09-25 21:12:27
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原创 有源器件３－MOS管
MOS管，全称MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。以下根据https://www.bilibili.com/video/BV16x411S7zc?p=6&spm_id_from=pageDriver的Part 5部分总结：以ＮＭＯＳ为例，结合MOS管工作原理分析其I-V特性。图中为NMOS管的纵剖图，其中P-Sub接低电位，源区和漏区为N型半导体，相当于两个背靠背的PN结，栅区相当于金属-绝缘
2021-08-05 17:58:32
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空空如也
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