本文详细介绍了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理，特别是以NMOS为例，分析了MOS管的I-V特性。当栅压超过阈值电压时，会在衬底表面形成反型层，从而形成导电沟道。MOS管的三个主要工作区域包括截止区、可变电阻区和恒流区，其中恒流区常用于放大电路。MOS管的输出特性曲线展示了这些区域的特征，并强调应避免工作在击穿区，以防止PN结击穿。
MOS管，全称MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。以下根据https://www.bilibili.com/video/BV16x411S7zc?p=6&spm_id_from=pageDriver的Part 5部分总结：以ＮＭＯＳ为例，结合MOS管工作原理分析其I-V特性。
图中为NMOS管的纵剖图，其中P-Sub接低电位，源区和漏区为N型半导体，相当于两个背靠背的PN结，栅区相当于金属-绝缘氧化物-半导体组成的平行板电容器。其工作原理为电场感应电荷效应，故称为场效应晶体管。
当VG=0时，VD,S≠0时，无论源、漏区哪端电压高，都会导致两背靠背的PN结有一个反偏，这都会使MOS管不导通。
VG>0时，栅区相当于一平行板电容器，当栅压越大时，按照电荷守恒定律，在P型衬底表面感应的负电荷越多（即场效应），进而在衬底表面形成一少子占多数的表现为
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