二-MOS管直流特性

 物理过程：

MOS管的物理结构中源漏是对称的，按照定义，载流子从源端流向漏端，对于N管来说，载流子为电子，故通常其漏电压高于源电压。

故首先从源端分析其导电过程：

（1）VG小于0，p-sub中空穴在衬底表面积累：

        提高VG后，栅-衬底相当于一上下极板电容器，栅压为正，故会排斥表面正电荷，而在表面留下固定负电荷。 

（2）0<VG<VTH，衬底表面正电荷耗尽，留下固定的负电荷：

        耗尽层形成后，继续增加栅压，在栅-耗尽层-p-sub相当于两分压电容，此时，衬底表面电压升高，从n型掺杂的源端吸引电子流向表面进而流向漏端，形成反型沟道。

（3）VG>VTH，强反型，自由电子从源端流向表面最终流向漏端，源漏之间形成反型沟道电流：