RTT是什么?

时延

时延:数据(报文、分组、比特流)从网络的一端传送到另一端所需要的时间。也叫延迟或迟延,单位是s。
时延包括:发送时延(传输时延),传播时延,排队时延,处理时延。
在这里插入图片描述
高速链路:发送速率提高,并不会影响电磁波的传输速度
传输速度仅仅与传播介质有关,电磁波传播是固定的。

时延带宽积

时延带宽积=传播时延*带宽。时延带宽积其实表示的包含的数据量。
在这里插入图片描述
时延带宽积又可称为以比特为长度的链路长度。即某段链路现在有多少比特。

RTT

往返时延RTT:发送方发送数据开始到收到接收方确认消息总共经历的时延。
RTT越大,在收到确认之前可以发送的数据就越多
RTT包括:往返传播时延(传播时延*2)和末端处理时延

利用率

利用率包括:信道利用率和网络利用率
在这里插入图片描述
时延和利用率的关系:
在这里插入图片描述
那车流举例子,车道中车辆越多,汽车通过时间越大
在这里插入图片描述

文章知识点与官方知识档案匹配,可进一步学习相关知识
网络技能树首页概览 31197 人正在系统学习中
<think>好的,我现在需要解释一下MIG中的RTT是什么。用户之前询问过RZQ/6和RZQ/7的区别,现在转向了RTT,可能是在使用Xilinx的MIG(Memory Interface Generator)时遇到了DDR内存设计的问题。 首先,我得确认RTT在MIG中的具体含义。根据之前的知识,RTT通常指的是终端电阻(Termination Resistance),在DDR内存设计中用于信号完整性。用户可能想知道MIG中RTT的作用、配置选项以及如何影响设计。 接下来,我需要回忆DDR内存的工作原理。DDR信号在传输过程中会遇到反射问题,尤其是在高频下,适当的终端电阻可以吸收反射,减少信号失真。在MIG配置中,RTT的设置应该与内存芯片的规格和PCB设计相匹配。 然后,考虑MIG中的具体实现。Xilinx的MIG工具允许用户配置不同的终端电阻选项,可能包括不同的阻值,比如RZQ/6或RZQ/7对应的阻值,或者动态终端电阻(ODT)的设置。需要区分ODT和RTT的关系,可能RTT是ODT的一部分,或者是MIG中特定的配置参数。 还要注意用户可能混淆了RZQ和RTT。之前的问题是关于RZQ分频模式,现在转到RTT,需要明确这两个概念的区别。RZQ是参考阻抗校准电阻,用于确定驱动器的输出阻抗,而RTT是终端电阻,用于接收端匹配传输线阻抗。 需要查阅Xilinx的官方文档或用户指南,确认MIG中RTT的具体定义和配置选项。例如,MIG中的RTT可能指的是片上终端电阻的配置,或者是与ODT相关的设置。不同的DDR版本(如DDR3、DDR4)可能有不同的RTT配置方式。 此外,用户可能想知道如何选择适当的RTT值,这取决于内存类型、工作频率、PCB走线长度等因素。例如,DDR3通常支持多种RTT选项,如60Ω、120Ω、40Ω等,而DDR4可能有不同的值。需要说明这些选项的作用和选择依据。 还需要考虑动态终端电阻(ODT)的作用,ODT可以在读写操作时动态调整终端电阻,以提高信号完整性。在MIG配置中,可能需要设置ODT的阻值,这可能就是用户所说的RTT。 最后,总结RTT在MIG中的意义,如何配置,以及其对系统性能的影响,确保用户理解如何根据设计需求选择合适的RTT值,并参考相关文档进行正确配置。</think>在 DDR 内存接口设计中,**MIG(Memory Interface Generator,Xilinx 的存储器接口生成器)中的 RTT** 指的是 **动态终端电阻(On-Die Termination Resistance)**,用于优化信号完整性,减少高速信号在传输线末端的反射问题。以下是其关键要点: --- ### **1. RTT 的核心作用** - **信号完整性**: DDR 高频信号在 PCB 走线末端易产生反射,导致波形畸变。RTT 通过匹配传输线阻抗(通常 50Ω 或 60Ω),吸收反射能量,确保信号稳定。 - **动态调整**: RTT 可根据读写操作动态启用或关闭(如 DDR3/DDR4 的 ODT 功能),在写入时开启接收端终端电阻,读取时关闭以减少功耗。 --- ### **2. MIG 中的 RTT 配置** 在 Xilinx MIG IP 中,RTT 需根据 DDR 类型和颗粒规格设置,常见选项如下: #### **DDR3 的 RTT 典型值** | **模式** | 阻值(等效) | 应用场景 | |----------------|-------------|----------------------------| | **RTT_NOM** | 40Ω, 60Ω | 正常操作时的默认终端电阻 | | **RTT_WR** | 120Ω | 写入操作时的动态终端电阻 | | **RTT_PARK** | 60Ω, 120Ω | 空闲状态下的保持电阻(可选) | #### **DDR4 的 RTT 典型值** | **模式** | 阻值(等效) | 说明 | |----------------|---------------|---------------------------| | **RTT_NOM** | 34Ω, 48Ω | 标准工作模式 | | **RTT_WR** | 80Ω, 120Ω | 写入时的动态终端电阻 | | **RTT_PARK** | 48Ω, 80Ω | 未选中 Rank 的保持电阻 | --- ### **3. RTT 与 RZQ 的关系** - **RZQ**:通过外接精密电阻(如 240Ω)校准驱动器的输出阻抗(如 40Ω),**影响信号发送端**的驱动能力。 - **RTT**:通过片上终端电阻匹配传输线阻抗,**优化信号接收端**的反射问题。 **两者协同工作**:RZQ 确保驱动强度合理,RTT 确保信号末端阻抗匹配。 --- ### **4. MIG 中配置 RTT 的关键步骤** 1. **选择 DDR 类型**:在 MIG IP 中指定 DDR3 或 DDR4。 2. **设置 RTT 模式**:根据颗粒手册选择 RTT_NOM、RTT_WR 等参数。 - 例如 DDR3-1600 可能要求 `RTT_NOM = 60Ω`,`RTT_WR = 120Ω`。 3. **匹配 PCB 设计**: - 长走线或多负载场景需更低 RTT 值(如 40Ω)以增强终端吸收能力。 - 短走线可选更高 RTT 值(如 60Ω)以降低功耗。 4. **仿真验证**:通过 SI/PI 仿真检查信号眼图,确保 RTT 配置合理。 --- ### **5. 常见问题** - **RTT 值错误**:若 RTT 设置与 DDR 颗粒规格不符,可能导致信号过冲/下冲,甚至初始化失败。 - **ODT 时序冲突**:动态切换 RTT 时需严格遵循时序(如 DDR4 的 ODT 延迟参数),否则会引发数据错误。 - **功耗权衡**:RTT 值越低(如 34Ω),信号质量越好,但功耗和发热量增加。 --- ### **6. 示例(Xilinx MIG 配置)** 在 Vivado 中配置 DDR3 接口时,RTT 参数通常位于 MIG IP 的“Memory Options”或“Controller Settings”选项卡: ```plaintext DDR3 Configuration: - RTT_NOM: 60Ω - RTT_WR: 120Ω - RTT_PARK: Disabled ``` --- **总结**: MIG 中的 RTT 是确保 DDR 接口信号完整性的关键参数,需根据 DDR 类型、颗粒规格和 PCB 设计综合选择。合理配置 RTT 可显著降低反射噪声,提升系统稳定性,但需权衡功耗与信号质量。设计时务必参考芯片手册和仿真结果。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值