ROM,RAM,FLASH等存储介质的区别介绍。

一、RAM

RAM(Random Access Memory )随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性,即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

 

SRAM

1)一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

SRAM是“static RAM(静态随机存储器)”的简称,数据存入其中后,掉电后亦不会丢失。一个SRAM 单元通常由4-6 只晶体管组成,当这个SRAM 单元被赋予0 或1 的状态之后,它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。SRAM 的速度相对比较快且比较省电,但存储1bit 的信息需要4-6 只晶体管导致制造成本太高了。

DRAM

2)另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)

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在MCU中,RAM(随机存取存储器)、ROM(只读存储器)和Flash(闪存)是三种常见的存储器类型,它们在MCU中具有不同的作用和功能。 首先,ROM是一种只读存储器,用于存储固定的程序代码和数据,它在MCU出厂时就被烧录好,无法进行修改。ROM中的程序代码和数据可以被CPU直接读取和使用,因此ROM在MCU中负责存储启动程序和系统固化的各种功能,确保MCU在上电后能正常运行。 其次,RAM是一种随机存取存储器,用于存储正在运行的程序和临时数据。RAM的数据存储是易失性的,即在断电后数据会丢失。RAM在MCU中用于存储CPU的运算过程中需要读写的数据,提供了程序运行的临时存储空间。因为RAM速度快且可以重写,所以RAM在MCU中常被用来实现变量的存储和实时数据的缓存,是程序运行过程中频繁访问的存储器。 最后,Flash是一种非易失性存储器,也是MCU中常见的主要存储介质之一。Flash用于存储程序代码或者其他需要长久保存的数据,其数据存储在断电后不会丢失。Flash具有可擦写、可重写的特点,可以被CPU进行修改操作。它与ROM不同,Flash的内容可以在MCU运行期间被CPU通过特定的操作进行修改。 综上所述,在MCU中,ROM用于存储系统启动程序和固化的功能程序,RAM用于存储运行过程中的程序代码和临时数据,而Flash用于存储可修改的程序代码和长期存储的数据。这三种存储器类型在MCU中相互合作,为MCU的正常运行和数据的存储提供了基础。
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