2440裸机-12-3内存控制器与SDRAM_SDRAM设置

最新推荐文章于 2021-10-20 13:14:46 发布

YADONCHEN

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分类专栏：韦东山嵌入式arm裸板学习第一期

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文章目录

1.什么是SDRAM

SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器。同步是指其时钟频率和CPU前端总线的系统时钟相同，并且内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。

2.SDRAM内存芯片的内部结构

2.1.逻辑Bank与芯片位宽：

现在进行深入了解SDRAM的内部结构。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单的说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储，就很难做的随机访问了。

阵列就如表格一样，将数据"填"进去，你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一行(Row)，再指定一列(Column)，我们就可以准确的找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元，那么这个表格叫什么呢？它就是逻辑Bank(简称L-Bank)。下图是存储阵列(L-Bank)示意图。

在这里插入图片描述
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅度降低内存效率。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。

这样，在进行寻址时就要先确定是那个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择对应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能一个L-Bank工作，而每次与内存控制器交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个"存储单元"的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word。

而SDRAM内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽，但是要主要，这种关系仅对SDRAM有效。

2.2.SDRAM存储原理

L-Bank中的存储单元是基础的存储单位，它的容量是若干bit(对于SDRAM而言，就是芯片的位宽)，而每个bit则是存放于一个单独的存储中。这些存储体就是内存中最小的存储单元。例如,位宽为32bit时,一次访问4字节的数据.

你可以用硬盘操作中的簇与扇区的关系来理解内存中的存储形式。扇区是硬盘中的最小存储单元，而每个簇则包含有多个扇区，数据的交换都是一个簇为单位进行(一次传输一个存储单元的数据)。

在这里插入图片描述

2.3.芯片的存储容量：

现在我们应该清除内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总和。计算有多少个存储单元和计算表格中单元数量的方法是一样的：

存储单元数量 = 行数 * 列数 * L-Bank的数量

在很多内存产品介绍文档中，都会用MW的方式来表示芯片的容量。M是给芯片中存储单元的总数，单位是兆(应为写M)，W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽(Width)，单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节(Byte)。比如8M8，就是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit(8MB)。

3.读写SDRAM分析的时序分析

从上面几个章节的内容知道，CPU只负责发出地址给内存控制器，接着内存控制器根据发出的地址范围确定是哪个片选信号，比如SDRAM是接在片选6（nGCS6）上，那他的地址就是从 0x30000000 开始，使用了17位地址线那么寻址范围就是 2^17=128k

那么地址范围从：0x30000000 到 0x30020000

2440芯片手册：

在这里插入图片描述
原理图:

查看一下SDRAM型号为：EM63A165TS-6G 的数据手册：

这款芯片是一个位宽为16位，容量为32M的芯片。

在这里插入图片描述

内存芯片的容量
现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有 L-Bank 中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：

存储单元数量=行数×列数（得到一个 L-Bank 的存储单元数量）×L-Bank的数量

在很多内存产品介绍文档中，都会用 M×W 的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/ 组织结构）。M 是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写 M，精确值是 1048576，而不是 1000000），W 代表每个存储单元的容量，也就是 SDRAM芯片的位宽（Width），单位是 bit 。计算出来的芯片容量也是以 bit为单位，但用户可以采用除以 8 的方法换算为字节（Byte）。比如 8M×8，这是一个 8bit 位宽芯片，有 8M个存储单元，总容量是 64Mbit（8MB）。

在外部通过把两块16bit的芯片拼接起来组成32bit的芯片，容量为64M,原理图如下：

在这里插入图片描述

因此数据在读写的时候CPU依然只是发送一个地址，根据地址发出片选信号，但是内存控制器做的事就很多了，它需要根据你外接的SDRAM进行设置，比如，外接芯片的位宽，容量，等，还需要分出几个逻辑块（L-BANK）以及分行（ROW）列（Colum），定义了这些通信格式之后才能找到相应的地址进行存储。

那么逻辑块、行地址、列地址如何拆分？

设置内存控制器的相关寄存器。

找到2440的芯片数据手册，查看内存控制这一章节

3.1.设置 SWSCON 设置为： 0x02000000

在这里插入图片描述

其中 ST6这个位表示的含义：0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0 )
内存是32位宽度的，如果指向修改其中某个字节，但是，我仍然提供四个字节的数据，那如何只操作其中的某一个字节呢？
这时需要用到SDRAM的 nWBE[3:0],设置某个内存单元是否会被写。

如果只想读某个字节，我还是一次性读32bit(4字节数据)，通过通过程序字节挑出想要的字节就行了。不需要屏蔽某个字节。(类似于nor flash)

3.2.设置 BANKCON6

设置BANKCON6 = 0x18001

重要参数：

SCAN: 列位数
Trcd参数：
内存控制器是先发出行地址，再发出列地址，他们发送必须要有时间间隔，而这个参数就是规定行列地址发送的时间延时周期的。

举例：
列寻址信号与读写命令是同时发出的。虽然地址线与行寻址共用，但 CAS（Column Address Strobe，列地址选通脉冲）信号则可以区分开行与列寻址的不同，配合 A0-A9，A11（本例）来确定具体的列地址。

然而，在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为 tRCD，即 RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS延迟），大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD 是 SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板 BIOS经过北桥芯片进行调整，但不能超过厂商的预定范围。广义的 tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如 tRCD=2 ，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于 PC100 SDRAM ，tRCD=2 ，代表 20ns 的延迟，对于 PC133则为 15ns。
然而，在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为 tRCD，即 RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS延迟），大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD 是 SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板 BIOS经过北桥芯片进行调整，但不能超过厂商的预定范围。广义的 tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如 tRCD=2 ，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于 PC100 SDRAM ，tRCD=2 ，代表 20ns 的延迟，对于 PC133则为 15ns。

Trcd的具体数值，需要需要根据芯片数据手册来决定：

芯片手册规定，最大为20ns，而我们的时钟是 100M,那么一个时钟周期 t = 10ns，那么只需要两个时钟周期。

在这里插入图片描述

2440寄存器描述：

3.3.REFRESH寄存器

设置寄存器：REFRESH = 0x8404F5

重要概念和参数：

刷新
之所以称为 DRAM ，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是 DRAM最重要的操作。刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用 S-AMP先读再写。
但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？

因为预充电是对一个或所有 L-Bank 中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有 L-Bank 预充电不同的是，这里的行是指所有 L-Bank 中地址相同的行，而预充电中各 L-Bank 中的工作行地址并不是一定是相同的。

那么要隔多长时间重复一次刷新呢？
目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是 64ms （毫秒，1/1000 秒），也就是说每一行刷新的循环周期是 64ms 。这样刷新速度就是：行数量/64ms。
例如：
我们在看内存规格时，经常会看到 4096 Refresh Cycles/64ms 或 8192 Refresh Cycles/64ms 的标识，这里的4096与 8192就代表这个芯片中每个 L-Bank 的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096 行时为 15.625μs（微秒，1/1000 毫秒），8192行时就为 7.8125μs。

刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh ，简称 AR）与自刷新（SelfRefresh，简称 SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于 AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称20刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说 CAS在RAS之前有效。所以，AR又称 CBR （CAS BeforeRAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有 L-Bank，因此在刷新过程中，所有 L-Bank 都停止工作，而每次刷新所占用的时间为 9 个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这 9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms 之后则再次对同一行进行刷新，如此周而
复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对 SDRAM的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是 DRAM相对于 SRAM （静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是 STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出 AR命令时，将 CKE置于无效状态，就进入了 SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在 SR期间除了 CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使 CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。

Refresh Counter:

查看数据手册：

查看芯片手册的刷新周期是为：7.8 us

其实也就是说一共有8192 行（芯片中每个 L-Bank 的行数），必须在64ms之内刷新所有的行，所以刷新周期是：64ms/8192=7.8125us.

在上面知道列数一共有 9 bit，L-BANK 总共是4个，那么存储块的个数是： 2^981924=16777216.

每个存储块的大小是32bit(4字节)，那么总容量就是：16777216 * 4 = 67108864 byte = 64M
在这里插入图片描述
根据下面的公式计算 Refresh Counter 的值：

此处HCLK为100M,那么Refresh count = 2 11 + 1 - 100x7.8 = 1269 = 0x4F5

在这里插入图片描述

Trp：行预先充电时间
Trc:Row cycle time 行周期时间

而在数据手册中有这样条公式：Trc=Tsrc+Trp，因为Trp = 20ns,因此可以设置 Tsrc = 45ns,也就是5个HCLK.
设置2440的寄存器，如下：

在这里插入图片描述

3.4.BANKSIZE 寄存器

设置 BANKSIZE 寄存器为： 0xb1

在这里插入图片描述

3.5.MRSRB6

**设置MRSRB6 = 0x20**

重要参数：

CL:CAS 潜伏期

数据输出（读）
在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在 CAS(列地址)发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从 CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为 CL（CAS Latency，CAS 潜伏期）。由于 CL只在读取时出现，所以 CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL 的单位与 tRCD一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。不过，CAS并不是在经过 CL周期之后才送达存储单元。实际上 CAS与 RAS一样是瞬间到达的，但 CAS的响应时间要更快一些。

为什么呢？

假设芯片位宽为n 个 bit ，列数为 c，那么一个行地址要选通 n×c 个存储体，而一个列地址只需选通 n 个存储体。但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与 CAS在同一上升沿触发，肯定要延后至少一个时钟周期。由于芯片体积的原因，存储单元中的电容容量很小，所以信号要经过放大来保证其有效的识别性，这个放大/ 驱动工作由 S-AMP负责，一个存储体对应一个S-AMP通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度（事前还要进行电压比较以进行逻辑电平的判断），因此从数据 I/O 总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始，数据即已传向 S-AMP ，也就是说此时数据已经被触发，经过一定的驱动时间最终传向数据 I/O 总线进行输出，这段时间我们称之为 tAC（Access14 Time from CLK，时钟触发后的访问时间）。tAC 的单位是 ns，对于不同的频率各有不同的明确规定，但必须要小于一个时钟周期，否则会因访问时过长而使效率降低。比如 PC133的时钟周期为 7.5ns，tAC 则是 5.4ns。需要强调的是，每个数据在读取时都有 tAC，包括在连续读取中，只是在进行第一个数据传输的同时就开始了第二个数据的 tAC。
在这里插入图片描述
查看SDRAM芯片手册，查看具体可以设置的数值：

此处设置为第2个clock,表示CAS发出后，第二个clock，SDRM就会提供数据，这个值是会写入SDRAM芯片的一个寄存器（MR,mode regisiter）中保存起来的。

备注：本文的部分内容是从《高手进阶，终极内存技术指南——完整 / 进阶版》摘抄。

4.编程读写SDRAM

从第五节可知，设置SDRAM需要设置的寄存器有5个，如下：
1）.设置 SWSCON 设置 BWSCON= 0x02000000
2）.设置 BANKCON6 设置 BANKCON6 =0x18001
3）.设置 REFRESH 设置 REFRESH = 0x8404F5
4）.设置 BANKSIZE 设置 BANKSIZE = 0xb1
5）.设置 MRSRB6 设置 MRSRB6 = 0x20

4.1.新建一个C语言文件，sdram_init.c和 sdram_init.h

内容分别如下：

sdram_init.c：

#include "s3c2440_soc.h"
#include "myprintf.h"
 
 
void sdram_init(void)
{
	BWSCON	=0x02000000;
	BANKCON6=0x18001;
	REFRESH =0x8404f5;
	BANKSIZE=0xB1;
	MRSRB6	=0x20;
 
}
 
int sdram_test(void)
{
	//定义一个unsigned char 类型的指针，其地址是SRAM的起始地址
	volatile unsigned char *p =(volatile unsigned char *)0x30000000;
	int i;
	//写sdram，从地址0x3000000 到0x300003E8 写入值2000 到 0的值，间隔为2
	for(i =0;i<256;i++)
		p[i] = 255 -i;
	//读sdram
	for(i=0;i<256;i++)
	{
		//打印出写入的值，如果打印的值和我们写入的值是一致的那么写入成功
		myprintf("p[%d] = %d\n\r",i,p[i]);
		//如果地址0x3000000a的值不为 245,说明写入失败，返回 -1
		if(p[10] != 245)
			return -1;
	}
	//否则写入成功，返回 2 
	return 2;
}

解释：
sram_init函数是对SRAM进行初始化的配置，使2440发出的读写的时序能满足外部接的SDRAM的要求。
sram_test函数是对SRAM读写进行测试：
先定义一个指针变量p，使它指向SRAM的起始地址，接着p所指向的地址开始写256个数据，每个字节存储一个数据，分别是从255到0.
接着以p为其实地址从SDRAM读取256个字节的数据，然后使用myprintf打印出来（这个函数是自己在ARM平台上实现的，具体查看:点我查看
然后直接读取 p[10]的值，看如果这个值不等于254说明刚刚没有写入成功，否则写入成功。写入成功返回2，否则返回0.

sdram_init.h: 对初始化函数和测试函数的声明

#ifndef __SDRAM_INIT_H
#define __SDRAM_INIT_H
 
void sdram_init(void);
int sdram_test(void);
 
#endif

4.2编写主函数main.c

#include "s3c2440_soc.h"
#include "uart.h"
#include "sdram_init.h"
#include "led.h"
#include "myprintf.h"
 
int main()
{
	
	uart0_init();
	sdram_init();
	myprintf(
"Hello world!\r\n");
	while(1)
	{
		if(sdram_test() == 2)
		{
			
			led_test();
		}
		else return 0;
	}
	return 0;
 
 
}

备注：

1.初始化串口，然后初始sdram,接着打印Hello world 的字符串。

2.在循环中，调用sdram_test函数，如果返回值为2说明，sdram读写成功。则执行 led_test函数。这个是依次点灯的函数（详细点我：点我查看），只要sdram读写成功，就会执行这个点灯的程序，否则程序不运行。

4.3编写Makefile文件：

把所有的c文件和汇编文件生成目标文件（.o）然后连接在一起生成 sdram.bin 文件：

all:
	arm-linux-gcc -c -o led.o led.c
	arm-linux-gcc -c -o uart.o uart.c
	arm-linux-gcc -c -o lib1funcs.o lib1funcs.S
	arm-linux-gcc -c -o myprintf.o myprintf.c
	arm-linux-gcc -c -o sdram_init.o sdram_init.c
	arm-linux-gcc -c -o main.o main.c
	arm-linux-gcc -c -o start.o start.S
	arm-linux-ld -Ttext 0 -Tdata 0xbc0 start.o led.o uart.o sdram_init.o main.o myprintf.o lib1funcs.o -o sdram.elf
	arm-linux-objcopy -O binary -S sdram.elf sdram.bin	
	arm-linux-objdump -D sdram.elf > sdram.dis
 
clean:
	rm *.bin *.o *.elf *.dis