S3C2440—8.读写SDRAM

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写

一.内部结构

原理图如下：

存储逻辑结构：

可以看出SDRAM的内部是一个阵列，就像表格一样，其寻址方式是按照块、行、列来的，即先选定SDRAM芯片，然后发出块信号确定那一块，再发出行信号确定哪一行，再发出列信号确定哪一列。

CPU对SDRAM的访问可以分为以下几步：

• CPU对存储控制器发出统一编址
• 内存控制器发出片选信号，选定SDRAM芯片
• 选定哪一个Bank（通过ADDR24、ADDR25信号线选定，总共4个Bank）
• 对选定的Bank进行行列寻址
• 找到对应的地址，通过32根数据线进行数据传输（原理图中是32位）

看起来很简单，但是我们要考虑到，不同规格SDRAM对应着不同的寻址方式，因为不同的SDRAM可能行列数不一样，对时序要求不一样，所以在访问SDRAM之前，我们要配置存储控制器中的一些寄存器来匹配SDRAM！！！

二.相关寄存器

存储控制器一共有13个寄存器，6种寄存器，对BANK0~BANK5进行访问时，只需要配置BWSCON和BANKCONx寄存器，但是对SDRAM访问，不仅仅需要对这俩个寄存器进行配置，还需要额外配置4个寄存器。

下面以访问SDRAM为例子介绍一下这些寄存器（按照芯片手册中的顺序来介绍）：

BWSCON

位宽&等待控制寄存器

• ST6：决定是否使用SDRAM的数据掩码，对SDRAM时为0，对SRAM时为1。
• WS6：决定是否使用WAIT信号，一般不使用。（WAIT信号就是在SDRAM没准备好的时候，由SDRAM发给CPU，请求延迟一段时间）
• DW6：决定BANK位宽，自然是32位。

所以，BWSCON寄存器要或运算的值为：0x02000000

BANKCON6

BANK控制寄存器，用来控制外接设备的访问时序的，BANK0~BANK5默认0X0700

对于SDRAM的访问，我们需要配置的就是图中阴影部分的：

• MT：决定BANK外接的是SDRAM还是SRAM，SDRAM选择11.

• Trcd：行列信号之间的延迟时间，根据芯片手册得知最小为21ns，而我们的HCLK时钟为100MHz，一个clock10ns，所以保险起见选择30ns，即：01。

• SCAN：设置列地址位，这里使用的SDRAM列地址一共9位，所以为：01.

所以，BANKCON6寄存器要或运算的值为：0x000180