计算机组成原理学习笔记之《唐书》-第四章-存储器

本文深入探讨了计算机存储器的层次结构,重点关注主存储器的组成、半导体存储芯片的工作原理以及DRAM和SRAM的区别。此外,还讨论了存储器的扩展、与CPU的连接以及提高访存效率的措施,如高速缓冲存储器(Cashe)的工作机制和替换策略。
摘要由CSDN通过智能技术生成
						机组学习笔记(四)-存储器

4.1.1 存储器的分类
4.1.2存储器的层次结构
4.2主存储器
4.2.1主存储器概述
主存的基本组成主存的基本组成
主存和CPU的联系
主存和CPU的练系
译码器、驱动器和读写电路制作在存储芯片中,MAR、MDR制作在CPU中,二者由总线连接。

而主存中的存储单元是如何分配的呢?
主存中的地址分配
主存中的地址分配
IBM 370机为32位,则其为4字节机器,且其规定4字节为1字。
如图a,每一个小矩阵中包含一个字节,每一行含4个字节,即一个字。如果按字节寻址(即寻找字节的地址),那每一个小矩阵都有独立的一个地址(即方格中的数字)。如果按字寻址,那显然不能给按0,1,2,3给字地址编号,因为存储的最小值是字节,所以我们就应该把该字所包含的字节中的高位的地址赋给他。如第一行中的0,第二行中的4。如果已找到4,要继续寻址,那如何区分其包含的更小的字节地址呢。为方便,选择81,83。二进制转换,81=10100012,83=10100112。可以发现,在4字节机器中,一个字地址所包含的字节地址仅有后2位不同,所以仅需由后两位区分。

4.2.2半导体存储芯片简介

1.存储芯片的基本结构
存储芯片的基本结构
芯片的容量由其地址线和数据线共同决定。地址线决定了存储单元的数量,数据线决定了每一个存储单元所包含的存储元。例如地址线10根,数据线4根,则其有210 =1024≈1K个存储单元,其数据线可传输4位数据,每个存储单元有4个存储元,可存储4位,总容量为1k×4位=4K位。再如地址线位14根,数据线位1根,则其有214=16,384≈16K个存储单元,每一个存储单元可存储1位,所以总容量就是16k×1=16K位。
片选线的是选择存储芯片的。因为通常为优化结构,半导体存储器会由多个芯片组成,所以要通过片选线选择使用哪个芯片。
我们可以把32片16K×1位的芯片组合成64K×8位的芯片,如图
64K×8位
每8片为1组,组成一个大芯片,则为16K×8位,4个这样的大芯片排列起来,则为64K×8位。片选器来选择由哪个芯片工作。

2.芯片的译码驱动方式
半导体存储芯片的译码驱动方式有两种:线选法和重合法。
16×8位线选法结构
线选法
每个存储单元仅由一根地址选择线(字选择线)直接控制。当地址线为1111时选中第15根字线,再由读写电路把8位数据写入。
1K×1位重合法
重合法
其有10根地址线,为使其能表示更多地址,我们把它分为X和Y各5根,则译码器可输出32×32个信号,这样便可选择矩阵中任意一个存储单元。上面这张图表示的是1K×1位的芯片,若要构成1K×1字节芯片,则需要8片该芯片。

线选法与重合法比较。
上述线选法可以看作是一个16×1的矩阵,而重合法则是一个32×32矩阵。若要使用线选法达到重合法的数据容量,则需要一个1024×1的矩阵,其结构严重失调。但因其结构简单,适用于较小规模电路。

4.2.3随机存取存储器
随机存取存储器按照存储信息的原理不同,可分为静态RAM和动态RAM两大类。
1.静态RAM(Static RAM,SRAM)
(1)SRAM基本电路组成
SRAM基本电路组成

SRAM基本电路组成

图中M1~M4构成了一个交叉耦合反相器(即两个反相器互为输出输入),可保存1位数据。
图缘唐书,有疑问
唐书图
先介绍图中各器件,T1-T6称为其基本单元电路。T1-T4对应上上图中M1-M4,构成锁存器,其中A与A’反相。图中T5、T6为行选择器,与行译码器输出相连,T7、T8与列选择器,与列译码器输出相连,当且仅当T5-T8同时工作时,才可进行读写操作。读写放大器由三态使能反相器构成,当读选择或写选择激活时才工作,由DIN或DOUT进行数据传输。
当其进行读操作时,T5-T8工作,数据由位线A传输至读出放大器,而位线A’则传输A的反相,直至第一个写放大器(反相器),被反相为A,依然输出至读出放大器。
写操作类似。

下面以Intel2114芯片为例详细说明。
Intel2114芯片外特性示意图

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