小白篇-二极管种类及应用场景简介

1. 二极管的工作原理

• 二极管的工作原理是基于 PN 结的单向导电性。当 PN 结正向偏置时，二极管导通，允许电流通过；当 PN 结反向偏置时，二极管截止，阻止电流通过。
  

• 在 PN 结中，P 型半导体和 N 型半导体的交界处形成了一个空间电荷区，也称为耗尽层。当没有外加电压时，由于 P 型半导体中的空穴和 N 型半导体中的自由电子的扩散运动，在耗尽层中形成了一个内建电场，方向是从 N 型半导体指向 P 型半导体。这个内建电场阻止了空穴和自由电子的进一步扩散，使得 PN 结处于平衡状态。
  

• 当 PN 结正向偏置时，外部电源的正极连接到 P 型半导体，负极连接到 N 型半导体。这样，外部电场与内建电场的方向相反，削弱了内建电场的作用，使得空穴和自由电子能够更容易地扩散通过耗尽层，从而形成正向电流。

• 当 PN 结反向偏置时，外部电源的正极连接到 N 型半导体，负极连接到 P 型半导体。这样，外部电场与内建电场的方向相同，增强了内建电场的作用，使得空穴和自由电子更难以扩散通过耗尽层，从而形成反向电流。但是，由于耗尽层中的少数载流子（在 P 型半导体中是自由电子，在 N 型半导体中是空穴）的存在，仍然会有少量的反向电流通过二极管，这被称为反向饱和电流。
  

注意：当反向电压增加到一定程度时，反向电流会急剧增加，这被称为二极管的反向击穿。反向击穿会导致二极管损坏，因此在使用二极管时需要注意反向电压的大小。

2. 二极管的种类及应用

2.1 按材料进行分类

2.1.1 硅二极管

• 电气特性：
  ○ 正向导通电压较高：硅二极管的正向导通电压一般在 0.5V 至 0.7V 之间。虽然比锗二极管的导通电压高，但在现代电子电路中，这个电压通常可以通过合适的电源设计来满足。
  ○ 反向电流小：硅二极管的反向电流通常非常小，一般在纳安级别。这使得硅二极管在需要低漏电流的应用中表现出色，例如在高精度的电源和信号处理电路中。
  ○ 反向电压容差高：硅二极管能够承受较高的反向电压，常见的硅二极管可以承受几十伏到几百伏甚至更高的反向电压。这使得硅二极管在高电压应用中具有广泛的用途。

• 优势：
  ○ 稳定性好：硅材料在物理和化学性质上相对稳定，不易受环境因素的影响。这使得硅二极管在各种工作条件下都能保持较为稳定的性能，可靠性高。
  ○ 温度特性好：硅二极管的性能随温度的变化相对较小。在较宽的温度范围内，硅二极管的正向导通电压、反向电流等参数变化不大，这对于在不同环境温度下工作的电子设备至关重要。
  ○ 成本低：随着半导体技术的不断进步，硅二极管的生产成本不断降低。目前，硅二极管在市场上的价格相对较低，使其在各种电子设备中得到广泛应用。

• 应用场景：
  ○ 电源整流：在各种电源电路中，硅二极管被广泛用于将交流电转换为直流电。由于硅二极管能够承受较高的反向电压和电流，因此非常适合用于大功率电源的整流。
  ○ 信号隔离：硅二极管可以作为信号隔离元件，防止不同电路之间的信号干扰。例如，在数字电路中，硅二极管可以用于隔离输入和输出信号，提高电路的抗干扰能力。
  ○ 稳压电路：在稳压电路中，硅二极管可以与其他元件配合使用，实现对输出电压的稳定。例如，在齐纳二极管稳压电路中，硅齐纳二极管可以在一定的电压范围内保持稳定的输出电压。

2.1.2 锗二极管

• 电气特性：
  ○ 正向导通电压低：锗二极管的正向导通电压一般在 0.2V 至 0.4V 之间，相比硅二极管的 0.5V 至 0.7V 要低很多。这意味着锗二极管在较低的电压下就能够导通，在一些对电压要求较低的电路中具有优势。
  ○ 反向电流较大：锗二极管的反向电流比典型的硅二极管大，通常在 5 至 10 微安的范围。反向电流是指在二极管反向偏置时，通过二极管的微小电流。
  ○ 反向电压容差较低：其能够承受的最大反向电压相对较低，一般典型的反向电压值约为 70 伏。

• 优势：
  ○ 生产简单：制造锗二极管不需要复杂的扩散或外延生长技术，制造商可以相对容易地分离 N 型锗的部分，并在理想的整流结处连接一根电线，所以在半导体技术发展的初期被广泛使用。
  ○ 结电容低：结电容是指二极管 PN 结的电容效应。锗二极管的结由于其微小的尺寸而具有极低的电容，这一特性使其非常适合射频应用等对电容要