山东大学软件学院计算机组织与结构实验三

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RAM实验

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注意
本文章内容仅供学习交流使用!
希望各位看到这篇文章的学弟学妹能够先自己动手设计电路图,如果实在是困难太大,再来看这篇文章。认真看电路图和相关的说明,体会实验里的原理及过程。
切记不可照抄!
受自身能力限制,难免有错误之处,希望各位不吝赐教!

如果这些内容影响了教学的进行,导致很多同学不自己动手设计电路,只是照搬照抄,请联系我,我会第一时间删稿!

一、实验目的:
了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
二、实验方案:
三、实验要求:
◆采用1K x 4 的芯片,构成1K x 8的存储器。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆采用1K x 4 的芯片,构成2K x 4的存储器。
◆必须使用译码器进行扩展(三输入都用,接开关)。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址,分别存入不同内容,作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆ 选用适当芯片,根据各种控制信号的极性和时序要求,设计出实验线路图。
◆ 分别设计试验步骤。
◆ 使用开关进行数据加载,通过指示灯显示实验结果,记录试验现象,写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。

四、参考器件:
RAM采用两片MM2114
隔离部件采用74LS244
译码器采用74LS138

备注:为简化试验,地址可只用低4位(其余地址可接地)。

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