微电子电路第二章总结

临近期中考试，对前半个学期知识点的一个总结：

2.1 硅材料的基本特性

2.1.1本征半导体的晶体结构
本征半导体：完全纯净的、不含有其他杂质且具有晶体结构的半导体。原子结构为共价键。
2.1.2本征半导体中的两种载流子
空穴（少数价电子克服共价键束缚后产生的空位）和自由电子，均称为载流子。
自由电子和空穴浓度用ni和pi表示，很显然，ni=pi
载流子的浓度与温度密切相关，随着温度的升高，基本按指数规律增加。
2.1.3杂质半导体
分为N型半导体和P型半导体
N型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的V族元素杂志，如磷、锑、砷。在本征半导体掺入5价元素后，某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多于一个电子即成为自由电子。所以自由电子浓度远大于空穴，称为多数载流子（多子），空穴为少子。5价杂质原子称为施主原子。
P型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的III族元素杂质元素，如硼、镓、铟。这种半导体中，自然，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。3价杂质原子称为受主原子。
掺入杂质的浓度决定多数载流子的浓度；温度决定少数载流子的浓度。杂质半导体总体上依旧保持电中性。

2.2 PN 结

在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。

2.2.1 PN结-载流子的运动
1.扩散运动：电子和空穴浓度差形成了多数载流子的扩散运动。
2.扩散运动形成了空间电荷区，即耗尽层。空间电荷区正负离子之间的电位差形成了内电场，会阻止多子的扩散运动。
3.漂移运动：内电场有利于少子的运动，这个运动叫做漂移运动。少子与多子的运动方向相反。
扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流减小。随着内电场增强 ，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN结的电流等于0，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。
4.PN结的单向导电性:PN结外加正向电压时处于导通状态，空间电荷区变窄，扩散运动增大，电路中有较大的正向电流。加反偏电压时处于截止状态，空间电荷区域变窄，不利于扩散运动，有利于漂移运动，但是因为少子的浓度较小，所以反向电流数值很小。
5.电流方程：PN结所加电压u与流过的电流i的关系为（Is：反向饱和电流；k：玻尔兹曼常数；T：绝对温度；q:一个电子的电荷量；V：外加正向偏压。

6.电容：当PN结上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应（势垒电容和扩散电容）。势垒电容是因为外加正片或者反偏电压形成的。

2.2.2MIS（MOS）结构
MIS：金属-绝缘层-半导体
MOS：金属-氧化物-半导体
加偏压V_G后，金属中电荷分布在一个原子层的厚度范围之内，半导体中电荷分布在一定厚度的空间电荷区内。
φ_s：表面势，空间电荷区两端的电势差

多子积累:对于p型半导体形成的MOS结构，当V_G<0时，栅极充满电子，半导体内的空穴被吸引到半导体表面，形成积累层。

多子耗尽：当V_G>0，栅极上产生少量正电荷，空穴被排斥出半导体，表面形成耗尽层。
表面反型：正向偏压继续增大（V_G>>0），表面处少子（电子）浓度超过多子（空穴）浓度，形成反型层。
强反型：表面少数载流子浓度超过体内多数载流子浓度，P型半导体表面出现n型沟道，可形成电流。
n型半导体形成的MIS（MOS）结构类似，只是载流子地位交换一下，电荷、电场、电势符号相反即可。
MIS（MOS）电容：可以看作两部分电容的串联。上面为SiO₂为介质的单位面积电容，下面为半导体耗尽曾单位面积电容。


积累状态：C≈C_ox
耗尽状态：C_si变小，C变小
反型状态：C≈C_ox

2.3 MOSFET器件

2.3.1 MOSFET器件结构
源极：S
漏极：D
栅极：G
衬底区：B
对于NMOS管，漏源之间加偏压后，电位低的一端为源，电位较高的一端为漏，PMOS管则相反
沟道长度：L
沟道宽度：W
栅氧化层厚度：t_ox
阈值电压：V_T,使源端半导体表面达到强反型的栅压，是区分MOS器件导通和截止的分界点
漏源电压：V_DS，使得电子从源极向漏极运动形成导通电流。
漏极：I_D

四种基本类型

暂时先写到这里。