微电子电路期中总结-第一章

临近期中考试，对前半个学期知识点的一个总结：

1.1集成电路历史

1946.2 美国宾夕法尼亚大学 第一台计算机被做出
1947年 贝尔实验室 第一个晶体管被做出
1958年 TI公司 第一块集成电路被做出
1960年 贝尔实验室 第一个MOSFET
1963年 仙童公司 第一个CMOS（高密度、低功耗）
1970年 Intel公司，动态随机存取存储器（DRAM）
1971年 Intel公司，微处理器（MPU）

1.2集成电路发展规律

摩尔定律：
摩尔定律认为：芯片上晶体管的数目每18个月增加1倍，这相当于每个晶体管的价格同步下降的过程。

摩尔在总结集成电路的发展时指出，集成度能够如此迅速的增长主要是三方面的贡献:
1.特征尺寸不断减小，大约每3年缩小$\sqrt{2}$倍;
2.芯片面积不断增大，使得一个芯片可以容纳更多晶体管，大约每一代增大$\sqrt{2}$倍。
3.器件和电路设计的改进。

DRAM的发展：
存储单元面积减小
芯片面积增大
单元结构设计不断改进（4管->3管->单管，平面电容->沟槽电容->叠置电容）

1.3等比例缩小原则

mos器件的发展，按比例缩小
发展是遵循摩尔定律的，新工艺的特征尺寸是前代工艺的0.7倍，即器件密度是前代的2倍。
缩小原则：
1.恒定电场的等比例缩小规则
2.工作电压很难随器件尺寸缩小而减小
3.恒定电压的等比例缩小规则
4.强电场会引起一系列器件可靠性问题
5.准恒定电场的等比例缩小规则

通过缩小尺寸，不仅可以提高集成密度，而且由于器件面积是平方率缩小，使电容减小，电路的速度不断提高。按照恒定电场的等比例缩小规则要求外加电压和器件尺寸按同样比例减小。在很长一段时间内其实一直都是用恒定电压的等比例缩小规则。由于尺寸缩小而电压不变，内部电场强度增大之后，器件可靠性会不足，但是又不想更新一代集成电路产品就换一次电压，所以实际上是几代产品降低一次。这也就是目前实际上执行的准恒定电场。

1.4集成电路的分类

硅基集成电路按工艺技术划分为两类：
双极性集成电路：利用电子和空穴两种极性的载流子导电。又分为饱和型（如TTL）和非饱和型电路（如ECL)。饱和型电路中晶体管要进入饱和区工作，开关速度慢。ECL电路中不进入饱和区，而且电路逻辑摆幅很小，因此，极大提高了工作速度。
但是，都有较大的静态功耗，限制了集成度的提高。

MOS集成电路：由MOS晶体管构成
发展过程：PMOS->NMOS->CMOS;
PMOS:靠空穴导电
NMOS:靠电子导电，因为电子迁移率高，所以NMOS晶体管速度快，但是随着集成度提高，功耗问题突出，逐渐被功耗低的CMOS替代。

集成电路按工作特性可以划分为3类：
数字集成电路：抗干扰能力强，可恢复逻辑。典型产品有存储器和微处理器。
模拟集成电路：因为利用了晶体管的放大特性，因此对器件的增益、噪声和频率特性要求高。主要应用于消费类电子产品、图像处理和射频电路等方面。
数模混合集成电路：实现数字信号和模拟信号相互转换。

集成电路按应用角度又可以分为通用集成电路（标准集成电路）和专用集成电路。

集成电路按集成度又可以分为小/中/大/超大规模集成电路