W25QXX数据手册

芯片介绍

1.芯片RAM影子代码，直接从SPI总线执行代码，并保存数据。
2.按32768个页组织，每页256字节，一次可编程1~256个字节，页可按组擦除：一组16页（一个4K扇区），一组128页（即32KB块），一组256页（即64K块），整个芯片。
3.相应的有2048个扇区和128个可擦除的块。
4.芯片选择，CS高电平各脚高阻值，上电后在接受新数据CS必须从高到低转变。
5.WP脚可用于保护“状态寄存器”不被写入，WP脚是低电平有效。
6.用于芯片被暂停
7.状态寄存器
（1）.1.1 BUSY 忙 比特位S0，当芯片忙时被置于1.
（2）.1.2 WEL 写能 执行写能指令后被置位为1。
8.保护范围设定（可读写）
BP2 BP1 BP0

9.从顶/底部开始保护（TB）

10.扇区/块保护（SEC）

11.状态寄存器保护（SPR，SPR0）

12.Quad模式使能（可读写）

芯片操作

1.写能（设置WEL位为1）（0x06）
在写入数据，擦出数据前WEL位需要置位为1.
在CLK上升沿输入DI（0x06）
2.禁止写（设置WEL位0）（0x04）
写数据，擦除数据WEL会自动清零

3.读取状态寄存器（0x05 or 0x35）
可以在任何时候读取状态寄存器
通过BUSY位判断芯片是否忙
CS拉高结束本指令

4.写入状态寄存器（0x01）
WEL需先置位为1
传输数据结束后必须拉高CS
CS拉高后才会进行烧写操作，需等待BUSY位
5.标准读（0x03）
可依次读一个或多个字节
拉低CS，输入指令（0x03），再地址
CS拉高结束

6.标准写（0x02）
可编程1-256个字节在以擦除的扇区（最小4K）
WEL需先置1
发送指令（0x02），3字节地址，需写入代码
全过程CS拉低
CS拉高开始烧写等待BUSY

7.扇区擦出（4K（0x20）32K（0x52）64K（0xD8）全片（0xC7/0x60））
WEL置1
发送指令代码（0x20），地址
拉高CS等待BUSY

8.关机（0xB9）
降低待机电流

9.读芯片ID/开机（0x90）
开机
注意输入24位0