存储器
SRAM 静态RAM,需要大量晶体管(一个比特需要6个晶体管),耗费大量资源(用在CACHE高速缓存)
DRAM 动态RAM,需要时刻充电,断电即失真。价格低。
MROM 不能改
PROM 一次性改
EPROM 紫外线多次改
EEROM 电擦除,成本高
FLASH U盘
存储器
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DRAM 动态RAM,需要时刻充电,断电即失真。价格低。
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PROM 一次性改
EPROM 紫外线多次改
EEROM 电擦除,成本高
FLASH U盘