Mos管的工作原理

这是Mos管的原理图，它可以实现这样的功能，当栅极没有电压时，它是截止的，当给栅极施加电压时，它就导通了。

 接下来说下工作原理，这是Mos管的半导体结构，两块蓝色区域为N型半导体，在纯净的Si原子中掺入了5价P原子，此时磷原子最外层多出来一个自由电子，故其带负电，所以叫它N型半导体。黄色区域是P型半导体，它是在纯净的硅原子中掺入了三价硼，此时硼原子最外层就缺少了一个电子，我们称之为空穴，空穴吸引电子带正电。

 需要注意的是，P型半导体里面不全是空穴，里面也有自由电子的存在，

只是没有N型半导体那么多。

 给两块N型半导体引出两个电极，分别作为Mos管的源极和漏极。

给他们通上电，这时他们是截止的，因为它们之间形成了两个二极管，而且方向相反，一端导通，另一端就会截止。

 

 为了让它导通，在P区加了很薄一层二氧化硅绝缘层，然后制作了一层金属板形成栅极，此时给栅极通上电，它就能把自由电子吸引到栅极附近，把空穴赶走，电压越大，吸引的自由电子越多，当自由电子足够多时，就形成了N沟道（N型半导体之间的沟道），所以在栅极施加电压后，它就导通了。电压去掉后，就会截止。

 它具备两个特点：

1. mos管的栅极输入阻抗非常高，这是因为有绝缘层的存在，几乎完全关闭了电子的通道，造成它的输入电阻可达上亿欧姆，所以说它的输入几乎不取电流。
2. mos的栅极很容易被静电击穿。击穿后就只能形成栅极和源极之间的电流。
3. 

 

 

 最后再来看电路图，源极和栅极电路板，栅极电路板和绝缘层，箭头代表N沟道电子的流动方向。