电磁兼容原理与技术 复习笔记

第一章 电磁兼容概论

  •         电磁干扰及其危害
    • 电磁干扰:当电子、电气设备运行时发射出的电磁能量影响到其他设备的正常工作时,我们就说产生了电磁干扰效应,或简称为电磁干扰
    • 危害:
      • 对电磁设备或系统的危害
      • 对武器装备及燃油的危害
      • 对人体的危害
  • 电磁兼容(EMC,electromagnetic compatibility):电磁兼容是指电子、电气设备或系统的一种工作状态。在这种工作状态下,它们不会因为内部或彼此间存在的电磁干扰而影响其正常工作。
    • 电磁兼容性则是指电子、电气设备或系统在预期的电磁环境中,按设计要求正常工作的能力,他是电子、电气设备或系统的一种重要的技术性能。
      • 其一,设备或系统应具有抵抗给定电磁干扰的能力
      • 其二,设备或系统不产生超过规定限度的电磁干扰
    • 基本电磁兼容术语:略
    • 电磁干扰的形成必须具有以下三个因素:
      • 电磁干扰源,指产生电磁干扰的元件、器件、设备、分系统、系统或自然现象;
      • 耦合通道,指将电磁能量从干扰源耦合(或传输)到敏感设备上,并使敏感设备产生响应的通路或媒介;
      • 敏感设备:指对电磁干扰产生响应的设备。
      • 电磁干扰效应:由电磁干扰源发出的电磁能量,通过某种耦合通道传输到敏感设备,导致敏感设备出现某种形式的响应并产生效果。这一作用过程及其效果,称为电磁干扰效应。
  • 电磁兼容学科的研究领域
    • 电磁干扰源、耦合通道、敏感设备特性的的分析
    • 电磁兼容性分析预测
    • 电磁兼容性设计
    • 电磁干扰抑制技术
    • 电磁兼容性测量
    • 电磁兼容性标准与规范
    • 信息泄漏与防泄漏技术
    • 频谱管理
  • 电磁兼容的研究方法
    • 从学科特点
      • 理论体系以电磁场理论和电路理论为基础
      • 大量引用无线电技术的概念与术语
      • 计量单位的特殊性
    • 从实施方法
      • 问题解决法
      • 规范法
      • 系统法
    • 发展趋势
      • 数据采集自动化
      • 评价体系综合化
      • 设计程序化和自动化
      • 标准的国际化
    • 电磁兼容性标准概况
      • 电磁兼容标准的基本内容
        • 规定名词术语
        • 规定电磁发射和电磁敏感度的限值
        • 规定测试方法
        • 规定电磁兼容控制方法或设计方法
    • 电磁兼容计算单位和换算关系(重点,即dB之间的转换)此处略

第二章 电磁干扰源

  •     电磁干扰源的分类
    • 按干扰幅度特性
      • 静态干扰
      • 瞬态干扰
    • 按频带宽度
      • 宽带干扰
      • 窄带干扰
    • 按干扰波形
      • 连续波干扰
      • 脉冲波干扰
    • 干扰场的性质
      • 电场干扰
      • 磁场干扰
      • 电磁干扰
    • 按耦合途径
      • 传导干扰
      • 辐射干扰
    • 自然干扰源
      • 雷电
      • 局部大气噪声
      • 宇宙噪声
      • 热噪声
    • 人为干扰源
      • 功能性干扰源
      • 非功能性干扰源
        • 静电放电
        • 高压送变电系统
        • 点火系统干扰源
        • 旋转机械干扰源
        • 家用电器、照明器具
        • 工业、科学和医疗设备
        • 核电磁脉冲
    • 电磁干扰源的基本性质
      • 频率特性
      • 空间分布特性
      • 时间分布特性
      • 幅度
    • 习题(盲点)
      • 判断周期信号,求出其相应的周期
      • 求其幅度频谱表达式

第三章 电磁干扰的耦合与传播

  • 电磁干扰的途径
    • 传导耦合,即在干扰源与敏感设备之间必须存在完整的电路连接才会形成传导耦合
      • 电阻性耦合
      • 电容性耦合
      • 电感性耦合
    • 辐射耦合,即指电磁干扰能量以电磁波的形式通过周围媒质传播到敏感设备
      • 空间电磁波对接收天线的耦合
      • 空间电磁波对传输线的耦合
      • 传输线间的耦合
    • 传导耦合和辐射耦合从机理上说是两种不同的传播耦合方式,但它们之间在一定条件下可以相互转化。
  • 传导干扰传输线的性质
    • 低频域传输线路,即传输线的几何长度l远小于波长\lambda
      • 对于模拟电路。可将其作为集中参数电路处理
      • 对于数字电路,一般将传输的脉冲信号分为
        • 窄脉冲,考虑线路阻抗而产生的压降,以及线路中的寄生电容使波形变钝等现象
        • 宽脉冲,考虑传输时间的滞后以及线路反射等问题,只有l\ll v\Delta\tau(这种脉冲波处理方式与正弦波类似),才能作为低频域处理
      • 低频时的集中参数电路
        • 用等效电路法进行分析,整个线路上的寄生电容用C1表示,往返线路上的分布电阻用串接于电路中的R1表示,最终接收端的电压可表示为
          • U_r= \frac {R_r} {R_s+R_r+2R_1}U_sin(\omega t-\phi)
          • 其中,相角\varphi = arctan[\omega C_1 \frac {(R_s+R_1)(R_r+R1)} {R_s+R_s+2R_1}]
          • 当线路电阻R1很小时,则由信号源电阻Rs和负载电阻Rr决定
      • 高频时的分布参数电路
        • l\approx \lambda,就必须将传输线路看做分布参数电路。线路上电压波、电流波的传播特性由线路的分布电容C、分布电感L、分布电阻R和分布电导G决定。对于无损耗的理想传输线,R和G均为零,则传输线路主要的参数特性阻抗Z_c、传输速度v和输入阻抗Z_{in}由传输线的单位长度电感L_1和单位长度电容C_1确定,有:
          • Z_c = \sqrt{\frac{L_1} {C_1}}
          • v = \frac {1} {\sqrt{L_1C_1}}
          • Z_{in} = Z_c \frac{Z_r+j Z_ctan{\beta l}} {Z_c+j Z_rtan{\beta l}}
          • 式中,\beta = 2\pi/ \lambda,Z_r为负载阻抗,l为线路长度。
      • 线间电压和对地电压
        • 传输线多数为平行往复双线的成对形式,为分析这种情况的导线干扰,把线路分成两个部分:一个是两根导线所构成的回路,称为线间回路;另一个是导线与地线所构成的回路,称为对地回路。之所以要这样分开讨论,是因为两个传输回路的阻抗特性不同,因此将这种情况下的电压分别称为线间电压和对地电压,U_1即为导线的对地电压,U_s则为两根导线的线间电压。
        • 引入共模干扰和差模干扰的概念:
        • 一对导线上流过的电流幅度相等,而相位相同则称为共模电流。共模电流产生共模干扰。
        • 一对导线上流过的电流幅度相等,而相位相反则称为差模电流。差模电流产生差模干扰。
        • 这样,导线上的电磁干扰,除被感应产生的电势外,对于地回路来说,还需增加一项由两接地点的大地点间的大地电位差引起的共模干扰电压;而对于线间回路来说,则需在信号源之上叠加一项差模干扰电压。
        • 即  对地电压U_L=U_1+U_c, 线间电压:U_M=U_s+U_d
        • 式中,U_1为原有的导线对地电压,U_c为由地电位差引起的共模干扰电压,U_s为信号源电压,U_d为由线间回路受干扰引起的差模电压。
        • 通常线路上两种干扰分量同时存在。干扰在线路上经过长距离传输后,差模分量衰减要比共模分量大,且共模分量传输时会对周围空间辐射。差模分量不会辐射。因此,大部分电源干扰均由共模分量引起的。
    • 传导耦合分析
      • 分类
      • 电阻性耦合
        • 电阻性耦合干扰的产生至少存在两个相互耦合的电流回路,其电流全部或部分地在公共阻抗中流过。用电阻性耦合的物理模型进行分析,每个电流回路中流过的电流是该回路本身的电流与另一个与之耦合的电路在其中产生的电流之和。
        • 先分析U_{01}产生的有效电流,令U_{02}=0,由图可得回路1中电流I_1,再看 U_{02}经过阻抗Z_3Z_4在回路1中产生的干扰电流此时再令 U_{01}=0,可得 I_2,这样可得通过Z_{12}中的电流 I_{12}
        • 式中的第一项为有效电流的一部分,第二项为干扰电流的一部分。而干扰电流在被干扰回路的阻抗 Z_{11}Z_{12}上产生的干扰电压分别为U_{11}U_{12}.在给定的工作频率范围内,若干扰电流或干扰电压超过了被干扰对象的敏感度门限,就会引起干扰效应。
        • Z_3=0 \, Z_4=0时,物理模型就简化为之后的回路,这是一种常见的情况,公共阻抗耦合就是实例。此时通过Z_{11}的电流是有效电流和部分干扰电流的总和,即得到I_{11},若此电流超过敏感门限值就会引起干扰效应。
        • 在耦合阻抗Z_k上的干扰压降为U_k
        • 若此电压超过敏感门限值也要引起干扰效应。
        • 显然,当耦合阻抗Z_k趋于无穷大时,干扰源U_{02}与信号源U_{01}之间直接耦合,干扰直接进入信号回路中。反之,当耦合阻抗Z_k趋于零时,干扰电压U_k将消失。这样,在有效电流回路与干扰电流回路之间即使存在电气连接,它们彼此也不再产生干扰耦合。这种情况称为电路去耦,是抑制电阻性干扰的措施之一。
        • 前面提到的公共阻抗耦合是指来自两个不同电路的电流流经一个公共阻抗时,就会产生公共阻抗干扰耦合。每一个电路的电流通过该公共阻抗产生的电压降都将会对另一个电路施加影响。这种耦合的典型例子是公共接地阻抗耦合和公共电源阻抗耦合。
      •  电容性耦合
        • 电容性耦合又称电场耦合,它是由两电路之间的电场相互作用而产生的。如图所示,为构成两电路的平行双导线间的电容性耦合模型及其等效电路。
        • 设电路1为干扰源电路,电路2为被干扰电路。图中的导线1上的电压U_1视为干扰源电压,C_{1G}是导线1与地之间的电容,C_{12}是导线1和导线2之间的分布电容,C_{2G}是导线2与地之间的总电容(指导线2到地的分布电容以及与导线2相连的任何电路的分布电容之总和);R是电路2与地之间的电阻,它是由与导体2相连接的电路引起的。由等效电路可得到干扰源电压U_1经电容耦合在导线2与地之间产生的干扰电压为
          • U_N= \frac{j\omega C_{12}RU_1} {1+j\omega R(C_{12}+C_{2G})}
          • 在大多数情况下,电阻R满足下面的关系式
          • R\ll \frac {1} {\omega(C_{12}+C_{2G})}
          • 此时
          • U_N \approx{j\omega C_{12}RU_1}
          • 该式表明,电容性耦合可以视为在导体2与地之间连接了一个幅度等于\ j \omega C_{12} U_1的电流源。
          • R\ll \frac {1} {\omega(C_{12}+C_{2G})}是一个重要公式,它清楚地描述了两导体之间的电容性耦合产生的干扰电压直接正比于干扰源的频率\omega、导线1和2之间的分布电容C_{12}、导线2与地之间的电阻R以及干扰源电压U_1。若假定干扰源电压和频率都固定不变,这时影响电容性耦合的参数只有接收电路的电阻R和两导线间的分布电容C_{12},减小R或减小C_{12}都可降低电容耦合干扰电压。增大两导线的距离、合理选择导线的布置方式、避免平行走线,以及采用屏蔽等,都可以使电容C_{12}减小。
          • 如果导线2与地之间的电阻R很大,且满足下式
          • R\gg \frac {1} {\omega(C_{12}+C_{2G})}
          • 此时U_N= \frac{j\omega C_{12}RU_1} {1+j\omega R(C_{12}+C_{2G})}简化为 U_N= \frac{ C_{12}U_1} {(C_{12}+C_{2G})}
          • 可见,在这种情况下,导线2与地之间的干扰电压取决于C_{12}C_{2G}的分压比,与频率无关,且比U_N \approx{j\omega C_{12}RU_1}所确定的干扰电压值要大得多
          • U_N= \frac{j\omega C_{12}RU_1} {1+j\omega R(C_{12}+C_{2G})}可得出电容性耦合干扰电压的频率响应曲线,如图,图中还给出了由U_N \approx{j\omega C_{12}RU_1}表示的干扰电压近似值和由U_N= \frac{ C_{12}U_1} {(C_{12}+C_{2G})}表示的干扰电压最大值。当频率满足\omega_0= \frac {1} {R(C_{12}+C_{2G})}时,由U_N= \frac{j\omega C_{12}RU_1} {1+j\omega R(C_{12}+C_{2G})}给出的近似值的1/ \sqrt{2}。因为绝大多数实际情况下的频率都远低于\omega_0= \frac {1} {R(C_{12}+C_{2G})}表示的频率,故简化U_N \approx{j\omega C_{12}RU_1}具有普适性。
          • 前面提到采用屏蔽可以减小电容性耦合干扰,现在讨论在导体2外加上同轴的屏蔽层的情况,如图所示。图中C_{12}为导线2未被屏蔽的部分与导线1之间的电容,C_{2G}为导线2未被屏蔽的部分与地之间的电容,C_{1S}为导线1与导线2的屏蔽层之间的电容,C_{SG}为导线2的屏蔽层与地之间的电容,C_{2S}为导线2与其屏蔽层之间的电容,R为导线2与地之间的电阻。
          • 下面分别讨论三种可能出现的情况:
            • (1)导线2与地之间的电阻为无限大,且导线2被全部屏蔽。此时R=\infty , C_{12}=0,C_{2G}=0,由图可看出屏蔽层上拾取的干扰电压为
            • U_S=\frac {C_{1S}}{C_{1S}+C_{SG}}U_1
            • 由于没有电流通过C_{2S},所以导线2拾取的干扰电压为
            • U_N=U_S
            • 通常,屏蔽层是接地的,有U_S=0,因此U_N=0.这是一种理想情况,即干扰接收器(导线2)被屏蔽层完全屏蔽,且屏蔽接地
            • (1)导线2与地之间的电阻为无限大,但导线2的末端延伸到屏蔽层之外。此时,R=\inftyC_{12}C_{2G}均为有限值。在屏蔽层接地情况下,导线2上耦合的干扰电压为
            • U_N=\frac {C_{12}}{C_{12}+C_{2G}+C_{2S}}U_1
            • 式中,C_{12}的值取决于导线2延伸到屏蔽层外的那部分的长度。因此,在这种情况下为减小耦合干扰电压U_N,应尽可能减小导线2延伸至屏蔽层外的长度,且保证屏蔽层有良好性能。
            • (3)导线2的末端延伸到屏蔽层之外,但导线2与地之间的电阻值R为有限值。当屏蔽接地时,由等效电路可得导线2上的电容耦合干扰电压为U_N=\frac {j\omega C_{12}R}{1+j\omega R(C_{12}+C_{2G}+C_{2S})}U_1
            • 而通常情况下,关系式 R\ll\frac {1}{\omega (C_{12}+C_{2G}+C_{2S})}
            • 是满足的,因此式U_N=\frac {j\omega C_{12}R}{1+j\omega R(C_{12}+C_{2G}+C_{2S})}U_1可简化为
            • U_N\approx j\omega R C_{12} U_{1}
            • 上式于与之前未加屏蔽的公式在形式上完全一样,但应注意到这里的C_{12}是导线2末端延伸到屏蔽层外的那部分与导线1之间的电容,其值远小于之前式中C_{12}的值,因此U_N因屏蔽而降低。
          • 例3-1 导线的直径d=2mm,两导线之间的距离D=20mm,导线离地高度h=10mm。若在导线1上加上干扰源电压U_1=10V,频率f=10MHz,求导线2上接负载R=50 \Omega时所拾取的干扰电压。
            • 由等效电路可得到产生于导线2与地之间的干扰电压为
            • U_N= \frac{j\omega C_{12}RU_1} {1+j\omega R(C_{12}+C_{2G})}
            • 式中 \omega=2\pi f=2\pi \times 10\times 10^{6}=2\pi \times 10^{7}rad/s\
            • C_{12}C_{2G}可利用公式计算:
            • C_{12}^{'}\approx\frac{\pi\varepsilon_{0}}{ln(D/r))}=9.28pF/m
            • C_{2G}^{'}\approx\frac{\pi\varepsilon_{0}}{ln(2h/r))}=18.56pF/m
            • \frac {1} {j\omega(C_{12}+C_{2G})}=-j5.72 \times 10^2
            • R\ll \frac {1} {\omega(C_{12}+C_{2G})}
            • 则干扰电压U_N\approx j\omega R C_{12} U_{1}=j \times0.292V
          • 例 3-2 题意与例3-1相同,但导体2外面有一层同轴的屏蔽体将其全部包围。求R = \infty时,单位长度导体2以及屏蔽层所拾取的干扰电压。
            • 由之前分析
            • U_S=\frac {C_{1S}}{C_{1S}+C_{SG}}U_1
            • 由于没有电流通过C_{2S},所以导体2上拾取的干扰电压为
            • U_N=U_S
            • 通常,屏蔽层是接地的,故U_N=U_S=0,即由于屏蔽层的作用,导体2上不会拾取干扰电压。
            • 屏蔽层不接地,则用例3-1的数据算
        • 电感性耦合
          • 电感性耦合又称磁耦合,它是两电路之间的磁场相互作用而引起的。当一个电路中的电流发生变化时,其周围磁场也发生变化,就将在位于磁场中的另一个电路中感应出电动势。这样,一个电路中的信号就耦合到另一个电路中了。
          • 当电路中有电流I流动时,此电流产生的磁通量\phi与电流I成正比,可表示为
          • \phi=LI
          • 式中的比例常数L称为电感,它与电路的几何形状及周围的媒质特性有关。
          • 当一个电路中的电流产生的磁通穿过另一个电路时,此磁通表示为
          • \phi_{12}=M_{12}I_{1}
          • 式式中的比例常数M_{12}称为两个电路间的互感,\phi_{12}就表示电路1中的电流I_1在电路2中产生的磁通量。
          • 根据法拉第电磁感应定律,磁感应强度B的磁场在面积为S的闭合回路中产生的感应电压为
          • U_N=-\frac{d}{dt}\int_{S}BdS
          • 若电流i随时间按正弦规律变化,则B也按正弦规律变化,式U_N=-\frac{d}{dt}\int_{S}BdS可表示为复数形式
          • U_N=j \omega BScos \theta
          • 式中,\theta是矢量B和S之间的夹角,BScos \theta就是穿过敏感电路的总磁通量
          • 比较\phi_{12}=M_{12}I_{1}U_N=-\frac{d}{dt}\int_{S}BdS,可将感应电压表示为
          • U_N=M\frac{di}{dt}
          • 对于正弦电流,则可表示为
          • U_N=j \omega MI_1
          • 因此,要减小电感性耦合干扰电压,必须减小干扰场的磁感应强度B、敏感电路所包围的面积S以及cos\theta的值。
        • 辐射耦合分析
          • 通过空间传播的电磁能量而造成的干扰耦合称为辐射耦合。电磁场能量以电磁波的形式从场源向周围空间传播且不返回场源的现象称为电磁辐射。在分析辐射干扰源时常用到两个基本的干扰源模型-电基本振子和磁基本振子。
          • 电基本振子的辐射
            • 许多实际的辐射干扰源往往是以电偶极子亦称电基本振子的形式出现的。对于一个长导体线当其有干扰电流流动,而流动的电流分布为已知时,则可以计算离导线任意距离的场。为此必须先求出电流元的场、
            • 1、电磁场分布E_{\theta}
            • 设一段导线dz\ll \lambda,导线上的电流为均匀分布。Idz称为微分电流元,电流源放置于z轴。电流元产生的场的表达式为
            • E_r=60k^2Idz[\frac{1}{(kr)^2}-\frac{j}{(kr)^3}]cos\theta e^{jkr}
            • E_{\theta}=j30k^2Idz[\frac{1}{kr}-\frac{j}{(kr)^2}-\frac{1}{(kr)^3}]sin\theta e^{jkr}
            • H_{\varphi}=j\frac{k^2}{4\pi}Idz[\frac{1}{kr}-\frac{j}{(kr)^2}]sin\theta e^{jkr}
            • E_{\varphi}=H_{r}=H_{\theta}=0
            • 式中,I为电流有效值(A),dz为短导线元(m),r为原点到观测点距离(m),k=2\pi/ \lambda,\lambda为波长(m),E为电场强度(V/m),H为磁场强度(A/m)。式中的时间因子e^{j\omega t}已略去,因为在所有对我们有用的情况下,我们均假定电流以固定频率随时间做正弦变化
            • 2、场区划分
            • 电流源在空间的场可分为三个区域:近场区、中场区、远场区。
            • (1)近场区
            • r \ll \lambda/2\pi的区域,称为近场区。场的性质主要是感应场的性质,所以又称为感应场。在上文三式中,由于r \ll \lambda,因而对于E_rE_{\theta}项可只取1/r^{3}项,对H_{\varphi}只取1/r^{2}项,而忽略其他低次项,此时场变为
            • E_r=-j60Idz\frac{1}{kr^3}cos\theta e^{jkr}
            • E_{\theta}=-j30Idz\frac{1}{kr^3}sin\theta e^{jkr}
            • H_{\varphi}=\frac{1}{4\pi}Idz\frac{1}{r^2}sin\theta e^{jkr}
            • 考完辣!
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电磁兼容原理技术(Electromagnetic Compatibility principles and techniques, 简称EMC)是一门涉及电磁场与电子设备相互作用的学科。 电磁兼容原理技术的目的是确保电子设备在电磁正常工作,同时又不对其他设备产生干扰。这个原则对于现代社会和工业具有极大的重要性,因为电子设备的广泛应用和互连导致电磁干扰日益增加。如果电磁兼容性不佳,不同设备之间可能会发生相互干扰,甚至导致设备故障或误操作。 电磁兼容原理技术的核心内容包括电磁场的传播和辐射、电磁敏感度、电磁干扰机制、电磁信号传输、电磁隔离、抗干扰设计等。在电磁兼容原理技术,关键的步骤包括电磁兼容性设计、电磁兼容性测试和电磁兼容性管理。 电磁兼容原理技术的应用领域广泛,包括电力系统、通信设备、网络设备、汽车电子、航空航天电子等。当我们设计和使用这些设备时,必须考虑电磁兼容原理技术,以确保设备能够在相对复杂的电磁正常运行。 电磁兼容原理技术已经成为电子工程、通信工程和电磁工程等领域的重要课程。理解和应用电磁兼容原理技术,可以帮助工程师更好地设计和开发电子设备,提高设备的可靠性和稳定性。 总结来说,电磁兼容原理技术是为了确保电子设备在电磁正常工作和不造成干扰而研究的学科。它涉及电磁场的传播和辐射、敏感度、干扰机制、信号传输、隔离和抗干扰等方面。对于现代社会和工业来说,电磁兼容原理技术意义重大,它已广泛应用于电力系统、通信设备、汽车电子等行业。通过学习和应用电磁兼容原理技术,可以提高设备的可靠性和稳定性,推动电子设备的发展。
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