eMMC/Nand SLC MLC与TLC的区别及擦写寿命

已于 2023-03-22 18:57:43 修改
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文章标签： 嵌入式硬件
于 2023-03-20 16:16:27 首次发布
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文章详细介绍了SLC、MLC和TLC三种闪存类型的区别，包括它们的存储密度、性能、寿命和价格。SLC以其高速度和长寿命但高价格为特点，常用于工业系统；MLC作为中庸之选，价格适中；而TLC尽管价格便宜，但寿命最短，适用于对成本敏感的应用。eMMC通常采用MLC技术，通过负载均衡算法延长使用寿命。

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1、SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型，三者区别如下：SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

4、工业系统一般要求使用Nand Flash,通常使用SLC nand，这样Flash的存存储寿命更长(5-10w次)；

5、eMMC存储器通常使用MLC技术，擦除/写入速度上存在很大局限性，一般在4000个写入周期，但eMMC已经使用负载均衡算法，各个块寿命会有一个均衡处理；

6、TLC的存储器暂没有使用过，不作说明；

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