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RSS订阅原创 函数调用过程中的栈帧结构及其变化
当某个函数运行时，机器需要分配一定的内存去进行函数内的各种操作，这个过程中分配的那部分栈称为栈帧。下图描述了栈帧的通用结构。栈帧是一段有界限的内存区间，由最顶端的两个指针界定，寄存器%ebp为帧指针，而寄存器%esp为栈指针(也就是说寄存器%ebp保存了所分配内存的最高地址，寄存器%esp保存了所分配内存的最低地址)。当程序执行时，栈指针(栈顶)可以移动，因此大多数信息的访问都是相对于桢指针的。
2024-07-24 14:59:44
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原创 深入解析内存原理：RAM的基本原理
这样的基本存储单元的架构是目前最经济的方式，电容的状态决定着内存基本存储单元的逻辑状态是“0”还是“1”－－充满电荷的电容器代表逻辑“1”，“空”的电容器代表逻辑“0”，不过正是因为使用了电容器所以产生了一些局限性。因为如果实际情况真的是这样的话，在实际制造芯片的时候，会有很多实际的困难，特别是在需要设计大容量的RAM 的时候。知道了RAM 的基本结构是什么样子的，下面我们就谈谈RAM存储字节的过程是怎样的：上面的示意图1 显示的也仅仅是最简单状态下的情况，也就是当内存条上仅仅只有一个RAM 芯片的情况。
2024-04-23 14:12:53
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原创 CRC算法大全
https://crccalc.com/?crc=02%20C9%202D%200A%2000&method=crc8&datatype=hex&outtype=hex
2024-03-25 21:16:25
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原创 MOS管的工作原理
MOS管的结构：根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。现在以N沟道器件为例来介绍一下MOS管的工作原理。如下图所示，N沟道增强型MOS管的结构示意图。它以低掺杂的P型硅材料作衬底，在上面制造两个高掺杂的N型区，分别引出两个电极，作为源极s和漏极d，在P型衬底的表面覆盖一层很薄的氧化膜(二氧化硅)绝缘层，并引出电极作为栅极g。这种场效应管的栅极g和P型半导体衬底、漏极d及源极s之间都是绝缘的，所以也称为绝缘栅场效应管。
2024-01-03 16:25:33
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原创 GPIO以及引脚(pin)的驱动能力
3）I/O驱动能力的差异来源于MOS管自身的特性，要想过电流能力大，MOS管体积就要大，芯片所需的面积就会更大，成本自然也会更高。道理同上，流过N-MOS电流越大，N-MOS产生压降越大，I/O口电压越大。当电压达到逻辑0的最高电压Vol时，这时的电流就表示驱动能力。2）如果某I/O的驱动能力是5mA，并不是表示它输出不了超过5mA的电流，只是当输出电流超过5mA之后，它的输出电压会下降，电压会小于Voh。当输出高电平1时，I/O内部VDD经过PMOS流向I/O引脚，如下图红色箭头所示，
2023-05-06 16:37:21
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空空如也
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