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半导体
如下图所示,左边是导电性好的材料,比如金、银、铜等金属之类,越往右边,导电性越差;右边是绝缘材料,比如陶瓷、塑料等。中间的是半导体,导电性介于导体与绝缘体之间的物质。半导体是现代信息社会必不可少的材料,目前以硅为主。当然最新的半导体材料已经发展到第三代,比如氮化镓、碳化硅等。
什么是半导体呢?
半导体的功能在于,根据外界条件的不同,他既可以成为导体,也可以变成绝缘体。半导体做成的器件,就好比一个开关,你可以让水流过,也可以不让水流过,而且这个水流可大可小
半导体硅材料
硅在初中和高中化学课上都学过:硅(Si)原子的原子核内质子数是14,周围带有14个电子,最外层轨道带有4个电子。
硅材料经过提纯,就变成硅晶体。硅晶体之间是通过共用电子形成互连(原子核外围有8个电子),硅材料在纯晶体状态下是不导电的。假如我们在硅晶体中加入某种杂质之后,就可以导电。根据杂质类型的不同,半导体分为p型半导体和n型半导体。
什么是n型半导体和p型半导体?
n型半导体。在硅晶体中,我们用部分P(磷)等原子去替换硅原子(这个过程叫掺杂),就会多出一个电子(红色箭头所指蓝色小球),这个电子是可以自由移动的,这种硅叫n型半导体。初高中课本我们学过,P(磷)原子序数是15,最外面是5个电子,加上硅原子的4个原子,总共就有9个电子,而原子最外层只需要8个电子就能形成稳定结构。
假如我们给n型半导体加上电压,自由电子就会向正极移动形成电流。
p型半导体。同样的,我们用B(硼)等原子替换硅原子(这个过程叫掺杂),就会发现硅外维少了一个电子,这个空出来的地方叫空穴(红色箭头所指的浅绿色小球),这个空穴实际上啥也没有,处于虚无的状态。
那电流是怎么在p型半导体流动的呢?假如我们给p型半导体加上电压,会发生什么呢?
电子会被吸向正极(+号代表正极),移动至附近的空穴。于是,电子移动后空出来的地方成为新的空穴,旁边的电子又会移动。由于电子移动速度非常快,在电子向+极移动的同时,看上去是就好像是空穴向负极(-号代表负极)移动。实际上真正移动的是电子,但我们可以看成是空穴在移动。如下图
电子和空穴是怎么在半导体内部运动的呢?
n型半导体中,电子会向正极移动,电流移动的方向跟电子移动的方向相反,电流是向负极移动的。
p型半导体,实际移动的是电子,但看起来是空穴向负极移动
综上:n型半导体和p型半导体在外界加上电压的情况下都可以形成电流,但没有金属那么容易。半导体的特点在于外界条件不同可以选择通过电流或者不通过电流,这个就是pn结整流的基本原理。
PN结
各种各样的二极管本质上就是pn结。如果将n型半导体和p型半导体放在一起就会形成pn结。
假如我们给pn结加上正向的外部电压(正向电压是指p型半导体加正电压,n型半导体加上负电压),p型半导体中的空穴会向负极移动,n型半导体中的电子会向正极移动,当空穴与电子在结面(junction)碰到时,电子移入空穴(相当于填充了空无的状态),两者抵消。同时,新的电子流入n层,同时电子从p层流出而产生新的空穴。如此循环,电流源源不断。
假如我们给pn结加上反向的外部电压,电子和空穴移动的方向正好相反,n型半导体中的电子会向正极移动,p型半导体中的空穴会向负极移动,电子和空背道而驰,不会形成电流。在pn结面的附近会形成既没有电子也没有空穴的区域,这叫做耗尽层。这个耗尽层会产生耐压
下面画虚线的结面区域就是耗尽层,这里既没有空穴,也没有电子。这就是pn结整流的基础。
二极管
PN结再加上引出电极就形成了二极管,也叫做普通整流二极管。
正向偏压情况下:我们在A→K的方向(正向)外加电压,则电流通过。此时A-K间产生正向电压VF。VF导致产生功率损失,VF越小越好。
反向偏压情况下:我们在K→A的方向(反向)外加电压,则电流不通过。但是,实际会通过极小的反向电流IR。IR导致产生功率损失,IR小一点较好。
二极管的基本特性
正向电压VF:通过正向电流IF时产生的电压降,叫做正向电压VF,以小为好。另外,在外加反向电压VR时,会有极小的电流通过,叫做反向电流IR,它也是以小为好。
MOSFET(MOS管)
N型MOSFET:如下图,左边是N型MOS管的电路符号,右边对应的是芯片结构。在G端(栅极)不加电压的情况下,D-S之间由N-P-N型半导体组成,结合之前学的二极管知识,N到P之间加电压的时候,电流是没办法通过的,这个时候D和S之间是关断的。注:P型半导体中存在的是“空穴”(相当于正电荷),N型半导体中存在的是电子(负电荷)。
再来看一下在G端加电压后,栅极正下方的P层反转为N型半导体,N→P→N的路径将变化为N→N→N,因此电流ID可以流动。这个时候,相当于MOS管已经变成开状态,相当于水龙头开关已经打开。由于电流是通过N型层通道流通的,所以这类半导体也叫做N通道MOSFET。D和S之间有电压,也有电流,D和S之间就存在电阻,这部分电阻叫做通道电阻。
说明一下,G端的电压有个最小值,才能使得D和S之间的通道打开,这个电压叫MOSFET的栅极阈值,代号叫Vth。举个例子,某MOS管的栅极阈值电压为2V,分别加1V、2V、4.5V电压,它的表现如下:
1、在G端加1V的电压时,通道仍处于P的状态,因此电流不会流动;
2、在G端加2V的电压,通道开始反转为N,电流开始流动。⇒此为阈值(VTH),这个就是使得D和S通道打开的最小电压;
3、要使ON导通电阻完全下降,必须施加远大于VTH的电压。在G端加4.5V电压时,导通电阻为85mΩ,加10V时为79mΩ。
P型MOSFET:跟N型MOSFET类似,P型的导通通道是P型。在G-S端不加电压的情况下,P型MOSFET是P-N-P,根据二极管知识,N-P结是不会导通的。
当我们给S端加正电压时,G下面的N型半导体反转为P型。这个时候MOSFET为导通状态,导通通道为P型,而我们之前知道P型半导体里面的载流子(电流的主体)为空穴,与N型的载流子电子相比,运动起来更困难,所以导通电阻更大。
总结一下:P型MOSFET的特点:1)S端加正电压,MOSFET处于导通状态;2)跟N型相比,P型中的电流是空穴形成的,所以导通电阻更大;3)导通时,电流的流向从S端到D端。因为这些特点,实际中大部分的电路用的是N型半导体。