半导体-＞PN结-＞二极管-＞MOSFET(MOS管）

目录

半导体

 什么是半导体呢？ 

半导体硅材料

什么是n型半导体和p型半导体？

PN结

二极管 

MOSFET(MOS管）

---

半导体

---

如下图所示，左边是导电性好的材料，比如金、银、铜等金属之类，越往右边，导电性越差；右边是绝缘材料，比如陶瓷、塑料等。中间的是半导体，导电性介于导体与绝缘体之间的物质。半导体是现代信息社会必不可少的材料，目前以硅为主。当然最新的半导体材料已经发展到第三代，比如氮化镓、碳化硅等。

 什么是半导体呢？ 

半导体的功能在于，根据外界条件的不同，他既可以成为导体，也可以变成绝缘体。半导体做成的器件，就好比一个开关，你可以让水流过，也可以不让水流过，而且这个水流可大可小

半导体硅材料

硅在初中和高中化学课上都学过：硅（Si）原子的原子核内质子数是14，周围带有14个电子，最外层轨道带有4个电子。

 硅材料经过提纯，就变成硅晶体。硅晶体之间是通过共用电子形成互连（原子核外围有8个电子），硅材料在纯晶体状态下是不导电的。假如我们在硅晶体中加入某种杂质之后，就可以导电。根据杂质类型的不同，半导体分为p型半导体和n型半导体。

什么是n型半导体和p型半导体？

n型半导体。在硅晶体中，我们用部分P（磷）等原子去替换硅原子（这个过程叫掺杂），就会多出一个电子（红色箭头所指蓝色小球），这个电子是可以自由移动的，这种硅叫n型半导体。初高中课本我们学过，P（磷）原子序数是15，最外面是5个电子，加上硅原子的4个原子，总共就有9个电子，而原子最外层只需要8个电子就能形成稳定结构。

 假如我们给n型半导体加上电压，自由电子就会向正极移动形成电流。

p型半导体。同样的，我们用B（硼）等原子替换硅原子（这个过程叫掺杂），就会发现硅外维少了一个电子，这个空出来的地方叫空穴（红色箭头所指的浅绿色小球），这个空穴实际上啥也没有，处于虚无的状态。

 那电流是怎么在p型半导体流动的呢？假如我们给p型半导体加上电压，会发生什么呢？

电子会被吸向正极（+号代表正极），移动至附近的空穴。于是，电子移动后空出来的地方成为新的空穴，旁边的电子又会移动。由于电子移动速度非常快，在电子向＋极移动的同时，看上去是就好像是空穴向负极（-号代表负极）移动。实际上真正移动的是电子，但我们可以看成是空穴在移动。如下图 

电子和空穴是怎么在半导体内部运动的呢？

n型半导体中，电子会向正极移动，电流移动的方向跟电子移动的方向相反，电流是向负极移动的。

 p型半导体，实际移动的是电子，但看起来是空穴向负极移动

 综上：n型半导体和p型半导体在外界加上电压的情况下都可以形成电流，但没有金属那么容易。半导体的特点在于外界条件不同可以选择通过电流或者不通过电流，这个就是pn结整流的基本原理。

---

PN结

---

 各种各样的二极管本质上就是pn结。如果将n型半导体和p型半导体放在一起就会形成pn结。

假如我们给pn结加上正向的外部电压（正向电压是指p型半导体加正电压，n型半导体加上负电压），p型半导体中的空穴会向负极移动，n型半导体中的电子会向正极移动，当空穴与电子在结面（junction）碰到时，电子移入空穴（相当于填充了空无的状态），两者抵消。同时，新的电子流入n层，同时电子从p层流出而产生新的空穴。如此循环，电流源源不断。

 假如我们给pn结加上反向的外部电压，电子和空穴移动的方向正好相反，n型半导体中的电子会向正极移动，p型半导体中的空穴会向负极移动，电子和空背道而驰，不会形成电流。在pn结面的附近会形成既没有电子也没有空穴的区域，这叫做耗尽层。这个耗尽层会产生耐压

 下面画虚线的结面区域就是耗尽层，这里既没有空穴，也没有电子。这就是pn结整流的基础。

---

二极管 

---

PN结再加上引出电极就形成了二极管，也叫做普通整流二极管。

 

正向偏压情况下：我们在A→K的方向（正向）外加电压，则电流通过。此时A-K间产生正向电压VF。VF导致产生功率损失，VF越小越好。

反向偏压情况下：我们在K→A的方向（反向）外加电压，则电流不通过。但是，实际会通过极小的反向电流IR。IR导致产生功率损失，IR小一点较好。

二极管的基本特性

正向电压VF：通过正向电流IF时产生的电压降，叫做正向电压VF，以小为好。另外，在外加反向电压VR时，会有极小的电流通过，叫做反向电流IR，它也是以小为好。

---

MOSFET(MOS管）

---

N型MOSFET：如下图，左边是N型MOS管的电路符号，右边对应的是芯片结构。在G端（栅极）不加电压的情况下，D-S之间由N-P-N型半导体组成，结合之前学的二极管知识，N到P之间加电压的时候，电流是没办法通过的，这个时候D和S之间是关断的。注：P型半导体中存在的是“空穴”（相当于正电荷），N型半导体中存在的是电子（负电荷）。

再来看一下在G端加电压后，栅极正下方的P层反转为N型半导体，N→P→N的路径将变化为N→N→N，因此电流ID可以流动。这个时候，相当于MOS管已经变成开状态，相当于水龙头开关已经打开。由于电流是通过N型层通道流通的，所以这类半导体也叫做N通道MOSFET。D和S之间有电压，也有电流，D和S之间就存在电阻，这部分电阻叫做通道电阻。

说明一下，G端的电压有个最小值，才能使得D和S之间的通道打开，这个电压叫MOSFET的栅极阈值，代号叫Vth。举个例子，某MOS管的栅极阈值电压为2V，分别加1V、2V、4.5V电压，它的表现如下：

1、在G端加1V的电压时，通道仍处于Ｐ的状态，因此电流不会流动；

2、在G端加2Ｖ的电压，通道开始反转为Ｎ，电流开始流动。⇒此为阈值（VTH），这个就是使得D和S通道打开的最小电压；

3、要使ON导通电阻完全下降，必须施加远大于VTH的电压。在G端加4.5V电压时，导通电阻为85mΩ，加10V时为79mΩ。

P型MOSFET：跟N型MOSFET类似，P型的导通通道是P型。在G-S端不加电压的情况下，P型MOSFET是P-N-P，根据二极管知识，N-P结是不会导通的。

 

 当我们给S端加正电压时，G下面的N型半导体反转为P型。这个时候MOSFET为导通状态，导通通道为P型，而我们之前知道P型半导体里面的载流子（电流的主体）为空穴，与N型的载流子电子相比，运动起来更困难，所以导通电阻更大。

 总结一下：P型MOSFET的特点：1）S端加正电压，MOSFET处于导通状态；2）跟N型相比，P型中的电流是空穴形成的，所以导通电阻更大；3）导通时，电流的流向从S端到D端。因为这些特点，实际中大部分的电路用的是N型半导体。

---