啃书—以国产化光耦ORPC-847芯片手册为例

        近期有幸体验了一款国产光耦产品，并在深入学习的过程中积累了一些疑问与心得，特此整理分享，期望能为同行们的探索之路提供些许助益：

        光耦是将发光二极管（LED）和光电探测器（一般是光电三级管）集成于一个封装中的器件。光耦一般用于信号的隔离，当两个电路的电源参考点不相关时，使用光耦可以保证在两边不共地的情况下，完成信号的传输。

        ORPC-847形状如图：

       其有16脚，由4个GaAs发射管和4个NPN二极管组成，管脚距离是2.54mm，常被用于家用电源、开关电路、连接器、电磁阀控制、电话机、交流电机驱动器、温度控制、信号传输器等领域。

        其功能图如下：

      对于急于上手、追求快速入门的我们而言，芯片手册中冗长的文字描述无疑显得不够高效。为此，我特地提炼了一套快速概览该款光耦核心特性的方法，这套技巧同样适用于探索其他类型的光耦器件。

        首先点开芯片手册，找到其输入输出参数部分，无论是ORPC-847芯片亦或是其他款式的光耦芯片，均可以以下方式进行分析，看其是否适合实际工程。如下图所示为ORPC-847的输入输出参数，首先看其正向电压VF（即二极管导通时的固定压降），在20mA工作电流条件下，是1.2V左右；其次看其反向电流IR即二极管反接时击穿前的截止电流，在反向电压为5V时为5μA，其次是Ct在一定频率下表现为电容特性，即在1KHZ的频率下可以看做为30pF的输入电容；

         对其输出特性，首先看ICEO即集电极到发射极固定电流，在20V的情况下，只有100nA左右，其次看BVCEO即集电极向发射极击穿电压，当集电极对发射极的电压大于80V的时候可能会击穿三极管，所以需要再设计的时候注意；最后看发射极向集电极的击穿电压BVCO，当发射极对集电极电位大于7V时可能会击穿三极管。

         电流传输比也是光耦一个非常重要的参数，如图所示电流传输比（CTR：最低50%在IF=5mA，VCE =5V），最低为50%，以50%为例，输入电流为5mA的情况下，输出电流为5*50%=2.5mA。