计算闪锌矿半导体的电子能带结构研究（Matlab代码实现）-CSDN博客

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📋📋📋本文目录如下：🎁🎁🎁

目录

⛳️赠与读者

💥1 概述

1. 引言

2. 方法论

2.1 经验伪势方法（EPM）

2.2 原子轨道的线性组合（LCAO）或紧束缚（sp3s*）模型

2.3 k.p方法

3. 计算步骤

4. 结果与讨论

5. 结论

📚2 运行结果

🎉3 参考文献

🌈4 Matlab代码实现

⛳️赠与读者

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或许，雨过云收，神驰的天地更清朗.......🔎🔎🔎

💥1 概述

1. 引言

闪锌矿（Zincblende）结构的半导体，如硅（Si）和锗（Ge），是现代电子和光电子器件的基础材料。理解这些材料的电子能带结构对于设计高性能器件至关重要。本文档旨在介绍使用经验伪势方法（EPM）和原子轨道的线性组合（LCAO）或紧束缚（sp3s*）模型来计算闪锌矿半导体的电子能带结构。

2. 方法论

2.1 经验伪势方法（EPM）

经验伪势方法是一种半经验方法，它结合了量子力学的基本原理和实验数据。EPM通过引入一个有效的、简化的势函数来描述价电子与离子实之间的相互作用，从而大大简化了计算过程。

2.2 原子轨道的线性组合（LCAO）或紧束缚（sp3s*）模型

LCAO方法基于原子轨道的线性组合来构建分子的波函数。在紧束缚模型中，电子被假定为主要位于原子周围，并且只在相邻原子之间发生有限的跳跃。对于闪锌矿半导体，通常使用sp3s*模型，其中s和p轨道用于描述价电子。

2.3 k.p方法

k.p方法是一种基于微扰理论的能带计算方法，它适用于描述能带结构中的细微特征。在本研究中，我们将使用8频带k.p模型，并引入德雷斯豪斯、基普和基特尔（DKK）符号和卢廷格参数（EP、F、g1、g2、g3）来描述能带结构。

3. 计算步骤

选择模型参数：根据闪锌矿半导体的具体材料（如Si或Ge），选择适当的经验伪势和紧束缚模型参数。
构建哈密顿量：使用LCAO或紧束缚模型，结合经验伪势，构建系统的哈密顿量。
对角化哈密顿量：在k空间中，对角化哈密顿量以求解能带结构。
应用k.p方法：在得到的能带结构基础上，应用8频带k.p方法进行微扰修正，以更精确地描述能带特征。
分析能带结构：使用DKK符号和卢廷格参数对能带结构进行解释和分析。

4. 结果与讨论

通过计算，我们可以得到闪锌矿半导体的能带结构，包括导带、价带以及它们之间的带隙。使用k.p方法，我们可以进一步分析能带中的细微特征，如自旋-轨道分裂、能带弯曲等。

通过比较不同材料的能带结构，我们可以理解它们在不同应用中的性能差异。例如，硅的能带结构使其成为理想的微电子材料，而锗在某些光电子应用中可能更具优势。

5. 结论

本文档介绍了使用经验伪势方法和紧束缚模型计算闪锌矿半导体电子能带结构的方法。通过结合k.p方法和卢廷格参数，我们可以得到更精确的能带结构描述。这些结果对于理解闪锌矿半导体的物理性质和开发高性能电子和光电子器件具有重要意义。

📚2 运行结果

部分代码：

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% Model activation %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
% 0 for turn off
% 1 for turn on

epm_model = 0; %% Empirical Pseudo Potential
TB_model = 1; SpinOrbit=1; %% Tight Binding; SpinOrbit coupling = 0 or 1
kp8_model = 1; %% kp 8 bands model

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% Parameters %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

Nk=50; %% number of k-points for the dispersion
Nband=12; %% number of band to plot

k=kZB_f(Nk,a); %% function to compute the k-vector

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

if epm_model==1
if strcmp(M{1},'CdS')==1 || strcmp(M{1},'CdSe')==1
display(strcat('Error: No parameter in the Pseudo Potential model for: ',M{1}))
return
else
Ek1=epm_f(M{3},a,k,Nband);
end
end

if TB_model==1
if SpinOrbit==0
if strcmp(M{1},'CdTe')==1 || strcmp(M{1},'3C-SiC')==1
display(strcat('Error: No parameter in the Tight Binding (without Spin) model for: ',M{1}))
return
else
Ek2=TightBinding_f(M{4},a,k,SpinOrbit);
end
elseif SpinOrbit==1
if strcmp(M{1},'C')==1 || strcmp(M{1},'Ge')==1 || strcmp(M{1},'Sn')==1 || strcmp(M{1},'3C-SiC')==1 || strcmp(M{1},'ZnTe')==1
display(strcat('Error: No parameter in the Tight Binding (with Spin) model for: ',M{1}))
return
else
Ek2=TightBinding_f(M{5},a,k,SpinOrbit);
end
end
end

if kp8_model==1
if strcmp(M{1},'C')==1 || strcmp(M{1},'Sn')==1 || strcmp(M{1},'3C-SiC')==1
display(strcat('Error: No parameter in the k.p 8bands model for: ',M{1}))
return
else
Ek3=kp_8bands_DKK_f(k, Eg, EP_L, Dso, F, g1, g2, g3);
end
end

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% Figures %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

%X0fig=-1800; Y0fig=100;
X0fig=100; Y0fig=100;
Wfig=800;Hfig=800;

figure('Name','Results','position',[X0fig Y0fig Wfig Hfig],'color','w')

FS=18;
LW=1;

%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%

xscale=[0 2*Nk];
yscale=[-2 4];
%xscale=[0 3.5*Nk];
%yscale=[-13 7];

subplot(1,1,1,'fontsize',FS)
hold on;grid on;box on;
s={};
c=0;
if epm_model==1
c=c+1;
plot(1:length(k(:,1)),Ek1-max(Ek1(4,:)),'b-', 'linewidth',LW)
s{c}=strcat('\fontsize{',num2str(FS),'}\color{blue}PseudoPotential');
end

if TB_model==1
c=c+1;
plot(1:length(k(:,1)),Ek2,'g-', 'linewidth',LW)
s{c}=strcat('\fontsize{',num2str(FS),'}\color{green}TightBinding sp3s*');
end