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元器件
文章平均质量分 77
何必见幽人
这个作者很懒,什么都没留下…
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功率MOS管选型
漏源电压额定值VDS{V}_{DS}VDS测试条件:栅源之间短路。栅源电压额定值VGS{V}_{GS}VGS测试条件:漏源之间短路。假设MOS管额定VGS{V}_{GS}VGS=±20V,则栅源电压大于20V或小于-20V时都会击穿那层很薄的二氧化硅绝缘层。静电荷的累积和由寄生感抗导致的过压(开关速度过快)都会击穿这层二氧化硅。因此可能需要加输入保护电路。连续漏极电流ID{I}_{D}ID与栅源电压、壳温有关上图为MOS管HY1904C2。上图为MOS管HY1904C2。额定功原创 2021-12-24 10:14:26 · 2401 阅读 · 0 评论 -
TVS二极管
·反向工作电压(Reverse Stand-Off Voltage):反向漏电流下,TVS管两端的电压。·击穿电压(Breakdown Voltage):测试电流下,TVS管两端的电压。·最大钳位电压(Maximum Clamping Voltage):峰值脉冲电流下,TVS管两端的电压。超过此电压,TVS管损坏。·反向漏电流(Reverse Leakage):见下图。·测试电流(Test Current):见下图。·峰值脉冲电流(Peak pulse current of at 10/1000μ原创 2021-12-23 21:47:09 · 2710 阅读 · 0 评论 -
自恢复保险丝PPTC
PPTC(Polymeric Positive Temperature Coefficient)/高分子聚合物正温度系数/自恢复保险丝·保持电流(Hold Current. Maximum current device will not trip in 25°C still air):在25°C的环境温度下,自恢复保险丝能一直保持不动作(从低阻变成高阻)时的电流。·动作电流(Trip Current. Minimum current at which the device will always tri原创 2021-12-22 22:57:14 · 4521 阅读 · 0 评论