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RSS订阅原创 功率MOS管选型
漏源电压额定值VDS{V}_{DS}VDS测试条件:栅源之间短路。栅源电压额定值VGS{V}_{GS}VGS测试条件:漏源之间短路。假设MOS管额定VGS{V}_{GS}VGS=±20V，则栅源电压大于20V或小于-20V时都会击穿那层很薄的二氧化硅绝缘层。静电荷的累积和由寄生感抗导致的过压(开关速度过快)都会击穿这层二氧化硅。因此可能需要加输入保护电路。连续漏极电流ID{I}_{D}ID与栅源电压、壳温有关上图为MOS管HY1904C2。上图为MOS管HY1904C2。额定功
2021-12-24 10:14:26
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原创 TVS二极管
·反向工作电压(Reverse Stand-Off Voltage)：反向漏电流下，TVS管两端的电压。·击穿电压(Breakdown Voltage)：测试电流下，TVS管两端的电压。·最大钳位电压(Maximum Clamping Voltage)：峰值脉冲电流下，TVS管两端的电压。超过此电压，TVS管损坏。·反向漏电流(Reverse Leakage)：见下图。·测试电流(Test Current)：见下图。·峰值脉冲电流(Peak pulse current of at 10/1000μ
2021-12-23 21:47:09
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原创 自恢复保险丝PPTC
PPTC（Polymeric Positive Temperature Coefficient）/高分子聚合物正温度系数/自恢复保险丝·保持电流(Hold Current. Maximum current device will not trip in 25°C still air)：在25°C的环境温度下，自恢复保险丝能一直保持不动作（从低阻变成高阻）时的电流。·动作电流(Trip Current. Minimum current at which the device will always tri
2021-12-22 22:57:14
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原创 全桥逆变+电阻负载
IR2103电路图如下网络HO_1（通道2）和LO_1（通道1）的波形从上图可以看出，IR2103的死区时间时序的定义是IR2103的LO引脚的+占空比为48%，IR2103的HO引脚的+占空比为50%，最终的结果是截止超前于导通。...
2021-09-24 20:31:04
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原创 基本的LC串联和并联振荡电路分析
串联振荡电路原理分析：第一阶段：初始状态：合上开关，iL=0，diL/dt=max，uL=12V，uC=0V，之后：电源向电感充磁，向电容充电；第二阶段：初始状态：iL=max，diL/dt=0，uL=0V，uC=12V，之后：由于电感电流不能突变，电感电流逐渐减小，电感电流的变化率逐渐增大，电感电压反向且逐渐增大，电容电压继续增加，uC=12+uL，电感向电容充电，电感消磁；第三阶段：初始状态：iL=0，diL/dt=max，uL=-12V，uC=24V，之后：串联谐振电路波形：余弦波（chan
2021-09-24 20:28:57
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空空如也
空空如也
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