Cadence仿真MOS晶体管电容及其它参数

1.MOS电容C-V特性仿真

MOS晶体管电容$Cgg$是指晶体管的栅漏都接地时，栅对源$Cgs$，栅对漏$Cgd$，栅对衬底$Cgb$三个电容之和。

(1) 绘制仿真电路图

(2) 设置ADE L窗口

设置如下，添加变量vdc，value设置为0（这里可以随便设置，后面会进行参量扫描），DC分析只用保留直流工作点

(3) 进行参量扫描设置

点击Tools–>Parametric Analysis，Variable一栏选择变量vdc，电压从-3V~3V进行扫描，设置线性步长Linear Steps，步长为0.2，点击绿色的Start按钮，开始扫描

(4) 添加Outputs

将MOS电容参数添加到ADE L界面的outputs中。点击Tools–>Calculator

在弹出的界面中选择op（oprating parameters）

在原理图界面选择MOS管，在OP parameters界面点击List，在列表中选择cgs，这时候在calculator界面中出现了cgs的表达式


由于cgs、cgd、cgb均为负值，所以在相加前需要都添加负号，用同样的方法将cgd和cgb加入calculator中，表达式如下图所示；表达式输入完成后，点击小齿轮按钮，将表达式添加到ADE L界面的outputs中

用同样的方法， 在calculator中输入表达式OP(“/NM0”,“cgg”)，并将其添加到ADE L界面，便于后续对比。

点击Plot，即可得到MOS电容的C-V曲线，与理论分析相符，且两条输出曲线重合。

2.MOS晶体管其他参数查看

在ADE L 界面对vdc的值设置，点击Netlist and Run，直接进行仿真。运行后点击Results–>Print–>DC Operating Points，然后在原理图中点击MOS管，即可在Results Display Window界面中查看晶体管参数。