Sentaurus TCAD仿真报错及解决方法

1.网格问题导致的报错

问题
使用Sentaurus TCAD仿真时,遇到如下错误导致仿真中断:

Error: child process with pid'349356'exists with the code '1
gjoh exits with status 1

检查后发现有如下警告:
在这里插入图片描述
解决方法
“Exceeded the maximum number of vertices (300000 vertices)”意思是说超过了网格顶点的最大数量。查看.out文件也可以发现仿真中断在划分网格的代码附近,因此需要拉大网格,增大网格间距

2.sdevice初始解不收敛

问题
sdevice仿真显示如下报错:

Error: child process with pid'90409'exists with the code '2
gjob exits with status 2

在.out文件中发现仿真在0时刻,仿真的第一个点就无法收敛
在这里插入图片描述
解决方法
在sdevice中设置时序时,由于某个电极上的电压值过高,因此难以建立初始解。将初始电压做如下更改即可解决问题:
更改前:
{ name=“TX” Voltage=-1 workfunction=4.2 Voltage=(-1 at 0.0, -1 at 0.3e-6, 3.3 at 0.32e-6, 3.3 at 0.57e-6, -1 at 0.58e-6)}
更改后:
{ name=“TX” Voltage=0 workfunction=4.2 Voltage=(0 at 0.0, -1 at 4e-8, -1 at 0.3e-6, 3.3 at 0.32e-6, 3.3 at 0.57e-6, -1 at 0.58e-6)}

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Sentaurus TCAD是一种用于半导体器件工艺仿真的软件。CMOS反相器是一种常见的数字电路,在电子设备和集成电路中广泛应用。 利用Sentaurus TCAD进行CMOS反相器的工艺仿真主要分为以下步骤: 1. 绘制器件结构:首先,我们需要在软件中绘制CMOS反相器的器件结构。这包括绘制NMOS和PMOS晶体管的栅极、源极和漏极,并确定它们的尺寸和位置。 2. 材料参数设置:在绘制完器件结构后,我们需要设置材料的相关参数,如禁带宽度、迁移率、载流子浓度等。这些参数将直接影响器件的电特性。 3. 模拟器件操作:根据CMOS反相器的工作原理,我们可以利用Sentaurus TCAD模拟器件的操作。例如,我们可以输入相应的电压信号到NMOS和PMOS晶体管的栅极,控制晶体管的导通和截止。 4. 电特性分析:在模拟器件操作后,我们可以获得器件的电特性数据。例如,我们可以获得反相器的输入输出电压关系图(电压传输特性),评估其放大和放大倍数等参数。 5. 优化和改进:根据仿真结果,我们可以进一步对CMOS反相器的结构和参数进行调整和优化。例如,我们可以改变晶体管的尺寸、改变电压供应等,以改善电特性和性能指标。 通过利用Sentaurus TCAD进行CMOS反相器的工艺仿真,我们可以有效地评估器件的性能和优化器件的工艺参数。这有助于指导实际制造过程中的工艺设计和性能改进。

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