模拟电子技术-二极管及其基本电路

$重点：PN结理解,二极管的基本电路及其分析方法-模型分析法。$
变容二极管，肖特基二极管，光电器件可不看，不考，但在实际电路中应用较多。

一、半导体基本知识

1-1 半导体：性能介于导体与绝缘体之间

• 半导体除了在导电能力方面与导体和绝缘体不同外,它还具有不同于其他物质的特点,例如,当半导体受到外界光和热的激励时,其导电能力将发生显著变化。又如在纯净的半导体中加入微量的杂质,其导电能力也会有显著的提高。（即光敏性、热敏性、掺杂性）
• 导体-低价元素
  $▶$绝缘体-高价元素
  $▶$半导体-硅（si），锗（Ge），四价元素

1-2 本征半导体：纯净的，具有完整晶体结构的半导体。

在一定温度下，本征半导体内最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），被束缚的价电子就会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，温度越高，本征激发越强。

• 由于随机热振动产生两种带电性质向相反的载流子（空穴和自由电子对）。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现的。
  
• 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q的空位宏观定向运动。（反映了共价键中的电荷迁移）可用空穴移动产生的电流来表示受束缚的电子移动产生的电流。
• 在一定温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
• 当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
• 本征半导体导电能力差，与温度密切相关。

1-3 杂质半导体

在本征半导体中掺入微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著的改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体可分为空穴§型半导体和电子(N)型半导体两大类。

• 通常，掺杂浓度远大于本征激发载流子的浓度。
• 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

1-4 载流子的漂移和扩散

• 由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移。
• 基于载流子的浓度差异和随机热运动,载流子会从高浓度区域向低浓度区域扩散,从而形成扩散电流。如果没有外来的超量载流子的注入或电场的作用,晶体内的载流子浓度趋向于均匀直至扩散电流为零。

1-5 PN结的形成

• 
  理解：P型区空穴浓度很高，N型区电子浓度很高，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散。使交界处电中性破坏，P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子;N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子虽然也带电,但由于物质结构的关系,它们不能任意移动,因此并不参与导电。PN结中存在由N区指向P区的内建电场（因为多子的扩散使得不可移动的离子显性，P区是负离子，N区是正离子，所以内建电场由N区指向P区），阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
• 不能移动的带电离子集中在Р区和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是所谓的PN 结。在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区有时又称为耗尽区。在PN结空间电荷区内,电子要从N区到P区必须越过一个能量高坡(同样空穴从Р区到N区也要越过此能量高坡)，一般称此能量高坡为势垒，因此空间电荷区又称为势垒区。
• 由于该区域缺少载流子,所以它的电阻率很高。
• 扩散越强,空间电荷区越宽。
• PN结特性：
  $▶$单向导电性
  Ⅰ.当外加电压V的正端接半导体Р区,负端接N区(P区接高电位,N区接低电位)时,称V为外加正向电压或正向偏置电压。此时,外加电压形成的外加电场E,与PN结内电场方向相反。PN结结电场减小，正向的PN结表现为一个阻值很小的电阻,此时也称PN结导通。
  Ⅱ.外加电压V的正端接N区,负端接Р区(N区接高电位,P区接低电位),这种外加电压称为反向电压或反向偏置电压,PN结处于反向偏置状态。此时,外加电压形成的外电场方向与PN结内电场方向相同。PN结结电场增大，反向的PN结表现为一个阻值很大的电阻,基本上可以认为不导电，此时也称PN结截止。
  $▶$PN结I-V特性

$$i_D=I_s(e^{v_D/(n{V}_T)-1})$$
①当二极管的PN结两端加正向电压时,电压$v_D$为正值,当$v_D$比$v_T$大几倍时,二极管的电流i与电压v呈指数关系,如图中的正向电压部分所示。
②当二极管加反向电压时,$v_D$为负值。若$|v_D|$比$v_T$大几倍时,指数项趋近于零,因此$i_D=-I_s$ ,如图中的反向电压部分所示。可见当温度一定时,反向饱和电流是个常数$I_s$ ,不随外加反向电压的大小而变化。
③\color{Red}{Si和Ge参数对比}$

材料	开启电压	导通压降	反向饱和电流
Si	0.5V	0.5~0.8V	1uA以下
Ge	0.7V	0.1~0.3V	几十uA

$▶$PN结的反向击穿
①在测量PN结的I-V特性时,如果加到PN结两端的反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加,这个现象就称为PN结的反向击穿(电击穿)。发生击穿所需的反向电压Vbr称为反向击穿电压。PN结电击穿后电流很大,容易使PN结发热。
②当反向电压增大到某一数值后,载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样,载流子增加得多而快,使反向电流急剧增大,于是 PN结被击穿,这种击穿称为雪崩击穿。

上述两种电击穿过程是可逆的

③反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率,超过了就会因为热量散不出去而使PN 结温度上升,直到过热而烧毁,这种现象就是热击穿。热击穿则是必须尽量避免。
$▶$PN结的电容效应(结电容：Cj=Cd+Cb)
①扩散电容Cd：外加正向电压时，扩散运动的电荷的积累和释放。
PN结在正向偏置时,积累在Р区的电子和N区的空穴随正向电压的增加而很快增加,扩散电容较大。反向偏置时,因为载流子数目很少,所以扩散电容数值很小,一般可以忽略。
②势垒电容Cb:外加反向电压时，空间电荷区的电荷积累与释放。
对于非线性的势垒电容，可用微增量电容的概念来定义，即$$C_B=|\frac{dQ}{d{v}_D}|$$,式中 dQ为势垒区每侧存储电荷的微增量,dv为作用于结型二极管上的电压微增量。经理论推导,势垒电容可表示为
$$C_B=\frac{C_{B}0}{(1-V_D/V_0{)}^m}$$
③在高频应用时，必须考虑PN结电容的影响。

二、二极管

2-1 三种结构

(1)点接触型，结电容小，适用于高频电路和小功率整流。
(2)面接触式，结电容大，只适合在较低频率下工作,适用于大电流电路。
(3)平面二极管，结电容大的用于大功率整流，结电容小的用作脉冲数字电路中的开关管。

2-2 二极管的I-V特性

• 正向特性
  硅管的门坎电压$V_{th}$(又称死区电压)约为0.5 V,锗管的$V_{th}$约为0.1 V。
  硅管的正向导通压降约为0.7V,锗管约为0.2V。
• 反向特性
  Р型半导体中的少数载流子——自由电子和N型半导体中的少数载流子—–空穴,在反向电压作用下很容易通过PN结,形成反向饱和电流。
• 反向击穿特性
  当反向电压增加到一定值($V_{BR}$)时,反向电流将急剧增加,这便是二极管的反向击穿。

2-3 二极管的主要参数

• 最大整流电流$I_F$
  二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
• 最高反向工作电压$U_R$
  $U_R$是二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值，二极管将有可能反向击穿。通常$U_R$为击穿$U_{BR}$的一半
• 反向电流$I_R$
  $I_R$是二极管未击穿是的反相电流。$I_R$愈小，二极管的单向导电性愈好，$I_R$对温度非常敏感。
• 最高工作频率$f_M$
  $f_M$是二极管工作的上限截止频率。超过此值时，由于结电容，二极管不能很好的体现出单向导电性。

2-4 二极管的基本电路及其分析方法

2-4-1 图解分析法

须已知二极管的I-V曲线（字丑，见谅）

2-4-2 模型分析法

（1）理想模型

(a)I-V曲线 (b)代表符号 ©正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型

• 忽略死区和饱和电流，适用于大信号。
• 管压降为0V。

（2）恒压降模型

• 其横轴对应的电压典型值为0.7 V(硅管)或0.2 V(锗管）
• 当二极管的电流近似等于!$ i_D$或大于1mA时才是正确的。

（3）折线模型

• 电池的电压选定为二极管的门坎电压$V_{th}$，约为0.5V（硅管）。
• $r_D$的值,可以这样来确定,即当二极管的导通电流为1 mA时,管压降为0.7V,于是$r_D$的值可计算如下：

$$r_D=\frac{0.7V-0.5V}{1mA}=200\Omega$$
（4）小信号模型

• 二极管I-V特性近似为以Q点为切点的一条直线,其斜率的倒数就是小信号模型的微变电阻$r_d$

$$r_d=\frac{1}{g_d}=\frac{V_T}{I_D}=\frac{26(mV)}{I_D(mA)}$$(常温下，T=300K)

• 小信号模型中的微变电阻$r_d$与静态工作点Q有关
• 该模型主要用于正向偏置，且$V_D\gg V_T$

2-4-3 模型分析法的应用

（1）整流电路
（2）限幅与钳位电路
（3）2-5-3 开关电路

2-5特殊二极管

2-5-1 齐纳（稳压）二极管

• 稳压管在电路中反接，保证工作在反向击穿区，起稳定电压作用，同时应串入电阻，电阻起限流作用，保护稳压管$I_z<I_{zm}$

• 稳压二极管加正向电压与普通二极管类似。

• 双向稳压管
  
  双向限压。当一个稳压管工作时，另一个作为二极管。在光耦断开时也可起续流作用，防止冲击。

• 参数
  

• 常用电路：
  $▶$浪涌保护电路
  

  稳压管在准确的电压下击穿，这就使得它可作为限制或保护之元件来使用，因为各种电压的稳压二极管都可以得到，故对于这种应用特别适宜。图中的稳压二极管D是作为过压保护器件，只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通，使继电器J吸合负载RL就与电源分开。
  $▶$电视机过压保护电路
  

  EC是电视机主供电压，当EC电压过高时，D导通，三极管BG导通，其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平，通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态.
  $▶$电弧抑制电路
  

  在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收，所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多，如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它。
  $▶$串联型稳压电路 (常用）
  
  在此电路中，串联稳压管，BG的基极被稳压二极管D钳定在13V，那么其发射极就输出恒定的12V电压了。
  $▶$一次性保护电路
  比如在重要部位，禁止电压升高损坏宝贵器件，可以用一个稳压管与该处的电源反向并联，当电源电压因故障突然升高，超过稳压管的稳压值以后，稳压管由截止状态迅速转入反向击穿，直接将电源短路，烧断熔丝或限流保护电阻，保护了该电源支路的所有负载不会因为超压而损坏。

2-5-2 变容二极管

• 结电容随反向电压的增加而减小,这种效应显著的二极管称为变容二极管。
• 用于高频电路中调频。

• 几种变容二极管的选用参考参数：
  $▶$ 1S2268型管：反向电压：25V
  电容变化范围：3.5pF－6.0pF
  品质因素Q值：200（50MHz）
  $▶$ 2CC1型管：反向电压：25V
  电容变化范围：3.6pF－6.5pF
  Q值：250（50MHz）
  $▶$MV201型管：反向电压：23V
  电容变化范围：9.0pF－14pF
  Q值：160（50MHz）。

• 变容二极管电路
  

  $▶$电容C1与变容二极管VD1结电容串联，然后与L1并联构成LC并联谐振电路。正极性的直流电压通过电阻R1加到VD1负极，当这一直流电压大小变化时，给VD1加的反向偏置电压大小改变，其结电容容量大小也改变，这样LC并联谐振电路的谐振频率也随之改变。
  $▶$给变容二极管加上反向直流偏置电压，当这一反向偏置电压大小改变时，变容二极管的结电容容量大小在改变。
  $▶$变容二极管的结电容与C1串联的总电容与L1并联，变容二极管的结电容只是这个LC并联电路中的1只容量可变的电容，改变变容二极管的容量，既能改变这一LC并联谐振电路的谐振频率。

2-5-3 肖特基二极管

（1）肖特基二极管原理

肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降$V_F$比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

典型应用：在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
（2）肖特基二极管作用及接法

• 整流

利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

$▶$在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。
$▶$肖特基二极管主要用于各种低频半波整流电路，全波整流。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个肖特基二极管封在一起。半桥是将四个肖特基二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个肖特基二极管进行工作，通过肖特基二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。

• 开关
  肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。

• 限幅
  $▶$所谓限幅肖特基二极管就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等，故要求限幅肖特基二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。
  $▶$限幅肖特基二极管的特点：1、多用于中、高频与音频电路；2、导通速度快，恢复时间短；3、正偏置下二极管压降稳定；4、可串、并联实现各向、各值限幅；5、可在限幅的同时实现温度补偿。
  $▶$肖特基二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

• 续流
  $▶$肖特基二极管并联在线两端,当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉.从而保护了电路中的其它原件的安全.续流二极管在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端,当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失,此时残余电动势通过一个肖特基二极管释放,起这种作用的二极管叫续流二极管。电感线圈、继电器、可控硅电路等都会用到续流二极管防止反向击穿现象。
  $▶$凡是电路中的继电器线圈两端和电磁阀接口两端都要接续流二极管。接法如上面的图，肖特基二极管的负极接线圈的正极，肖特基二极管的正极接线圈的负极。不过，你要清楚，续流二极管并不是利用肖特基二极管的反方向耐压特性，而是利用肖特基二极管的单方向正向导通特性。

• 检波
  $▶$检波（也称解调）肖特基二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
  $▶$检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。

• 变容
  $▶$变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容肖特基二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。
  $▶$当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。
  （3）肖特基二极管在数字电路中的应用详解

• 肖特基二极管应用于双电源供电
  目前带主控器的电子设计中，基本都会用到实时时钟（RTC），RTC需要额外的钮扣电池来供电，以免系统掉电后，时间信息丢失。同时系统启动后，为了延长电池的使用时间，往往会让主系统供电。因此，RTC往往需要双电源供电，而二极管由于它的单向导通性，可以起到电源隔离的作用。以小信号肖特基二极管BAT54C为例，其正向压降最大只有0.24v（正向电流0.1ma时），RTC电流消耗也是ua级的，加入肖特基二极管隔离电源后，也是能完全满足要求的。
  

• 肖特基二极管用作与门
  　　如下图，n个肖特基二极管组成n输入的与门，只要A1_{An中有一个信号输出逻辑0，则Output输出逻辑0，只有A1}An中所有信号输出逻辑1，Output才能输出逻辑1。即实现了信号A1~An的相与。由于在数字电路中，芯片信号输入级基本都是高阻的，因此，用肖特基二极管组成的与门电路总体电流都是ua级别的，肖特基二极管压降都是极其小的，电平仍能满足设计要求。
  

• 肖特基二极管用作或门
  　　如下图，n个肖特基二极管组成n输入的或门，只要A1_{An中有一个信号输出逻辑1，则Output输出逻辑1，只有A1}An中所有信号输出逻辑0，Output才能输出逻辑0。即实现了信号A1~An的相或。
  

• 简单应用实例
  　　在数字电路设计中，往往需要实现一些信号简单的相与、相或、反相。如果直接采用74系列等逻辑芯片，不仅布板面积大大增加，布线也不具灵活性。而采用小信号肖特基二极管组成与或门电路会更加的灵活好用。下图为一个简单的二路复位电路，JTAG产生复位信号需要复位主控器，而外部复位键也需要在按下时实现复位主控器。如果JTAG复位与按键复位直接线与输出到主控器的复位脚，将可能对JTAG仿真器造成损害。例如，按下复位键时，将直接把JTAG输出复位脚位低。而通过肖特基二极管BAT54A组成相与电路，各个信号输出不会相互影响。下图只要JTAG输出0逻辑或按键复位输出0逻辑都能让主控器实现复位。
  

  如果要用作非门，可采用三极管，当然三极管在电子电路中应用也是很广泛，如在数字电路中可作为开关器件，作为电流驱动，作为电平转换等。

2-5-4 光电器件

（1）光电二极管

• 反向电流随光照强度的增加而上升
• 反向电流与照度成正比.灵敏度数量级的典型值为0.1 uA/lx。
  （2）发光二极管
• 工作电流一般为几毫安到十几毫安之间。发光二极管常用来作为显示器件,除单个使用外,也常作成七段式或矩阵式器件。
• 发光二极管可用于信号转换，将电信号转换为光信号。
• 判断贴片发光二极管正负极
  $▶$看标识
  一些如0805、0603封装的贴片发光二极管在底部都会有”T”字形或倒三角形符号，”T”一横的一边是正极，另一边是负极；三角形符号的“边”靠近的是正，“角”靠近的是负极。
  $▶$看引脚
  发光二极管的引脚一般正极比较长，负极的引脚比较短。
  

$▶$看管体内形状
从侧面观察两条引出线在管体内的形状，小的为正极，大的为负极。

$▶$通过万用表测试
把万用表调到“欧姆x1”档，二极管发光的的时候，红表笔连接的是SMD LED的正端，黑表笔连接的是SMD LED的负端。
由于LED开启门限1.5-1.8V左右。有可能数字万用表提供的电压无法启动它。所以还是看标记。贴片发光二极管，有绿色点的为负极，相对的为正极。
$▶$看缺角处
在led节能灯照明行业中会经常用到5050贴片LED，这种贴片发光二极管是正方形的，四个直角中有一个角带个小缺角，带小缺角的那端就是负极，另一端是正极。

（3）激光二极管
激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。
（4）太阳能电池
太阳能电池是由一个特殊的PN结构成的,该PN结能将太阳能转换为电能。

我$个人觉得$经典的习题

参考文献

$▶$https://mbb.eet-china.com/forum/topic/78380_1_1.html
$▶$http://www.elecfans.com/yuanqijian/erjiguang/20180121619969.html
$▶$http://www.kiaic.com/article/detail/1947.html