8086内存储器技术

一，内存储器概论

存储器：存放程序和数据的部件
内存(主存储器)：直接连接总线，通常由半导体存储器组成。

外存(辅助存贮器)：经接口电路与总线相连接，存放永久保存的程序和数据,通常指磁盘、磁带、光盘等。

1，半导体存储器的分类

• 从器件组成的角度分：

  双极性存储器（用TTL 电路制成）

  单极性存储器（用MOS 电路制成）

• 从工作特点分：

  随机存储器RAM

  只读存储器ROM

2，半导体存储器的主要技术指标

• 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量
• 存储速度：存取时间和存储周期
• 存储器带宽：单位时间里存储器存取的信息量
• 可靠性：用平均故障间隔时间MTBF衡量

二，内存储器芯片的结构和工作原理(重点)

1，存储器芯片的组成结构（重点）

• 1，存储体

  存储一位二进制代码的基本单位电路称为存储元；若干个存储元组成一个存储单元；大量的存储单元组成一个存储体。

  

• 2，地址译码器
  将二进制代码形式的地址转换成驱动读写操作的选择信号，以选择所要访问的存储单元。
  常用的地址译码有两种方式：

  单译码方式和双译码方式

  

  

• 3，读/写及IO电路
  控制被选中的单元读出或写入。

• 4，片选控制
  在地址选择时，首先要选择芯片，只有当片选信号有效时，此芯片所连的地址线才有效。

• 5，三态缓冲器
  存储器的读出数据或写入数据都与双向的数据总线相连，需要用到三态缓冲器。

2，典型芯片分析

• 1，SRAM 芯片 Intel6116

  

• 2，DRAM 芯片Intel2164

  

• 3，EPROM芯片Intel2732A

  

三，内存储器接口技术（重难点)

1，存储器芯片数目的确定

存贮器容量为 G 字节，构成该存储器的芯片的存储容量为 M×N，则需要的芯片的数目为:

例子：

• 字扩展:4×8bit的芯片构成8B的存储器系统,需要的芯片数目=(8/4)*(8/8) =2片

  

• 位扩展:4X4bit的芯片构成4B的存储器系统,需要的芯片数目=(4/4)*(8/4) =2片

  

2，芯片与系统总线的连接

• 1、数据线的连接
  芯片内有双向三态缓冲器，芯片数据线直接和系统数据总线相应数据位挂接。

• 2、地址线的连接
  地址应包含两部分:
  片内地址：芯片内的存储单元寻址，低位部分是片内地址，直接和存储芯片的地址端相连。

  片选地址：对各个存储芯片进行选择的地址，高位部分是片地址，经译码器产生芯片选择信号和各个芯片的片选端相连。

• 3、控制线的连接
  CPU的存储器读写信号与存储器芯片的控制信号线连接，以实现对存储器的读写操作。

3，片选控制方法(重点)

实现片选控制有三种方法：

• 1，线选法

  地址中的高位部分不经译码，直接用它们分别作各个芯片的片选信号。

• 2，部分译码法

  对高位地址的一部分进行译码产生片选信号，这种方法叫部分译

• 3，全译码法

  片外全部高位地址作为译码器的输入，进行完全译码，以此产生各个片选信号。