计算机组成原理 第四章 存储系统

1 哈弗结构 （Harvard Architecture）是指 （ ） （单选）

A. 数据和指令分别存放

B. 数据和指令统一存放

C. 指令和数据分时存放

D. 指令和数据串行存放

正确答案：A你没选择任何选项

4 下列属于加剧CPU和主存之间速度差异的原因的是（ ） （多选）

A. 由于技术与工作原理不同，CPU增速度明显高于主存增速率

B. 指令执行过程中CPU需要多次访问主存

C. 辅存容量不断增加

D. 辅存速度太慢

正确答案：A、B你错选为A、B、D

5 下列关于局部性的描述中正确的是 （ ） （多选）

A. 局部性包括时间局部行和空间局部性

B. 局部性是保证存储系统层次结构高效的基础

C. 顺序程序结构具有空间局部性

D. 循环程序结构具有时间局部性

正确答案：A、B、C、D你选对了

s2比s1更节省空间，但是对于S2 d[2]来说，取用s1,s2没有太大的区别。

1 设存储字长为64位,对 short 变量长度为16位，数据存储按整数边界对齐，关于short 变量 j 在主存中地址的下列描述中正确的是（ ） （此题为多选题）

A. j的物理地址 mod 8 = 0

B. j的物理地址 mod 8 = 1

C. j的物理地址 mod 8 = 2

D. j的物理地址 mod 8 = 3

正确答案：A、C你选对了

2 设存储字长为64位,对 char 变量长度为8位，数据存储按整数边界对齐，关于char 变量 j 在主存中地址的下列描述中正确的是（ ） （此题为多选题）

A. j的物理地址 mod 8 = 0

B. j的物理地址 mod 8 = 1

C. j的物理地址 mod 8 = 2

D. j的物理地址 mod 8 = 3

正确答案：A、B、C、D你选对了

3 下列关于大端与小端模式的描述中，正确的是 （ ） （此题为多选题
A. 大端模式(Big-endian)是指数据的低位保存在内存的高地址中，而数据的高位，保存在内存的低地址中

B. 小端模式(Little-endian)是指数据的低位保存在内存的低地址中，而数据的高位保存在内存的高地址中

C. 0x12345678 按大端模式存放时，其所在存储单元最低字节单元存放的数据是0x12

D. 0x12345678 按小端模式存放时，其所在存储单元最高字节单元存放的数据是0x12

正确答案：A、B、C、D你错选为A、B、C

4 下列关于存储字长的描述中正确的是（ ） （此题为多选题）

A. 主存一个单元能存储的二进制位数的最大值

B. 存储字长与所存放的数据类型有关

C. 存储字长等于存储在主存中数据类型包含的二进制位数

D. 存储字长一般应是字节的整数倍

正确答案：A、D你选对了

5 某计算机按字节编址，数据按整数边界存放，可通过设置使其采用小端方式或大端方式，有一个float 型变量的地址为
FFFF C000H ,数据 X = 12345678H，无论采用大端还是小段方式，在内存单元 FFFF C001H，一定不会存放的数是 （
） （此题为多选题）

A. 12H

B. 34H

C. 56H

D. 78H

正确答案：A、D你错选为B、C

3 一个16K*32位的SRAM存储芯片，其内部采用位数相同的行列地址译码器，则其内部译码输出线的总量为（ ）（单选）

A. 2^14

B. 2^7

C. 2^8

D. 2^16

正确答案：C你选对了

4 下列关于SRAM工作原理的描述中 ，错误的是（ ）（单选）

A. 6管SRAM中保存“1"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

B. 6管SRAM中保存“0"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

C. 对任何一个SRAM存储单元的读写,一定需要通过对应的行选通和列选通信号使与该存储单元对应的4个门控管都处于选通状态

D. 现有一个1KB的SRAM存储器,若只使用其低端地址的前16个单元,则只要使用该存储器的前4位地址线,其余地址线可以不做任何端接处理

正确答案：D你没选择任何选项